用于选择性沉积的含铝抑制剂化合物的制作方法

本申请涉及一种用于选择性沉积的含铝抑制剂化合物。相关申请的交叉参考本申请根据35 usc 119主张2024年2月23日申请的第63/557,297号美国临时专利申请的权益，所述专利申请的公开内容的全文以引用的方式并入本文中。

背景技术：

1、前体被沉积在衬底表面上。在气相沉积工艺期间，前体可能非所需地沉积在某些表面上。当前体非所需地沉积在那些表面上时，被沉积的前体必须从那些表面移除。

技术实现思路

1、一些实施例涉及一种方法。在一些实施例中，所述方法包括获得具有第一表面及第二表面的衬底。在一些实施例中，所述方法包括将所述衬底暴露于含al抑制剂以改质所述第一表面。在一些实施例中，所述含al抑制剂为包括被取代的烷基铝的化合物。在一些实施例中，所述方法包括在所述第二表面上选择性沉积膜。

2、一些实施例涉及一种组合物。在一些实施例中，所述组合物包含包括下式化合物的含al抑制剂：q—al—(r)2。在一些实施例中，q为环戊二烯基或茚基。在一些实施例中，r独立地为烷基。在一些实施例中，当将含al抑制剂暴露于具有含有羟基的第一表面及不含有羟基的第二表面的衬底时，所述含al抑制剂充分改质所述第一表面以供在所述第二表面上选择性沉积膜。

3、一些实施例涉及一种装置。在一些实施例中，所述装置包含膜。在一些实施例中，所述装置包括含al抑制剂。在一些实施例中，所述装置包含具有至少第一表面及第二表面的衬底。在一些实施例中，所述含al抑制剂沉积在所述第一表面上。在一些实施例中，所述膜不沉积在所述第一表面上。在一些实施例中，所述膜沉积在所述第二表面上。

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面具有羟基且其中所述第二表面不具有羟基。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述暴露包括使所述含al抑制剂与所述第一表面上的羟基进行反应。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述暴露不包括使所述含al抑制剂与所述第二表面进行反应。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述暴露步骤之前，在所述衬底的所述第一表面上形成羟基。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含al抑制剂包括下式化合物：

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述环戊二烯基包括被取代的环戊二烯基。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述被取代的环戊二烯基包括烷基环戊二烯基、氟化环戊二烯基、或其任何组合中的至少一者。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述茚基包括被取代的茚基。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述被取代的茚基包括烷基茚基、氟化茚基或其任何组合中的至少一者。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述环戊二烯基包括未被取代的环戊二烯基或未被取代的茚基。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述烷基包括c1-c5烷基。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述含al抑制剂包括下式化合物：

14.根据权利要求1所述的方法，其中选择性沉积所述膜不包括在所述第一表面上沉积所述膜。

15.一种组合物，其包含：

16.根据权利要求15所述的组合物，其中所述环戊二烯基包括被取代的环戊二烯基或被取代的茚基。

17.根据权利要求16所述的组合物，其中所述被取代的环戊二烯基包括烷基环戊二烯基、氟化环戊二烯基、或其任何组合中的至少一者。

18.根据权利要求16所述的组合物，其中所述被取代的茚基包括烷基茚基、氟化茚基或其任何组合中的至少一者。

19.根据权利要求15所述的组合物，其中所述含al抑制剂包括下式化合物：

20.一种装置，其包含：