微型发光二极管面板及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种微型发光二极管面板，其特征在于，包括：电路基板，包括：多条信号线，由层叠的多个金属导电层构成并定义出多个像素区；多个接合垫，延伸自所述多条信号线的至少一部分；以及多个薄膜晶体管，形成于所述电路基板上，每一所述多个薄膜晶体管具有第一半导体图案以及由所述多个金属导电层构成的多个电极，所述多个电极电性连接所述多个接合垫的至少一部分；多个晶体管元件，电性接合至所述多个接合垫的一部分，并且与所述多个薄膜晶体管电性连接；以及多个微型发光二极管，电性接合至所述多个接合垫的另一部分，并且与所述多个薄膜晶体管电性连接，其中每一所述多个像素区设置有至少一所述薄膜晶体管、至少一所述晶体管元件与至少一所述微型发光二极管，每一所述多个晶体管元件具有第二半导体图案，且第一半导体图案与第二半导体图案的电子迁移率差值大于30cm2/v
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s。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，还包括：多个焊料凸块，其中所述多个晶体管元件与所述多个微型发光二极管经由所述多个焊料凸块与所述电路基板电性接合。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管的所述多个电极包括源极、漏极和栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第一半导体图案，所述多条信号线包括多条扫描线和多条数据线，所述源极、所述漏极与所述多条数据线为同一膜层，且所述栅极与所述多条扫描线为同一膜层。4.根据权利要求3所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管的所述第一半导体图案的电子迁移率小于等于20cm2/v
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s。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个晶体管元件还具有源极、漏极以及栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第二半导体图案，其中所述源极、所述漏极与所述栅极位于所述第二半导体图案与所述电路基板之间，且每一所述多个晶体管元件的所述第二半导体图案的电子迁移率大于50cm2/v
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s。6.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，所述电路基板具有多个像素电路，设置在所述多条信号线之间，每一所述多个像素电路包括：驱动单元，用以在发光阶段控制流经所述多个微型发光二极管的其中一者的驱动电流；以及发光控制单元，用以在所述发光阶段将来自所述驱动单元的所述驱动电流传导至所述多个微型发光二极管的所述其中一者，其中所述发光控制单元设有所述薄膜晶体管的第一薄膜晶体管，且所述驱动单元设有所述多个晶体管元件的第一晶体管元件。7.根据权利要求6所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个像素电路还包括重置单元，用以在重置阶段初始化所述驱动单元的存储电容器连接所述重置单元的第一端的电压，所述驱动单元耦接于所述重置单元与所述发光控制单元之间，且所述重置单元设有所述多个晶体管元件的第二晶体管元件。8.根据权利要求7所述的微型发光二极管面板，其特征在于，每一所述多个像素电路还包括补偿单元，耦接于所述发光控制单元与所述驱动单元之间，所述补偿单元用以在所述
发光阶段调整流经所述多个微型发光二极管的所述其中一者的所述驱动电流，且设有所述多个薄膜晶体管的第二薄膜晶体管。9.根据权利要求8所述的微型发光二极管面板，其特征在于，所述补偿单元还设有补偿电容器，连接所述第二薄膜晶体管的控制端与所述第二薄膜晶体管连接所述重置单元的一端。10.根据权利要求1所述的微型发光二极管面板，其特征在于，所述多个晶体管元件的至少一者与所述多个微型发光二极管的其中一者设置在半导体基板上，且所述多个晶体管元件的所述至少一者与所述多个微型发光二极管的所述其中一者位于所述半导体基板与所述电路基板之间。11.一种微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括：于第一基板上制作多条信号线、多个薄膜晶体管与多个接合垫，以形成具有多个像素电路的电路基板，其中所述多个薄膜晶体管电性连接所述多个接合垫的至少一部分，所述多个接合垫电性连接所述多条信号线的至少一部分；于第二基板上形成多个微型发光二极管；于第三基板或所述第二基板上形成多个晶体管元件，其中每一所述多个薄膜晶体管具有第一半导体图案，每一所述多个晶体管元件具有第二半导体图案，且所述第一半导体图案与所述第二半导体图案的电子迁移率差值大于30cm2/v
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s；将所述第二基板上的所述多个微型发光二极管转移并接合至所述多个接合垫的一部分，以电性连接所述电路基板的所述多个薄膜晶体管；以及将所述第三基板或所述第二基板上的所述多个晶体管元件转移并接合至所述多个接合垫的另一部分，以电性连接所述电路基板的所述多个薄膜晶体管。12.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述第二基板为磊晶基板。13.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述第三基板为晶圆基板。14.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个像素电路包括：驱动单元，用以在发光阶段控制流经所述多个微型发光二极管的其中一者的驱动电流；以及发光控制单元，用以在所述发光阶段将来自所述驱动单元的所述驱动电流传导至所述多个微型发光二极管的所述其中一者，其中所述多个晶体管元件的转移接合步骤包括将多个第一晶体管元件分别转移并接合至每一所述多个像素电路的所述驱动单元。15.根据权利要求14所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述多个晶体管元件的所述转移接合步骤还包括将多个第二晶体管元件分别转移并接合至每一所述多个像素电路的重置单元，其中所述重置单元用以在重置阶段初始化所述驱动单元的存储电容器连接所述重置单元的第一端的电压，所述驱动单元耦接于所述重置单元与所述发光控制单元之间。16.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，还包括：于所述第二基板上形成半导体基板，其中所述多个晶体管元件与所述多个微型发光二
极管形成于所述半导体基板内，且所述多个晶体管元件与所述多个微型发光二极管的转移接合步骤包括所述半导体基板的转移。17.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管还具有源极、漏极和栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第一半导体图案，所述多条信号线包括多条扫描线和多条数据线，所述源极、所述漏极与所述多条数据线为同一膜层，且所述栅极与所述多条扫描线为同一膜层。18.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管的所述第一半导体图案的电子迁移率小于等于20cm2/v
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s。19.根据权利要求11所述的微型发光二极管面板的制造方法，其特征在于，每一所述多个晶体管元件还具有源极、漏极和栅极，所述源极与所述漏极电性连接所述第二半导体图案，其中所述源极、所述漏极与所述栅极位于所述第二半导体图案与所述电路基板之间，且所述第二半导体图案的电子迁移率大于50cm2/v
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技术总结
本发明提供一种微型发光二极管面板，其包括电路基板、多个晶体管元件和多个微型发光二极管。电路基板包括多条信号线、多个接合垫与多个薄膜晶体管。这些接合垫延伸自这些信号线的至少一部分。这些晶体管元件电性接合至这些接合垫的一部分，并且与这些薄膜晶体管电性连接。这些微型发光二极管电性接合至这些接合垫的另一部分，并且与这些薄膜晶体管电性连接。每一个薄膜晶体管具有第一半导体图案。每一个晶体管元件具有第二半导体图案，且第一半导体图案与第二半导体图案的电子迁移率差值大于30cm2/V


技术研发人员：廖冠咏 李允立 吴志凌
受保护的技术使用者：錼创显示科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2021/11/2