一种用于平面式ICP结构的加热结构、镀膜设备的制作方法

本技术涉及半导体设备，具体而言，涉及一种用于平面式icp结构的加热结构。

背景技术：

1、在半导体制造工艺中，rf等离子体腔室广泛应用于镀膜、刻蚀等关键环节，其中气管加热是确保工艺气体稳定输送的重要环节。现有技术中，气管加热主要依赖加热板、缠绕加热带或模温机等方案。加热板方式需额外布设电源线路，不可避免地在射频电场区域内引入外部电源干扰，导致电磁兼容性问题加剧；缠绕加热带方式在应对腔室内复杂气路布局时，需大量使用插接头进行连接，这些接头在狭小空间内容易发生物理搭接，尤其当腔室深度较小时，极易引发射频短路，造成设备核心部件损坏甚至火灾风险；模温机方式则采用水或矿物油作为传热介质，维护过程中频繁拆卸接头易导致介质泄漏，污染设备表面且难以彻底清洁，长期积累可能影响腔室真空度和工艺稳定性。上述问题在平面式icp腔室中尤为突出，因其结构紧凑、深度有限，传统主动加热方案难以避免外侧飞线、接头及风险介质的存在，不仅增加线路故障概率，还可能引发严重的财产损失。

技术实现思路

1、本实用新型公开了一种用于平面式icp结构的加热结构，旨在解决上述提到的问题。

2、本实用新型采用了如下方案：

3、本申请提供了一种用于平面式icp结构的加热结构，包括平面式icp腔室，所述平面式icp腔室设置有启辉腔室，其特征在于，还包括：连接至所述平面式icp腔室内的气管，所述气管紧贴所述启辉腔室的外侧以利用所述启辉腔室向外散发的热量对所述气管进行加热。

4、进一步地，所述气管通过固定件锁紧在所述启辉腔室的外侧。

5、进一步地，所述固定件采用开槽铝合金以提高传热效率，所述气管适于穿过所述开槽铝合金的槽孔。

6、进一步地，所述固定件的外侧设置有ptfe保温层以减少热量损失。

7、进一步地，所述启辉腔室包括第一启辉腔室与第二启辉腔室，所述气管通过所述固定件以固定在所述第二启辉腔室的外侧面。

8、进一步地，所述第一启辉腔室设置于所述第二启辉腔室的前端侧，在两者内部形成有腔体，且第一启辉腔室的面积大于第二启辉腔室。

9、进一步地，所述ptfe保温层设置为l形，其一端顶住所述第一启辉腔室的背侧，另一端延伸至所述第二启辉腔室的背侧，以将所述固定件包裹。

10、本实用新型还提供了一种镀膜设备，包括所述的用于平面式icp结构的加热结构。

11、有益效果：

12、一种用于平面式icp结构的加热结构及镀膜设备，通过将气管紧贴启辉腔室外侧利用其散发的热量进行加热，无需额外布设电源线路或引入风险介质，有效消除了外侧飞线、接头及油水等隐患，具有可保障等离子腔区域仅存在icp线圈单独一个线路，外侧无飞线、无接头、无油或水等风险介质存在，极大程度避免线路搭接导致的rf短路，避免财产损失的优点。

1.一种用于平面式icp结构的加热结构，包括平面式icp腔室，所述平面式icp腔室设置有启辉腔室，其特征在于，还包括：连接至所述平面式icp腔室内的气管，所述气管紧贴所述启辉腔室的外侧以利用所述启辉腔室向外散发的热量对所述气管进行加热。

2.根据权利要求1所述的用于平面式icp结构的加热结构，其特征在于，所述气管通过固定件锁紧在所述启辉腔室的外侧。

3.根据权利要求2所述的用于平面式icp结构的加热结构，其特征在于，所述固定件采用开槽铝合金以提高传热效率，所述气管适于穿过所述开槽铝合金的槽孔。

4.根据权利要求2所述的用于平面式icp结构的加热结构，其特征在于，所述固定件的外侧设置有ptfe保温层以减少热量损失。

5.根据权利要求4所述的用于平面式icp结构的加热结构，其特征在于，所述启辉腔室包括第一启辉腔室与第二启辉腔室，所述气管通过所述固定件以固定在所述第二启辉腔室的外侧面。

6.根据权利要求5所述的用于平面式icp结构的加热结构，其特征在于，所述第一启辉腔室设置于所述第二启辉腔室的前端侧，在两者内部形成有腔体，且第一启辉腔室的面积大于第二启辉腔室。

7.根据权利要求6所述的用于平面式icp结构的加热结构，其特征在于，所述ptfe保温层设置为l形，其一端顶住所述第一启辉腔室的背侧，另一端延伸至所述第二启辉腔室的背侧，以将所述固定件包裹。

8.一种镀膜设备，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的用于平面式icp结构的加热结构。