IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法与流程

技术特征：
1.一种集成电路封装件，所述集成电路封装件包括：第一管芯，包括正面和背面，所述正面包括第一信号路由结构，所述背面包括第一配电结构；第二管芯，包括正面和背面，所述正面包括第二信号路由结构，所述背面包括第二配电结构；以及第三配电结构，位于所述第一配电结构和所述第二配电结构之间，并且电连接至所述第一配电结构和所述第二配电结构中的每一个。2.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：第三管芯，包括正面和背面，所述正面包括电连接至所述第一信号路由结构的第三信号路由结构，所述背面包括第四配电结构；第四管芯，包括正面和背面，所述正面包括第四信号路由结构，所述背面包括第五配电结构；以及第六配电结构，位于所述第四配电结构和所述第五配电结构之间，并且电连接至所述第四配电结构和所述第五配电结构中的每一个。3.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：第三管芯，包括正面和背面，所述正面包括第三信号路由结构，所述背面包括电连接至所述第三配电结构的第四配电结构。4.根据权利要求3所述的集成电路封装件，还包括：第一衬底，电连接至所述第一信号路由结构和所述第三信号路由结构中的每一个。5.根据权利要求4所述的集成电路封装件，还包括：第二衬底，电连接至所述第二信号路由结构。6.根据权利要求5所述的集成电路封装件，还包括：多个通孔结构，电连接至所述第一衬底和所述第二衬底中的每一个，其中，所述多个通孔结构延伸穿过所述第三配电结构，并且与所述第三配电结构电隔离。7.根据权利要求5所述的集成电路封装件，还包括：第四管芯，电连接至所述第二衬底，其中，所述第二衬底位于所述第二管芯和所述第四管芯之间。8.根据权利要求5所述的集成电路封装件，还包括：通孔结构，电连接至所述第三配电结构和所述第二衬底。9.一种形成集成电路封装件的方法，所述方法包括：将第一配电结构构造在包括在所述集成电路封装件中的第一管芯上，从而将所述第一配电结构电连接至位于所述第一管芯的背面上的第二配电结构；以及将第三配电结构接合至所述第一配电结构，所述第三配电结构位于第二管芯的背面上。10.一种在集成电路封装件中分配电源的方法，所述方法包括：在所述ic封装件中的第一配电结构处接收电源电压；在第二配电结构处从所述第一配电结构接收所述电源电压，所述第二配电结构位于所述集成电路封装件中的第一管芯的背面上；以及在第三配电结构处从所述第一配电结构接收所述电源电压，所述第三配电结构位于所述集成电路封装件中的第二管芯的背面上。

技术总结
一种IC封装件，包括：第一管芯，包括正面和背面，正面包括第一信号路由结构，背面包括第一配电结构；第二管芯，包括正面和背面，正面包括第二信号路由结构，背面包括第二配电结构。IC封装件包括第三配电结构，位于第一配电结构和第二配电结构之间，并且电连接至第一配电结构和第二配电结构中的每一个。本申请的实施例提供了IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法。中分配电源的方法。中分配电源的方法。


技术研发人员：彭士玮 邱德馨 曾健庭
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.04.29
技术公布日：2021/11/2