等离子体处理装置的制作方法

本发明的例示性的实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术：

1、等离子体处理装置在对基片的等离子体处理中使用。等离子体处理装置包括腔室和基片支承部。基片支承部配置在腔室内。基片支承部包括基座和静电吸盘。偏置电源与基座连接，该偏置电源能够产生用于从等离子体将离子吸引到基片的电偏置。静电吸盘能够支承基片和包围该基片的边缘环。下述的专利文献1公开了能够使边缘环上下移动的等离子体处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-113753号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一种缓和边缘环的温度上升的技术。

3、用于解决技术问题的手段

4、在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、边缘环、升降机构、等离子体生成部、偏置电源和冷却机构。基片支承部配置在腔室内。边缘环具有导电性，以包围基片支承部上的基片的方式配置。升降机构能够使边缘环上下移动。等离子体生成部包括源高频电源，能够在腔室内生成等离子体。偏置电源能够产生电偏置以从等离子体将离子吸引到基片支承部上的基片。基片支承部包括：与源高频电源和/或偏置电源电耦合的基座；和基座上的静电吸盘。升降机构包括导电环、杆和致动器。导电环能够在支承被载置在其上的边缘环的状态下与该边缘环导通。杆在导电环的下方在铅垂方向上延伸。致动器能够经由杆和导电环使边缘环上下移动。冷却机构包括配置在导电环内的吸热部。

5、发明效果

6、根据一个例示性的实施方式，能够缓和边缘环的温度上升。

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

9.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

10.根据权利要求1～4和6～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

11.根据权利要求1～4和6～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

12.根据权利要求1～4和6～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

13.根据权利要求1～4和6～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

14.根据权利要求1～4和6～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

15.根据权利要求1～4和6～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：