一种加热盘调平装置及工艺腔室的制作方法
本技术涉及半导体制造,尤其涉及一种加热盘调平装置,以及一种工艺腔室。
背景技术:
1、在半导体晶圆加工制造流程中,薄膜沉积是关键环节之一,化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积等设备通过在晶圆表面沉积薄膜实现器件功能构建。加热盘作为薄膜沉积设备反应腔室内的核心部件,其水平度直接影响腔体内热场、流场及射频等离子场的分布均匀性,进而决定晶圆表面薄膜的沉积质量。若加热盘水平度不佳,将导致晶圆表面薄膜厚度不均、性能不一致,最终产生大量不合格产品,因此加热盘的精准调平对半导体制造至关重要。
2、现有技术中通常利用固定组件及调整组件的配合,改变调整点与固定点的相对高度以实现加热盘水平度调节。然而,该类现有调平装置的调整螺杆与下调整块之间缺乏稳定的固定连接结构,当需要调节加热盘水平时,旋转调整螺杆以带动上调整块进行高度调整的过程中,下调整块易随调整螺杆的转动产生不必要的微动。这种微动会破坏调平基准的稳定性,导致调整点与固定点之间的相对高度变化出现偏差,对加热盘的调平精度产生不利的影响,从而导致薄膜沉积的均匀性较差。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本领域亟需一种调平技术,用于提升加热盘的调平精度,保障晶圆表面薄膜沉积的均匀性,满足半导体制造的高精度工艺需求。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览,并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本实用新型提供一种加热盘调平装置,以及一种工艺腔室,用于提升加热盘的调平精度,保障晶圆表面薄膜沉积的均匀性,满足半导体制造的高精度工艺需求。
3、具体来说,根据本实用新型第一方面提供的加热盘调平装置包括:下板及上板,所述下板固定连接机架,所述上板固定连接加热盘,所述上板及所述下板经由固定组件连接;调整组件,包括第一螺杆、上调整螺母、下调整螺母及第一压盖,其中,所述第一螺杆穿过所述上板及所述下板,所述上调整螺母与所述第一螺杆螺纹连接并与所述上板的上表面抵接,所述下调整螺母与所述第一螺杆螺纹连接并与所述上板的下表面抵接;以及所述第一压盖,包括连接部及固定部,其中,所述连接部固定连接所述第一螺杆的下端部,以经由所述固定部将所述下板与所述第一螺杆的下端部固定连接,以通过调整所述上调整螺母及所述下调整螺母在所述第一螺杆上的位置,调整所述上板相对于所述下板的高度。
4、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述调整组件还包括:第一锁紧螺母,与所述第一螺杆螺纹连接,并位于所述上调整螺母的上方,用于对所述上板进行锁紧,以提升所述上板的稳定性;和/或第一垫片,其套设于所述第一螺杆,并位于所述上调整螺母与所述上板之间,用于提升所述上调整螺母与所述上板之间的稳定性;和/或第二垫片,其套设于所述第一螺杆,并位于所述上板与所述下调整螺母之间,用于提升所述上板与所述下调整螺母之间的稳定性。
5、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述调整组件还包括:第二锁紧螺母,与所述第一螺杆螺纹连接,并位于所述下板的上表面,用于对所述第一螺杆与所述下板的连接进行紧固,以提升所述第一螺杆与所述下板连接的稳定性;和/或第三垫片,其套设于所述第一螺杆,并位于所述下板的上表面,用于提升所述下板与所述第一螺杆连接的稳定性。
6、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述固定组件包括:球头螺栓,包括第二螺杆及球头,所述第二螺杆穿过所述上板并与所述上板固定连接,而所述球头与下板通孔的中部的球面形成球铰链;以及第二压盖,其凸起部的上表面具有配合所述球头的凹面,并经由所述下板的下表面伸入所述下板通孔与所述球头抵接。
7、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述固定组件还包括:调节螺钉,其与所述第二压盖的底板及所述下板螺纹连接,用于调节所述底板与所述下板之间的距离,以调节所述凸起部上表面与所述球头之间的间隙。
8、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述固定组件还包括:钢套,其固定安装于所述上板的下表面的凹槽中,并与所述第二螺杆螺纹连接,用于提升所述上板与所述第二螺杆连接处的连接强度。
9、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述固定组件还包括:第三锁紧螺母,设于所述上板的上表面,并与所述第二螺杆螺纹连接,用于对所述第二螺杆与所述上板的连接进行紧固,以提升所述第二螺杆与所述上板连接的稳定性。
10、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述固定组件还包括:第四锁紧螺母,设于所述第三锁紧螺母上方,并与所述第二螺杆螺纹连接,用于对所述第二螺杆进行锁紧,以对所述上板进行紧固;和/或第四垫片,其套设于所述第二螺杆,并位于所述上板与所述第三锁紧螺母之间,用于提升所述上板与所述第二螺杆连接的稳定性。
11、进一步地,在本实用新型的一些实施例中,所述调整组件的数量为两个,所述固定组件与两个所述调整组件形成等边三角形。
12、此外,根据本实用新型第二方面提供的工艺腔室包括:加热盘,设于所述工艺腔室内部,用于对其上晶圆执行薄膜沉积工艺;以及如本实用新型第一方面中任一项所述的加热盘调平装置,用于对所述加热盘进行调平。
1.一种加热盘调平装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的调平装置,其特征在于,所述调整组件还包括:
3.如权利要求1所述的调平装置,其特征在于,所述调整组件还包括:
4.如权利要求1所述的调平装置,其特征在于,所述固定组件包括:
5.如权利要求4所述的调平装置,其特征在于,所述固定组件还包括:
6.如权利要求4所述的调平装置,其特征在于,所述固定组件还包括:
7.如权利要求4所述的调平装置,其特征在于,所述固定组件还包括:
8.如权利要求7所述的调平装置,其特征在于,所述固定组件还包括:
9.如权利要求1所述的调平装置,其特征在于,所述调整组件的数量为两个,所述固定组件与两个所述调整组件形成等边三角形。
10.一种工艺腔室,其特征在于,包括:
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