阵列基板的制作方法及阵列基板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括衬底、设于所述衬底上的栅极、覆盖于所述衬底和所述栅极上的第一绝缘层、覆盖于所述第一绝缘层上的半导体层、覆盖于所述半导体层上的金属层以及设于所述金属层和所述半导体层之间的欧姆接触层，所述衬底设有tft区域，所述tft区域具有沟道区，所述栅极对应所述tft区域设置；在所述金属层上形成第二绝缘层，以覆盖所述金属层；在所述第二绝缘层上设置光刻胶，采用光罩对所述光刻胶进行曝光和显影处理，得到阻挡层，以露出需要蚀刻的所述第二绝缘层；以所述阻挡层为遮挡，对所述第二绝缘层进行第一次蚀刻，保留对应所述tft区域设置的所述第二绝缘层，去除露出的所述第二绝缘层，以露出需要蚀刻的所述金属层；对所述金属层进行第二次蚀刻，去除露出的所述金属层，得到金属线；对所述阻挡层、所述第二绝缘层、所述半导体层和所述欧姆接触层进行第三次蚀刻，去除所述沟道区的所述阻挡层和所述第二绝缘层，以露出所述沟道区的所述金属层；并且去除露出的所述欧姆接触层和所述半导体层，保留所述tft区域的所述欧姆接触层和所述半导体层；对所述金属层进行第四次蚀刻，去除所述沟道区的所述金属层，形成间隔设置的源极和漏极；对所述欧姆接触层进行第五次蚀刻，去除所述沟道区的所述欧姆接触层，形成对应所述源极设置的第一欧姆接触层和对应所述漏极设置的第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层间隔设置。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺对所述第二绝缘层进行第一次蚀刻。3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺对所述金属层进行第二次蚀刻。4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺对所述阻挡层、所述第二绝缘层、所述半导体层和所述欧姆接触层进行第三次蚀刻。5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺对所述金属层进行第四次蚀刻。6.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺对所述欧姆接触层进行第五次蚀刻。7.如权利要求1至6任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：在对所述欧姆接触层进行第五次蚀刻后，在所述阻挡层和所述第一绝缘层上形成钝化层，在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极与所述漏极电性连接。8.如权利要求1至6任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光罩为半色调光罩。9.如权利要求1至6任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述基板还包括与所述栅极同层设置的扫描线，所述扫描线与所述金属线垂直设置。10.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的阵列基板的制作方法制得，所述阵列基板包括：
衬底；栅极，设于所述衬底上；第一绝缘层，覆盖于所述衬底和所述栅极上；半导体层，设于所述第一绝缘层上，且对应所述栅极设置；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，间隔设于所述半导体层上；金属层，包括设于所述第一欧姆接触层上的源极、设于所述第二欧姆接触层上的漏极以及电性连接于所述漏极的金属线。

技术总结
本申请适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板的制作方法及阵列基板。阵列基板的制作方法包括：提供基板，基板包括衬底、设于衬底上的栅极、覆盖于衬底和栅极上的第一绝缘层、覆盖于第一绝缘层上的半导体层以及覆盖于半导体层的金属层；在金属层上形成第二绝缘层，以覆盖金属层；在第二绝缘层上设置光刻胶，采用光罩对光刻胶进行曝光和显影处理，得到阻挡层，以露出需要蚀刻的第二绝缘层；以阻挡层为遮挡，对第二绝缘层进行第一次蚀刻，去除露出的第二绝缘层，以露出需要蚀刻的金属层；对金属层进行第二次蚀刻，去除露出的金属层，得到金属线，第二绝缘层可以防止金属层被氧化或者杂质掉落至金属层的表面，有效避免金属线咬伤或断线的情况发生。或断线的情况发生。或断线的情况发生。


技术研发人员：刘凯军 周佑联 许哲豪 袁海江
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2021/11/2