一种图像传感器封装结构的制作方法

摘要: 本技术涉及半导体集成电路制造工艺领域,特别涉及一种图像传感器封装结构。背景技术:1、目前图像传感器芯片存在多种封装方式,如clcc(ceramicleadedc...
一种图像传感器封装结构的制作方法

本技术涉及半导体集成电路制造工艺领域,特别涉及一种图像传感器封装结构。

背景技术:

1、目前图像传感器芯片存在多种封装方式,如clcc(ceramic leaded chipcarrier,陶瓷引脚芯片载体)、plcc(plastic leaded chip carrier,塑料引脚芯片载体)、csp(chip scale package,芯片级封装)、cob(chip on board,板上芯片封装)等,在很多封装结构中,存在封装侧壁这一结构。以csp为例,csp由于采用晶圆级封装,速度快成本低,被广泛应用在量产产品中。但是这种封装存在如下问题:当测试场景、汽车晚上路灯下或手机拍照太阳光等场景下存在亮度高的光源,且光源偏离出视场边缘一段特定距离时,光线会打到封装侧壁的支撑层上,从而反射到图像传感器芯片的像素区内,造成图像偏色的眩光现象。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种图像传感器封装结构,从而解决封装芯片中由于边缘高亮度光源反射到像素区内导致的图像偏色现象。

2、为实现上述目的,本实用新型提供了一种图像传感器封装结构,包括:图像传感器芯片、支撑层、第一挡光层和透明盖板;

3、所述图像传感器芯片表面设置有像素区;

4、所述第一挡光层设置在所述像素区外围至少一侧的所述图像传感器芯片表面;

5、所述支撑层与所述第一挡光层间隔设置在所述图像传感器芯片表面,且所述支撑层围绕所述第一挡光层和所述像素区构成整体;

6、所述透明盖板与所述支撑层连接;所述透明盖板、所述图像传感器芯片和所述支撑层围合形成密封腔体;所述第一挡光层和所述像素区位于所述密封腔体内。

7、可选的,所述第一挡光层围绕所述像素区。

8、可选的,所述第一挡光层的数量为两个,且两个所述第一挡光层设置于所述像素区对立两侧。

9、可选的,所述第一挡光层在所述图像传感器芯片表面的投影的长度和所述像素区的长度的比值大于或等于1/10。

10、可选的,所述第一挡光层低于所述支撑层。

11、可选的,所述第一挡光层的高度h和所述支撑层的高度h的关系为3/4h≥h≥1/8h。

12、可选的,所述第一挡光层内侧边缘到所述像素区边缘的距离cd1的范围为cd1≥0μm;

13、所述第一挡光层外侧边缘到所述支撑层内侧边缘的距离cd2的范围为cd2>0μm。

14、可选的,所述图像传感器芯片包括衬底;所述像素区设置于所述衬底表面;所述像素区包括至少一种彩色滤光片,以及设置在所述彩色滤光片表面的微透镜。

15、可选的,未被所述像素区覆盖的所述衬底表面设置有第二挡光层;

16、所述第二挡光层表面设置有透明层;所述透明层和所述微透镜是一体式结构。

17、可选的,所述第一挡光层包括透明挡光层;所述透明挡光层表面为曲面。

18、可选的,所述第一挡光层包括黑色挡光层。

19、可选的,所述第一挡光层包括坝体,以及设置在所述坝体表面的黑色挡光层;所述黑色挡光层至少覆盖所述坝体侧壁。

20、可选的,所述坝体包括透明光刻胶层;或,所述图像传感器芯片表面具有凸起结构;所述坝体包括所述凸起结构高于所述支撑层底部的部分;

21、所述黑色挡光层包括黑色光刻胶层。

22、可选的,所述坝体的高度t和所述支撑层的高度h的关系为3/4h>t>0;

23、和/或,所述坝体的高度t和所述坝体的宽度cd3的关系为t/cd3≤1。

24、显然,本实用新型提供的一种图像传感器封装结构,在像素区外围至少一侧增加挡光层,且使挡光层位于支撑层和像素区之间,由于挡光层设置在干扰光线入射的线路上,改变干扰光线入射的原始线路,所以可以有效阻挡支撑层反射到像素区内的干扰光线,从而解决图像偏色问题。

1.一种图像传感器封装结构,其特征在于,包括:图像传感器芯片、支撑层、第一挡光层和透明盖板;

2.根据权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层围绕所述像素区。

3.根据权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层的数量为两个,且两个所述第一挡光层设置于所述像素区对立两侧。

4.根据权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层在所述图像传感器芯片表面的投影的长度和所述像素区的长度的比值大于或等于1/10。

5.根据权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层低于所述支撑层。

6.根据权利要求5所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层的高度h和所述支撑层的高度h的关系为3/4h≥h≥1/8h。

7.根据权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层内侧边缘到所述像素区边缘的距离cd1的范围为cd1≥0μm;

8.根据权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述图像传感器芯片包括衬底;所述像素区设置于所述衬底表面;所述像素区包括至少一种彩色滤光片,以及设置在所述彩色滤光片表面的微透镜。

9.根据权利要求8所述的图像传感器封装结构,其特征在于,未被所述像素区覆盖的所述衬底表面设置有第二挡光层;

10.根据权利要求1至9任一项所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层包括透明挡光层;所述透明挡光层表面为曲面。

11.根据权利要求1至9任一项所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层包括黑色挡光层。

12.根据权利要求1至9任一项所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一挡光层包括坝体,以及设置在所述坝体表面的黑色挡光层;所述黑色挡光层至少覆盖所述坝体侧壁。

13.根据权利要求12所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述坝体包括透明光刻胶层;或,所述图像传感器芯片表面具有凸起结构;所述坝体包括所述凸起结构高于所述支撑层底部的部分;

14.根据权利要求12所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述坝体的高度t和所述支撑层的高度h的关系为3/4h>t>0;