半导体结构的形成方法与流程

本申请是关于半导体结构的形成方法，特别是关于经改良的半导体结构的形成方法。

背景技术：

1、随着半导体结构的微缩化，导致半导体结构中相邻元件存在漏电流的问题。虽然现存的半导体结构的形成方法已逐步满足它们既定的用途，但它们仍未在各方面皆彻底的符合要求。因此，关于半导体结构的形成方法仍有一些问题需要克服。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括提供基板；形成栅极结构于基板上；形成间隔物层于栅极结构上；形成牺牲层于间隔物层上；形成介电插塞于间隔物层上；回蚀牺牲层，以暴露间隔物层的第一部分侧壁；形成保护物在牺牲层上；移除牺牲层；移除间隔物层，以暴露基板；移除保护物；形成接触物于基板上。

2、本申请的半导体结构的形成方法可应用于多种类型的电子设备及其形成方法中。为让本申请的元件及优点能更明显易懂，下文特举出各种实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述间隔物层包括一转折部，且经回蚀的所述牺牲层覆盖所述转折部。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，回蚀所述牺牲层，以暴露所述介电插塞的一侧壁。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保护物在所述牺牲层上更包括：

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护物覆盖所述间隔物层的所述第一部分侧壁。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保护物覆盖所述介电插塞的一侧壁。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述保护物在所述牺牲层上之后，移除所述牺牲层，以形成一开口。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述开口暴露所述间隔物层的一第二部分侧壁，且所述间隔物层的所述第二部分侧壁相较于所述第一部分侧壁更靠近所述基板。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述开口暴露所述间隔物层的一底部。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，移除所述间隔物层的所述底部，以暴露所述基板。