电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料，以及使用该树脂材料的电子设备及电子器件，将聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的方法与流程

本发明涉及一种以特定的双酚化合物作为原料而得的适合用于电子设备及其中所使用的电子器件的材料的聚芳醚砜树脂材料，以及使用该树脂材料的电子设备及其中所使用的电子器件。本发明还涉及一种将使用特定的双酚化合物作为原料而得的聚芳醚砜，用作电子设备及其中所使用的电子器件的材料的方法。

背景技术：

1、聚芳醚砜（paes）树脂为具有耐热性、尺寸稳定性、机械特性、阻燃性等特征的热塑性塑料，作为超级工程塑料的1种被熟知。因此，paes树脂在继电器部件，线圈骨架，开关等电气电子领域中，在复印机或打印机的各种部件等oa、av部件上，在飞机的机内食用托盘等耐热餐具，在牙科用器具等医疗领域中，已分别作为原材料使用。这些用途中的paes的应用具有进一步高性能化，特殊化的倾向，也被要求经进一步提高的耐热性。

2、近年来，在无线互联网设备或通信设备中，随着流动电信号传输速度的极高速化、高频化的发展，对这些设备所具有的金属布线进行绝缘的绝缘部也要求应对高频化。特别是厘米波（shf：super high frequency）、毫米波（ehf：extremelyhighfrequency）等更高频段的电波，被用于更高速的数据通信。频率越高，绝缘部分的介电损耗越大，流动电信号越衰减。因此，作为应对高频化的措施，需要能够减少介电损耗的介电特性优异的材料。另一方面，在电气电子部件与使用该电气电子部件的电子器件或电子设备的制造以及使用的场景下，也需要优异的耐热性，还要求具有进一步提高的耐热性的材料。在该用途中专门应用的树脂是液晶聚合物（lcp）或聚芳醚酮（paek）等，目前paes几乎没有受到关注。

3、对于原料使用双[1-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基]苯类的paes，专利文献1中记载有一种使1,4-双[1-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基]苯（α,α’-双（4-羟基苯基）-对二异丙基苯）与二氯二苯砜进行聚合而得的paes，尽管其热变形温度高，但熔融粘度降低，且加工性优异。

4、此外，专利文献2中记载有一种使1,3-双（4-羟基-1-异亚丙基苯基）苯及1,4-双（4-羟基-1-异亚丙基苯基）苯与二卤代二苯砜化合物进行聚合所得到的paes，其由于耐热性、熔融流动性及耐溶剂性优异，因此可用于精密部件用途。

5、专利文献：

6、专利文献1：美国专利第3554972号公报

7、专利文献2：日本特开平01-256523号公报

技术实现思路

1、在paes中，对于在高频段的介电特性以往未被人所知，是否为适合使用于电子设备或其中所使用的电子器件（以下有时统称为电子设备及电子器件）的材料，尤其是否为适合使用于现今被需要的使用高频段电波的高速通信的电子设备及电子器件（以下有时称为高频通信用电子设备及电子器件）的材料，尚不明确。此外，对于原料使用双[1-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基]苯类的paes，关于其介电特性也完全未知。

2、作为广泛通用的paes，本发明者等合成使用4,4’-联苯酚作为原料的双酚而得的paes（聚苯基砜：ppsu）以及使用2,2-双（4-羟基苯基）丙烷而得的paes（聚砜：psu），评价其在高频段的介电特性，结果发现如下问题：相对介电常数及介电损耗角正切高，其作为用于电子设备及电子器件的树脂材料，介电特性差。

3、本发明的课题在于提供一种paes树脂材料，其适合用作电子设备及电子器件，尤其是高频通信用电子设备及电子器件中所使用的材料，并兼具在高频段中优异的介电特性和耐热性。

4、本发明者为解决上述课题进行了深入研究，结果发现，使用双[1-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基]苯类作为原料的paes，除了充分具有以往paes所具备的优异的耐热性以外，还具有在高频段中优异的介电特性，并且其适合用作电子设备及电子器件的材料，尤其是高频通信用电子设备及电子器件中所使用的材料，从而完成了本发明。

5、本发明如下所示。

6、1．一种电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料，其特征在于，包含具有通式（1）所表示的重复单元的聚芳醚砜，所述聚芳醚砜的玻璃化转变温度为140℃以上，重均分子量（mw）为2,000以上1,000,000以下的范围，

7、[化1]

8、

9、式中，r1各自独立地表示碳原子数1~6的烃基，n各自独立地表示0、1、2或3，m表示0或1。

10、2．根据1．所述的电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料，其特征在于，所述通式（1）所表示的重复单元为选自化学式（1a）、（1f）、（1h）及（1m）所表示的重复单元中的至少1个，

11、[化2]

12、。

13、3．根据1．所述的电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料，其特征在于，所述聚芳醚砜进一步以频率1ghz及10ghz所测定的介电损耗角正切均为0.005以下，以频率1ghz及10ghz所测定的相对介电常数均为3.5以下。

14、4．根据1．所述的电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料，其特征在于，所述电子设备及电子器件为1ghz以上300ghz以下的范围的高频通信用电子设备及电子器件。

15、5．一种电子设备及电子器件，其特征在于，其使用1．所述的电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料。

16、6．一种电子设备及电子器件的电路基板、半导体用封装材料或天线元件部件，其特征在于，其使用1．所述的电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料。

17、7．一种1ghz以上300ghz以下的范围的高频通信用电子设备及电子器件，其特征在于，其使用1．所述的电子设备及电子器件用聚芳醚砜树脂材料。

18、8．一种将聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的方法，其特征在于，所述聚芳醚砜具有通式（1）所表示的重复单元，玻璃化转变温度为140℃以上，重均分子量（mw）为2,000以上1,000,000以下的范围，

19、[化3]

20、

21、式中，r1各自独立地表示碳原子数1~6的烃基，n各自独立地表示0、1、2或3，m表示0或1。

22、9．根据8．所述的将聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的方法，其特征在于，所述通式（1）所表示的重复单元为选自化学式（1a）、（1f）、（1h）及（1m）所表示的重复单元中的至少1个，

23、[化4]

24、。

25、10．根据8．所述的将聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的方法，其特征在于，所述聚芳醚砜进一步以频率1ghz及10ghz所测定的介电损耗角正切均为0.005以下，以频率1ghz及10ghz所测定的相对介电常数均为3.5以下。

26、11．根据8．所述的将聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的方法，其特征在于，所述电子设备及电子器件为1ghz以上300ghz以下的范围的高频通信用电子设备及电子器件。

27、12．根据8．所述的将聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的方法，其特征在于，所述电子设备及电子器件中，将所述聚芳醚砜用于电子设备及电子器件的电路基板、半导体用封装材料或天线元件部件。

28、本发明涉及的聚芳醚砜树脂材料作为耐热性优异的paes而具有充分的耐热性，除此之外还具有在高频段中优异的介电特性，因此适合作为用于电子设备及电子器件，尤其是高频通信用电子设备及电子器件的树脂材料。