一种60μm划片槽的对位标记设计方法与流程

技术特征：
1.一种60μm划片槽的对位标记设计方法，其特征在于，在光刻版的60μm划片槽上形成标记图形，然后经光刻刻蚀工艺将光刻版上的标记图形转移到覆盖有光刻胶的圆片上，将圆片上的对位标记用于下一层次的对位，对位标记包括search对位标记、ega的lsa对位标记和ega的fia对位标记。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，search对位标记包括110和120，110为y
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t search对位标记，120为x search对位标记。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，search对位标记为3根平行排布的长条，每根长条包括若干dot，dot为4μm*4μm的正方形块。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，若干dot之间的间距为4μm，3根长条的间距分别为14μm和20μm，间距为两个图形中心点之间的距离。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，ega的lsa对位标记包括130和140，130为y ega lsa对位标记，140为x ega lsa对位标记。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，ega对位标记的lsa对位标记为7根平行排布的长条，每根长条包括5个dot，dot为4μm*4μm的正方形块。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，5个dot之间的间距为4μm，7根长条的间距均为20um。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，ega的fia对位标记包括150和160，150为y ega lsa对位标记，160为x ega lsa对位标记。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，ega的fia对位标记为9根长条，每根长条的长为50um，宽为6μm，长条之间的间距为12μm。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光刻版为石英材质光刻版。

技术总结
本发明公开了一种60um划片槽的对位标记设计方法，在光刻版的60μm划片槽上形成标记图形，然后采用光刻刻蚀工艺将光刻版上的标记图形转移到覆盖有光刻胶的圆片上，将圆片上的对位标记用于下一层次的对位，对位标记包括Search对位标记、EGA的LSA对位标记和EGA的FIA对位标记。本发明解决目前圆片工艺流程中划片槽占用面积过多而引发的面积浪费问题，减小了通用对位标记所占用的划片槽宽度，有效提高芯片占比，降低芯片成本，实现圆片面积利用的最大化。大化。


技术研发人员：安静 宁磊 胡晓洲 杨森虎 高敏 邓佩蓉 张晶
受保护的技术使用者：西安卫光科技有限公司
技术研发日：2021.04.13
技术公布日：2021/10/18