异质结太阳能电池及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；所述第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和位于所述第一透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；所述纳米线导电膜的横向电阻率大于所述第一透明导电膜的横向电阻率；位于所述第一透明导电复合膜背向所述半导体衬底层一侧表面的背栅电极。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述纳米线导电膜的厚度与所述第一透明导电膜的厚度之比为1:10～1:1；优选的，所述纳米线导电膜的厚度为10nm～20nm；所述第一透明导电膜的厚度为20nm～60nm；优选的，所述纳米线导电膜的横向电阻率为5
×
10
‑5ω
·
m～9
×
10
‑5ω
·
m；优选的，所述纳米线导电膜的反射率大于所述第一透明导电膜的反射率；优选的，所述纳米线导电膜的反射率为所述第一透明导电膜的反射率的2倍～5倍；优选的，所述纳米线导电膜对300nm～1200nm波长的光的反射率为75％～95％；优选的，所述纳米线导电膜的材料至少包括银；优选的，所述纳米线导电膜的材料还包括铜。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底层和所述第一透明导电复合膜之间的第一掺杂半导体层；所述第一掺杂半导体层的导电类型与所述半导体衬底层相反；所述第一掺杂半导体层包括：第一子掺杂半导体层至第n子掺杂半导体层，n为大于等于2的整数；第k 1子掺杂半导体层位于第k子掺杂半导体层背向所述半导体衬底层一侧表面，k为大于等于1且小于等于n～1的整数；所述第k 1子掺杂半导体层中的掺杂浓度大于所述第k子掺杂半导体层中的掺杂浓度；优选的，n等于3，所述第一掺杂半导体层包括：第一子掺杂半导体层、第二子掺杂半导体层和第三子掺杂半导体层；优选的，所述第二子掺杂半导体层中的掺杂浓度与所述第一子掺杂半导体层中的掺杂浓度的比值为1:45～1:5；所述第三子掺杂半导体层中的掺杂浓度与所述第二子掺杂半导体层中的掺杂浓度的比值为1:10～9:10；优选的，第一子掺杂半导体层中的掺杂浓度为2
×
10
18
atom/cm3～8
×
10
18
atom/cm3；所述第二子掺杂半导体层中的掺杂浓度为4
×
10
19
atom/cm3～9
×
10
19
atom/cm3；所述第三子掺杂半导体层中的掺杂浓度为1
×
10
20
atom/cm3～4
×
10
20
atom/cm3；优选的，所述第二子掺杂半导体层的厚度与所述第一子掺杂半导体层的厚度的比值为3:1～10:1；所述第二子掺杂半导体层的厚度与所述第三子掺杂半导体层的厚度的比值为3:1～6:1；优选的，所述第一子掺杂半导体层的厚度为1nm～3nm；所述第二子掺杂半导体层的厚度为10nm～15nm；所述第三子掺杂半导体层的厚度为2nm～4nm；优选的，所述第一掺杂半导体层的总厚度为10nm～20nm；所述第一掺杂半导体层的晶化率为20％～60％。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜包括第
一子透明导电膜至第m子透明导电膜，m为大于等于1的整数；第j子透明导电膜中掺杂有氢，j为大于等于1且小于等于m的整数；优选的，第j子透明导电膜的材料包括掺氢的氧化铟锡、掺氢的掺钨氧化铟、掺氢的掺铝氧化锌、掺氢的掺镓氧化锌或掺氢的掺硼氧化锌；优选的，第j子透明导电膜的氢的掺杂浓度为0.1％～0.5％；优选的，m为大于等于2的整数，第q 1子透明导电膜位于第q子透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧的表面，q为大于等于1且小于等于m～1的整数，第q子透明导电膜的锡的掺杂浓度大于第q 1子透明导电膜的锡的掺杂浓度。5.根据权利要求1至4任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背栅电极包括若干条主栅线和若干条自所述主栅线延伸出的副栅线；所述副栅线的密度为100条/166mm2～120条/166mm2；优选的，所述副栅线的宽度为25μm～35μm；相邻所述副栅线之间的间距为1.2mm～1.6mm；优选的，所述背栅电极的材料包括银。6.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底层；形成位于所述半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；所述第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和形成于所述第一透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；所述纳米线导电膜的横向电阻率大于所述第一透明导电膜的横向电阻率；形成位于所述第一透明导电复合膜背向所述半导体衬底层一侧表面的背栅电极。7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：形成第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层位于所述半导体衬底层和所述第一透明导电复合膜之间；所述形成所述第一掺杂半导体层的步骤包括：形成第一子掺杂半导体层至第n子掺杂半导体层，n为大于等于2的整数；第k 1子掺杂半导体层位于第k子掺杂半导体层背向所述半导体衬底层一侧表面，k为大于等于1且小于等于n～1的整数；所述第k 1子掺杂半导体层中的掺杂浓度大于所述第k子掺杂半导体层中的掺杂浓度；优选的，形成各子掺杂半导体层的步骤包括：形成掺杂b2h6的μc
‑
si:h层。8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一透明导电膜的步骤包括：形成第一子透明导电膜至第m子透明导电膜，m为大于等于1的整数；第j子透明导电膜中掺杂有氢，j为大于等于1且小于等于m的整数。9.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一透明导电膜的步骤包括：形成掺杂h2o的透明导电层；优选的，包括以下步骤：将待形成第一透明导电膜的异质结太阳能电池传输至pvd镀膜腔室中；通入水汽或氩气、或氩气与氧气的混合气体进行溅射，制备形成掺杂h的透明导电层。10.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述纳米线导电膜的步骤包括：将待形成纳米线导电膜的异质结太阳能电池输送至涂布平台；
在涂布平台进行混合有前驱体的金属浆料的涂布；将涂布后的异质结太阳能电池输送至加热炉进行加热处理，使涂布金属形成纳米线导电膜。

技术总结
本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和位于第一透明导电膜背向半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；位于第一透明导电复合膜背向半导体衬底层一侧表面的背栅电极。纳米线导电膜的横向电阻率大于第一透明导电膜的横向电阻率。本发明的异质结太阳能电池，采用透明导电复合膜，只需较少的背栅电极的数目，以减少银的消耗量且能够保持异质结太阳能电池具有良好的性能。有良好的性能。有良好的性能。


技术研发人员：龚道仁 辛科 周肃 王文静 徐晓华 李晨 程尚之 陈梦滢
受保护的技术使用者：安徽华晟新能源科技有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2021/11/2