隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法。


背景技术：

2.近几年由于技术与效率的进步，led应用越来越广。随着led应用的升级，市场对于led的需求朝向更大功率及更高亮度，即高功率led方向发展。对于实现高功率led，目前高压发光二极管的设计成为解决方案之一。
3.本技术的发明人在长期的研发过程中，发现目前高压发光二极管是通过将多个led单元串联或串并联结合的方式来实现，所用的led单元为分立器件，或者，通过单片集成的方式在同一衬底上制作相互分离的led单元。对于单片集成方案，为了实现gan基led单元之间的隔离，需在gan层深蚀刻出沟道以分隔各个led单元的外延结构，而串联各个led单元的金属连接线需要穿越沟道，为了保证串联时的金属连接线不发生断裂，蚀刻角度一般都会控制在50
°
以下，这就导致各led单元的有源层蚀刻面积过大，利用率低，同时，被蚀刻的表面有大量的非辐射复合中心严重制约其光学性能的提高。


技术实现要素：

4.本技术提供一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法、高压发光器件及其制造方法，以解决现有技术中存在的技术问题。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种用于高压发光器件的隔离结构的制备方法，包括：在衬底上形成线条型绝缘层；以线条型绝缘层为掩膜，对衬底进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙以及n
‑
1个沟槽，得到隔离结构，其中，相邻两个沟槽由线条型隔离墙隔开。
6.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种高压发光器件的制造方法，包括：提供一隔离结构，隔离结构由前述的方法制备得到；在n
‑
1个沟槽上分别生长n
‑
1个发光外延层，其中，发光外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，发光外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有台面结构，且使靠近线条型隔离墙一侧的第一半导体层的部分上表面露出；形成n
‑
1个绝缘介质层，其中，第1个绝缘介质层覆盖第1个第二半导体背离衬底一侧的局部区域，第i个绝缘介质层覆盖第i个第二半导体背离衬底一侧的局部区域、相邻两个发光外延层之间的第i个线条型隔离墙、以及靠近第i个线条型隔离墙一侧的第i
‑
1个第一半导体层的局部上表面；形成n
‑
1个电流扩散层，其中，第1个电流扩散层覆盖第1个绝缘介质层背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层覆盖第i个绝缘介质层背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底一侧的局部区域；形成n
‑
2个互联金属层，其中，第i
‑
1个互联电极层覆盖第i
‑
1个第一半导体层的局部上表面、第i个绝缘介质层以及第i个电流扩散层背离绝缘介质层的一侧，以使由线条型隔离墙隔开的相邻两个发光外延层彼此电性串联；在第1个电流扩散层背离绝缘介质层
的一侧形成第一导电类型电极，在第n个第一半导体层的局部上表面形成第二导电类型电极，得到高压发光器件；其中，2≤i≤n
‑
1，且i、n均为整数。
7.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种一种高压发光器件，包括：衬底，衬底的一侧设有n个线条型隔离墙以及n
‑
1个沟槽，其中，相邻两个沟槽由线条型隔离墙隔开；发光外延层，包括依次层叠在沟槽的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中，发光外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有台面结构，且露出靠近线条型隔离墙一侧的第一半导体层的部分上表面；n
‑
1个绝缘介质层，其中，第1个绝缘介质层覆盖第1个第二半导体背离衬底一侧的局部区域，第i个绝缘介质层覆盖第i个第二半导体背离衬底一侧的局部区域、相邻两个发光外延层之间的第i个线条型隔离墙、以及靠近第i个线条型隔离墙一侧的第i
‑
1个第一半导体层的局部上表面；n
‑
1个电流扩散层，其中，第1个电流扩散层覆盖第1个绝缘介质层背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层覆盖第i个绝缘介质层背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底一侧的局部区域；n
‑
2个互联金属层，其中，第i
‑
1个互联电极层覆盖第i
‑
1个第一半导体层的局部上表面、第i个绝缘介质层以及第i个电流扩散层背离绝缘介质层的一侧，以使由线条型隔离墙隔开的相邻两个发光外延层彼此电性串联；第一导电类型电极，形成在第n个所述第一半导体层的局部上表面；第二导电类型电极，形成在第1个所述电流扩散层背离所述绝缘介质层的一侧；其中，2≤i≤n
‑
1，且i、n均为整数。
8.区别于现有技术的情况，本技术具有以下有益效果：
9.(1)取消gan层深蚀刻，减少被蚀刻表面的非辐射复合中心，提升发光效率；
10.(2)通过衬底上的线条型隔离墙隔离各发光外延层，避免因蚀刻有源层造成有源层面积损失，提升有源层的利用率；
11.(3)隔离结构的沟槽深度与发光外延层的厚度相等，避免了串联各个发光外延层的金属连接线需穿越沟槽而发生断裂，同时可减小互联金属层的长度；
12.(4)线条型隔离墙的宽度为3～8μm，相邻两个发光外延层之间的间距大幅减小，可将有源层的面积提升5～10％；
13.(5)沟槽的尺寸可调，进而可以在平行于线条型隔离墙的方向上调整发光外延层的宽度尺寸以满足规定电压下不同亮度的需求，同时，可以在垂直于线条型隔离墙方向上串联不同数目的发光外延层以满足不同的电压需求。
附图说明
14.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
15.图1为本技术用于高压发光器件的隔离结构一实施例结构示意图；
16.图2为本技术用于高压发光器件的隔离结构另一实施例结构示意图；
17.图3为本技术高压发光器件一实施例的结构示意图；
18.图4为本技术高压发光器件一实施例的俯视结构示意图；
19.图5为本技术高压发光器件的制造方法一实施例的流程示意图；
20.图6为本技术高压发光器件另一实施例的结构示意图；
21.图7为本技术高压发光器件的制造方法另一实施例的流程示意图。
具体实施方式
22.下面便结合附图对本技术若干具体实施例作进一步的详细说明。但以下关于实施例的描述及说明对本技术保护范围不构成任何限制。
23.应当理解，本技术所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而不是旨在限制本技术。进一步理解，当在本技术中使用术语“包含”、"包括"时，用于表明陈述的特征、整体、步骤、组件、和/或封装件的存在，而不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、组件、封装件、和/或它们的组合的存在或增加或删减。
24.除另有定义之外，本技术所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本技术所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。应进一步理解，本技术所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来理解，除本技术中明确如此定义之外。
25.实施例1
26.本实施例提供一种用于高压发光器件10的隔离结构11及其制备方法，该隔离结构11的结构如图1所示，具体包括：衬底100以及位于衬底100一侧的线条型绝缘层200，其中，衬底100的一侧设有n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，其中，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开。
27.其中，衬底100可以为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、金刚石衬底、氮化铝衬底、氮化镓同质衬底，优选为蓝宝石衬底。
28.线条型绝缘层200的材料可以为二氧化硅或氮化硅，线条型绝缘层200的厚度可以为0.5～2μm，线条型绝缘层200的宽度可以为3～8μm。
29.该用于高压发光器件10的隔离结构11的制备方法包括以下步骤：
30.s101：提供一衬底100。
31.s102：在衬底100上形成线条型绝缘层200。
32.具体而言，通过电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底100上形成线条型绝缘层200。该线条型绝缘层200的材料可以为二氧化硅或氮化硅，线条型绝缘层200的厚度h1可以为0.5～2μm，线条型绝缘层200的宽度d1可以为3～8μm。
33.s103：以线条型绝缘层200为掩膜，对衬底100进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，得到隔离结构11，其中，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开。
34.具体而言，以线条型绝缘层200为掩膜，对衬底100进行电感耦合等离子体蚀刻，以形成n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，层叠的线条型绝缘层200与部分衬底100组成线条型隔离墙101。其中，形成的沟槽102的深度h2为3～5μm，形成的线条型隔离墙101的宽度d2为3～8μm。
35.实施例2
36.本实施例提供一种用于高压发光器件10的隔离结构11及其制备方法，该隔离结构11的结构如图2所示，具体包括：衬底100以及位于衬底100一侧的线条型绝缘层200，其中，衬底100的一侧设有n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，其中，相邻两个沟槽102由线
条型隔离墙101隔开。
37.其中，衬底100可以为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、金刚石衬底、氮化铝衬底、氮化镓同质衬底。
38.线条型绝缘层200的材料可以为二氧化硅或氮化硅，线条型绝缘层200的厚度可以为0.5～2μm，线条型绝缘层200的宽度可以为3～8μm。
39.该用于高压发光器件10的隔离结构11的制备方法包括以下步骤：
40.s201：提供一衬底100。
41.s202：在衬底100上形成线条型绝缘层200。
42.具体而言，通过电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底100上形成线条型绝缘层200。该线条型绝缘层200的材料可以为二氧化硅或氮化硅，线条型绝缘层200的厚度可以为0.5～2μm，线条型绝缘层200的宽度可以为3～8μm。
43.s203：以线条型绝缘层200为掩膜，对衬底100进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，得到隔离结构11，其中，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开。
44.具体而言，以线条型绝缘层200为掩膜，对衬底100进行电感耦合等离子体蚀刻，以形成n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102其中，形成的沟槽102的深度为3～5μm，形成的线条型隔离墙101的宽度为3～8μm。
45.s204：去除线条型绝缘层200，使线条型隔离墙101处的衬底100上表面露出。
46.实施例3
47.本实施例提供一种高压发光器件10及其制备方法，该高压发光器件10的结构如图3～4所示，具体包括：衬底100、线条型绝缘层200、发光外延层300、n
‑
1个绝缘介质层400、n
‑
1个电流扩散层500、n
‑
2个互联金属层600、第一导电类型电极700以及第二导电类型电极800。
48.衬底100的一侧设有n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开，层叠设置的线条型绝缘层200与部分衬底100组成线条型隔离墙101。
49.发光外延层300包括依次层叠在沟槽102的第一半导体层301、有源层302以及第二半导体层303，其中，发光外延层300在第一半导体层301朝向第二半导体层303一侧形成有台面结构，且露出靠近线条型隔离墙101一侧的第一半导体层301的部分上表面。其中，发光外延层300的厚度可以等于沟槽102的深度。
50.第一半导体层301为n型半导体层(例如n型gan)，对应的第一导电类型电极700也称为n型电极。第二半导体层303为p型半导体层(例如p型gan)，对应的第二电极也称为p型电极。在其他实施例中，第一半导体层301和第二半导体层303可以是具有不同导电类型的其他任意适当材料的单层或多层结构。
51.其中，第1个绝缘介质层400覆盖第1个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域，第i个绝缘介质层400覆盖第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域、相邻两个发光外延层300之间的第i个线条型隔离墙101、以及靠近第i个线条型隔离墙101一侧的第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面。
52.绝缘介质层400的材料可以为二氧化硅或氮化硅，绝缘介质层400的厚度为80～400nm，该绝缘介质层400具有高的致密性和绝缘性，能够防止第一导电类型电极700与第二
导电类型电极800之间产生漏电。
53.其中，第1个电流扩散层500覆盖第1个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层500覆盖第i个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域。
54.电流扩散层500的材料可以为铟锡氧化物(ito)、氧化锌(zno)等透明导电氧化物。
55.其中，第i
‑
1个互联电极层覆盖第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面、第i个绝缘介质层400以及第i个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧，以使由线条型隔离墙101隔开的相邻两个发光外延层300彼此电性串联。
56.第一导电类型电极700形成在第n个第一半导体层301的局部上表面，第一导电类型电极700通过直接接触与第一半导体层301电连。第二导电类型电极800形成在第1个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧，第二导电类型电极800电连接电流扩散层500，并通过该电流扩散层500与第二半导体层303电连接。第一导电类型电极700和第二导电类型电极800的形状不限，可根据实际需要进行选择。第一导电类型电极700、第二导电类型电均由导电材料组成，其材料为铝、铜、钨、钼、铬、金、钛、银、镍、钯或其任意组合，第一导电类型电极700、第二导电类型电至少为一层结构。
57.如图5所示，该用于高压发光器件10的制备方法包括以下步骤：
58.s301：提供一衬底100。
59.s302：在衬底100上形成线条型绝缘层200。
60.具体而言，通过电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底100上形成线条型绝缘层200。该线条型绝缘层200的材料可以为二氧化硅或氮化硅，线条型绝缘层200的厚度可以为0.5～2μm，线条型绝缘层200的宽度可以为3～8μm。
61.s303：以线条型绝缘层200为掩膜，对衬底100进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，得到隔离结构11，其中，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开。
62.s304：在n
‑
1个沟槽102上分别生长n
‑
1个发光外延层300。
63.具体而言，按照常规金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺在衬底100的沟槽102处依次生长第一半导体层301、有源层302以及第二半导体层303，形成发光外延层300，相邻两个发光外延层300由线条型隔离墙101隔开。
64.s305：在第一半导体层301朝向第二半导体层303一侧形成台面结构，且使靠近线条型隔离墙101一侧的第一半导体层301的部分上表面露出。
65.具体而言，清洗发光外延层300后，采用涂光刻胶、曝光、显影，暴露出靠近线条型隔离墙101一侧的部分发光外延层300区域，蚀刻掉该部分发光外延层300区域处的第二半导体层303以及有源层302，以使第一半导体层301的部分上表面露出；同时，对相邻两个发光外延层300之间的线条型隔离墙101的上表面进行蚀刻，以去除步骤s304外延生长过程中可能堆积的沉积物。
66.s306：形成n
‑
1个绝缘介质层400。
67.具体而言，去除发光外延层300表面的光刻胶，清洗发光外延层300后，得到基片。在基片背离衬底100的一侧主表面采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积一层绝缘介质层400，该绝缘介质层400的材料可以为二氧化硅或氮化硅，该绝缘介质层400的厚度为80～400nm。
68.该绝缘介质层400具有较高的致密性和绝缘性，能够防止后续制备的第一导电类型电极700与第二导电类型电极800之间产生漏电。
69.采用涂光刻胶、曝光、显影，暴露出待蚀刻的部分绝缘介质层400，蚀刻掉部分绝缘介质层400，得到n
‑
1个绝缘介质层400。其中，第1个绝缘介质层400覆盖第1个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域，第i个绝缘介质层400覆盖第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域、相邻两个发光外延层300之间的第i个线条型隔离墙101、以及靠近第i个线条型隔离墙101一侧的第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面。
70.其中，覆盖第二半导体背离衬底100一侧局部区域的绝缘介质层400可作为电流阻挡层；覆盖相邻两个发光外延层300之间的线条型隔离墙101以及靠近线条型隔离墙101一侧的第一半导体层301的局部上表面的绝缘介质层400用于绝缘后续的互联电极层与第二半导体层303，防止短路。
71.s307：形成n
‑
1个电流扩散层500。
72.具体而言，在基片背离衬底100的一侧主表面采用电子束蒸镀或是溅射工艺制备一层电流扩散层500。电流扩散层500的材料可以为铟锡氧化物(ito)、氧化锌(zno)等透明导电氧化物。
73.采用涂光刻胶、曝光、显影，暴露出待蚀刻的部分电流扩散层500，蚀刻掉部分电流扩散层500，得到n
‑
1个电流扩散层500。其中，第1个电流扩散层500覆盖第1个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层500覆盖第i个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域。
74.进一步地，电流扩散层500去胶后，放入氮气环境中高温退火处理，减小电流扩散层500与第二半导体层303之间的接触电阻。
75.s308：形成n
‑
2个互联金属层600。
76.采用电子束蒸发设备沉积互联金属层600。其中，第i
‑
1个互联电极层覆盖第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面、第i个绝缘介质层400以及第i个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧，以使由线条型隔离墙101隔开的相邻两个发光外延层300彼此电性串联；
77.s309：在第1个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧形成第二导电类型电极800，在第n个第一半导体层301的局部上表面形成第一导电类型电极700，得到高压发光器件10。
78.采用电子束蒸发设备沉积第一导电类型电极700和第二导电类型电极800。
79.s310：在高压发光器件10背离衬底100的一侧形成钝化层900。
80.具体而言，在高压发光器件10背离衬底100的一侧采用等离子体增强化学气相沉积工艺一层钝化层900。该钝化层900的材料可以为二氧化硅，该钝化层900的厚度为80nm～200nm。
81.s311：对钝化层900进行蚀刻，以使第一导电类型电极700背离衬底100一侧的局部区域、第二导电类型电极800背离衬底100一侧的局部区域以及第n个线条型隔离墙101背离衬底100的一侧露出。
82.实施例4
83.本实施例提供一种高压发光器件10及其制备方法，该高压发光器件10的结构如图6所示，具体包括：衬底100、发光外延层300、n
‑
1个绝缘介质层400、n
‑
1个电流扩散层500、n
‑
2个互联金属层600、第一导电类型电极700以及第二导电类型电极800。
84.衬底100的一侧设有n个线条型隔离墙101以及n
‑
1个沟槽102，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开。
85.发光外延层300包括依次层叠在沟槽102的第一半导体层301、有源层302以及第二半导体层303，其中，发光外延层300在第一半导体层301朝向第二半导体层303一侧形成有台面结构，且露出靠近线条型隔离墙101一侧的第一半导体层301的部分上表面。其中，发光外延层300的厚度可以等于沟槽102的深度。
86.第一半导体层301为n型半导体层(例如n型gan)，对应的第一导电类型电极700也称为n型电极。第二半导体层303为p型半导体层(例如p型gan)，对应的第二电极也称为p型电极。在其他实施例中，第一半导体层301和第二半导体层303可以是具有不同导电类型的其他任意适当材料的单层或多层结构。
87.其中，第1个绝缘介质层400覆盖第1个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域，第i个绝缘介质层400覆盖第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域、相邻两个发光外延层300之间的第i个线条型隔离墙101、以及靠近第i个线条型隔离墙101一侧的第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面。
88.绝缘介质层400的材料可以为二氧化硅或氮化硅，绝缘介质层400的厚度为80～400nm，该绝缘介质层400具有高的致密性和绝缘性，能够防止第一导电类型电极700与第二导电类型电极800之间产生漏电。
89.其中，第1个电流扩散层500覆盖第1个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层500覆盖第i个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域。
90.电流扩散层500的材料可以为铟锡氧化物(ito)、氧化锌(zno)等透明导电氧化物。
91.其中，第i
‑
1个互联电极层覆盖第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面、第i个绝缘介质层400以及第i个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧，以使由线条型隔离墙101隔开的相邻两个发光外延层300彼此电性串联。
92.第一导电类型电极700形成在第n个第一半导体层301的局部上表面，第一导电类型电极700通过直接接触与第一半导体层301电连。第二导电类型电极800形成在第1个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧，第二导电类型电极800电连接电流扩散层500，并通过该电流扩散层500与第二半导体层303电连接。第一导电类型电极700和第二导电类型电极800的形状不限，可根据实际需要进行选择。第一导电类型电极700、第二导电类型电均由导电材料组成，其材料为铝、铜、钨、钼、铬、金、钛、银、镍、钯或其任意组合，第一导电类型电极700、第二导电类型电至少为一层结构。
93.如图7所示，该用于高压发光器件10的制备方法包括以下步骤：
94.s401：提供一衬底100。
95.s402：在衬底100上形成线条型绝缘层200。
96.具体而言，通过电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底100上形成线条型绝缘层200。该线条型绝缘层200的材料可以为二氧化硅或氮化硅，线条型绝缘层200的厚度可以为0.5～2μm，线条型绝缘层200的宽度可以为3～8μm。
97.s403：以线条型绝缘层200为掩膜，对衬底100进行蚀刻，以形成n个线条型隔离墙
101以及n
‑
1个沟槽102，其中，相邻两个沟槽102由线条型隔离墙101隔开。
98.s404：在n
‑
1个沟槽102上分别生长n
‑
1个发光外延层300。
99.具体而言，按照常规金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺在衬底100的沟槽102处依次生长第一半导体层301、有源层302以及第二半导体层303，形成发光外延层300，相邻两个发光外延层300由线条型隔离墙101隔开。
100.s405：去除线条型绝缘层200，得到隔离结构11。
101.本步骤可有效防止线条型绝缘层200上的残留有氮化物而导致相邻发光二极管单元之间的短路。
102.s406：在第一半导体层301朝向第二半导体层303一侧形成台面结构，且使靠近线条型隔离墙101一侧的第一半导体层301的部分上表面露出。
103.具体而言，清洗发光外延层300后，采用涂光刻胶、曝光、显影，暴露出靠近线条型隔离墙101一侧的部分发光外延层300区域，蚀刻掉该部分发光外延层300区域处的第二半导体层303以及有源层302，以使第一半导体层301的部分上表面露出；同时，对相邻两个发光外延层300之间的线条型隔离墙101的上表面进行蚀刻，以去除步骤s404外延生长过程中可能堆积的沉积物。
104.s407：形成n
‑
1个绝缘介质层400。
105.具体而言，去除发光外延层300表面的光刻胶，清洗发光外延层300后，得到基片。在基片背离衬底100的一侧主表面采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积一层绝缘介质层400，该绝缘介质层400的材料可以为二氧化硅或氮化硅，该绝缘介质层400的厚度为80～400nm。
106.该绝缘介质层400具有较高的致密性和绝缘性，能够防止后续制备的第一导电类型电极700与第二导电类型电极800之间产生漏电。
107.采用涂光刻胶、曝光、显影，暴露出待蚀刻的部分绝缘介质层400，蚀刻掉部分绝缘介质层400，得到n
‑
1个绝缘介质层400。其中，第1个绝缘介质层400覆盖第1个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域，第i个绝缘介质层400覆盖第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域、相邻两个发光外延层300之间的第i个线条型隔离墙101、以及靠近第i个线条型隔离墙101一侧的第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面。
108.其中，覆盖第二半导体背离衬底100一侧局部区域的绝缘介质层400可作为电流阻挡层；覆盖相邻两个发光外延层300之间的线条型隔离墙101以及靠近线条型隔离墙101一侧的第一半导体层301的局部上表面的绝缘介质层400用于绝缘后续的互联电极层与第二半导体层303，防止短路。
109.s408：形成n
‑
1个电流扩散层500。
110.具体而言，在基片背离衬底100的一侧主表面采用电子束蒸镀或是溅射工艺制备一层电流扩散层500。电流扩散层500的材料可以为铟锡氧化物(ito)、氧化锌(zno)等透明导电氧化物。
111.采用涂光刻胶、曝光、显影，暴露出待蚀刻的部分电流扩散层500，蚀刻掉部分电流扩散层500，得到n
‑
1个电流扩散层500。其中，第1个电流扩散层500覆盖第1个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧，第i个电流扩散层500覆盖第i个绝缘介质层400背离第二半导体的一侧以及第i个第二半导体背离衬底100一侧的局部区域。
112.进一步地，电流扩散层500去胶后，放入氮气环境中高温退火处理，减小电流扩散层500与第二半导体层303之间的接触电阻。
113.s409：形成n
‑
2个互联金属层600。
114.采用电子束蒸发设备沉积互联金属层600。其中，第i
‑
1个互联电极层覆盖第i
‑
1个第一半导体层301的局部上表面、第i个绝缘介质层400以及第i个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧，以使由线条型隔离墙101隔开的相邻两个发光外延层300彼此电性串联；
115.s410：在第1个电流扩散层500背离绝缘介质层400的一侧形成第二导电类型电极800，在第n个第一半导体层301的局部上表面形成第一导电类型电极700，得到高压发光器件10。
116.采用电子束蒸发设备沉积第一导电类型电极700和第二导电类型电极800。
117.s411：在高压发光器件10背离衬底100的一侧形成钝化层900。
118.具体而言，在高压发光器件10背离衬底100的一侧采用等离子体增强化学气相沉积工艺一层钝化层900。该钝化层900的材料可以为二氧化硅，该钝化层900的厚度为80nm～200nm。
119.s412：对钝化层900进行蚀刻，以使第一导电类型电极700背离衬底100一侧的局部区域、第二导电类型电极800背离衬底100一侧的局部区域以及第n个线条型隔离墙101背离衬底100的一侧露出。
120.上述实施例中，蚀刻工艺可通过干法蚀刻工艺或者湿法蚀刻工艺来实施。
121.上述实施例中，2≤i≤n
‑
1，且i、n均为整数。
122.上述实施例中，各个线条型隔离墙101的宽度可以相等且等间距排列。
123.上述实施例中，沟槽102的深度与发光外延层300的厚度相等。
124.上述实施例中，可以在平行于线条型隔离墙101的方向上调整发光外延层300的宽度尺寸以满足规定电压下不同亮度的需求，同时，可以在垂直于线条型隔离墙101方向上串联不同数目的发光外延层300以满足不同的电压需求。
125.区别于现有技术的情况，本技术具有以下有益效果：
126.(1)取消gan层深蚀刻，减少被蚀刻表面的非辐射复合中心，提升发光效率；
127.(2)通过衬底100上的线条型隔离墙101隔离各发光外延层300，避免因蚀刻有源层302造成有源层302面积损失，提升有源层302的利用率；
128.(3)隔离结构11的沟槽102深度与发光外延层300的厚度相等，避免了串联各个发光外延层300的金属连接线需穿越沟槽102而发生断裂，同时可减小互联金属层600的长度；
129.(4)线条型隔离墙101的宽度为3～8μm，相邻两个发光外延层300之间的间距大幅减小，可将有源层302的面积提升5～10％；
130.(5)沟槽102的尺寸可调，进而可以在平行于线条型隔离墙101的方向上调整发光外延层300的宽度尺寸以满足规定电压下不同亮度的需求，同时，可以在垂直于线条型隔离墙101方向上串联不同数目的发光外延层300以满足不同的电压需求。
131.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。