用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法及清洗设备与流程

摘要: 本申请涉及半导体封装,尤其涉及一种用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法及清洗设备。背景技术:1、在foplp制程中,为保证rdl(再分布层)或后续封装材料在塑...
用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法及清洗设备与流程

本申请涉及半导体封装,尤其涉及一种用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法及清洗设备。

背景技术:

1、在foplp制程中,为保证rdl(再分布层)或后续封装材料在塑封料基材表面的附着力,需在制作这些材料前对塑封料基材表面进行等离子粗化处理。

2、等离子粗化处理过程中会产生大量粉尘类副产物,主要来自交联断裂后的低分子量环氧聚合物及脱落的二氧化硅填料。这些副产物会附着在塑封料基材表面,若不及时清洗,反而会削弱附着力。

3、目前行业内常用含氢氟酸的清洗液对表面进行处理,但该方法环保风险高,且操作危险性大。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法及清洗设备,以解决目前清洗方法环保风险高且操作危险性大的问题。

2、在第一方面,本申请提供一种用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,包括:对塑封料基材进行持续第一预设时间的第一次超声波清洗;对经第一次超声波清洗后的所述塑封料基材的表面进行刷洗;对经刷洗后的所述塑封料基材进行持续第二预设时间的第二次超声波清洗。

3、基于上述的清洗方法,通过“第一次超声波清洗—刷洗—第二次超声波清洗”的纯物理组合工艺,无需使用氢氟酸等传统化学清洗剂,即可高效去除塑封料基材表面因等离子粗化产生的环氧聚合物碎屑及二氧化硅填料粉尘。该方法从根源上杜绝了化学试剂的环保与操作安全风险,同时实现了对基材表面粗化形貌的无损清洁,保证了后续封装材料的结合强度。

4、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,所述第一预设时间为5分钟至10分钟;和/或,所述对塑封料基材进行持续第一预设时间的第一次超声波清洗包括:将所述塑封料基材以垂直姿态放入超声波清洗容器中进行处理。

5、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,所述对经第一次超声波清洗后的所述塑封料基材的表面进行刷洗包括:利用刷毛具有预设硬度的毛刷对所述塑封料基材的表面进行刷洗;其中,所述预设硬度为邵氏a硬度70-80ha,或邵氏d硬度50-55。

6、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,毛刷的刷毛材质为尼龙或聚丙烯;和/或,所述对经第一次超声波清洗后的所述塑封料基材的表面进行刷洗包括:利用毛刷进行刷洗,且所述毛刷相对于所述塑封料基材表面的刷入量为3毫米至5毫米。

7、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,所述对经第一次超声波清洗后的所述塑封料基材的表面进行刷洗包括:对所述塑封料基材的表面至少进行三次刷洗;和/或,在刷洗过程中,利用具有预设压力的清洗介质对所述塑封料基材进行冲洗。

8、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,所述第二预设时间为2分钟至5分钟;和/或,所述对经刷洗后的所述塑封料基材进行持续第二预设时间的第二次超声波清洗包括:将所述塑封料基材以水平姿态放入超声波清洗容器中进行处理。

9、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,所述第一预设时间和所述第二预设时间的比值为2;和/或,所述第一次超声波清洗与所述第二次超声波清洗的频率均为40khz。

10、在上述的清洗方法的一个或多个实施例中,还包括:收集所述第二次超声波清洗产生的废水并进行过滤;将过滤后的所述废水输送至所述第一次超声波清洗工序中作为清洗介质使用。在第二方面,本申请提供一种清洗设备,包括:第一超声波清洗容器,用于对塑封料基材进行超声波清洗;刷洗组件,用于对经所述第一超声波清洗槽清洗后的塑封料基材的表面进行刷洗;第二超声波清洗容器,用于对经所述刷洗组件刷洗后的塑封料基材进行超声波清洗。

11、在上述的清洗设备的一个或多个实施例中,还包括两个相对设置的夹持组件,所述夹持组件安装于所述第一超声波清洗容器上,并用于夹持塑封料基材;所述夹持组件包括:安装架,固定于所述第一超声波清洗容器上,并设有安装孔;调节架,设有条形孔,并通过螺纹件依次穿过所述安装孔、所述条形孔后与所述安装架螺纹连接;夹持件,设置于所述调节架上,且两个所述夹持件的相对侧开设有用于容纳所述塑封料基材边缘的容纳槽。

12、本申请上述一个或多个实施例,至少具有如下一种或多种有益效果:

13、通过“第一次超声波清洗—刷洗—第二次超声波清洗”的纯物理组合工艺,无需使用氢氟酸等传统化学清洗剂,即可高效去除塑封料基材表面因等离子粗化产生的环氧聚合物碎屑及二氧化硅填料粉尘。该方法从根源上杜绝了化学试剂的环保与操作安全风险,同时实现了对塑封料基材表面粗化形貌的无损清洁,保证了后续封装材料的结合强度。

14、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。

1.一种用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,所述第一预设时间为5分钟至10分钟;

3.根据权利要求1所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,所述对经第一次超声波清洗后的所述塑封料基材的表面进行刷洗包括:

4.根据权利要求3所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,所述对经第一次超声波清洗后的所述塑封料基材的表面进行刷洗包括:

6.根据权利要求1所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,所述第二预设时间为2分钟至5分钟;

7.根据权利要求1所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,所述第一预设时间和所述第二预设时间的比值为2;

8.根据权利要求1-7任一项所述的用于等离子粗化后的塑封料基材的清洗方法,其特征在于,还包括:

9.一种清洗设备,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的清洗设备,其特征在于,还包括两个相对设置的夹持组件,所述夹持组件安装于所述第一超声波清洗容器上,并用于夹持塑封料基材;