一种基于激光光学对位的薄膜型低DCR功率电感线路板的制作方法

摘要: 本技术涉及电子元件,具体涉及一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板。背景技术:1、传统功率电感线路板多采用机械对位方式完成线路布线与组件安装,这类方...
一种基于激光光学对位的薄膜型低DCR功率电感线路板的制作方法

本技术涉及电子元件,具体涉及一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板。

背景技术:

1、传统功率电感线路板多采用机械对位方式完成线路布线与组件安装,这类方式定位精度有限,易导致线路布线偏移、功率电感组件安装偏差,进而影响电连接稳定性;同时普通线路板的线路结构电阻较高,dcr(直流电阻)偏大,载流能力不足;薄膜型线路板因基材较薄,对位难度更大,且组件布局不合理时易出现相互干扰,上述问题均会降低功率电感线路板的性能与可靠性,难以适配高精度、低dcr的应用场景需求。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,以解决现有线路板难以适配高精度、低dcr需求的技术问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

3、一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,包括基板、薄膜线路层、多个功率电感组件以及至少一组激光对位标记。

4、薄膜线路层设置于所述基板的至少一个表面;各功率电感组件与薄膜线路层电连接,且各功率电感组件呈阵列式分布于基板对应薄膜线路层的区域;激光对位标记设置于基板上,且与薄膜线路层的布线区域、各功率电感组件的预设安装区域对应设置,用于激光光学对位工序中定位薄膜线路层的布线区域及功率电感组件的安装位置。

5、作为本实用新型的优选方案,激光对位标记包括至少两个定位标识,各定位标识分别设置于基板的对角区域,每个定位标识与薄膜线路层的至少一个布线单元的基准点对应。

6、作为本实用新型的优选方案,薄膜线路层包括至少两层导电薄膜,各层导电薄膜之间通过金属化过孔电连接;导电薄膜采用铜箔材质,其厚度为5μm-20μm。

7、作为本实用新型的优选方案,功率电感组件包括磁芯、绕线及引脚;绕线缠绕于磁芯上,引脚的一端与绕线电连接,引脚的另一端与薄膜线路层焊接固定;引脚与薄膜线路层的焊接部位为激光焊接工艺形成的焊点,焊点与薄膜线路层的接触面积不小于0.5mm²。

8、作为本实用新型的进一步方案,绕线采用扁平铜导线,扁平铜导线的截面宽度为0.8mm-1.5mm,厚度为0.1mm-0.3mm。

9、作为本实用新型的优选方案,基板采用聚酰亚胺薄膜材质,其厚度为25μm-100μm;基板上开设有至少一个定位孔,定位孔与激光对位标记配合,用于激光光学对位工序的辅助定位。

10、作为本实用新型的优选方案,相邻两个功率电感组件的安装区域之间的间距为2mm-5mm;相邻功率电感组件对应的薄膜线路层布线采用差分布局。

11、作为本实用新型的进一步优选方案,薄膜线路层的表面覆盖有绝缘保护层;绝缘保护层采用聚酰亚胺涂层,其厚度为3μm-10μm;绝缘保护层对应功率电感组件引脚的区域开设有焊接窗口。

12、作为本实用新型的优选方案,激光对位标记的形状为十字形,激光对位标记的线宽为0.1mm-0.3mm;激光对位标记的中心与对应的布线区域或安装位置基准点的偏差不大于0.05mm。

13、作为本实用新型的进一步优选方案,磁芯采用铁氧体材质,磁芯的形状为工字形;绕线缠绕于工字形磁芯的中间柱体上,绕线的匝数为4-8匝。

14、相比于现有技术,本实用新型提供的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板具有以下有益效果:

15、本实用新型以基板为载体,通过激光对位标记配合定位孔,提升薄膜线路层布线及功率电感组件安装的定位精度,减少位置偏差;薄膜线路层采用多层铜箔导电薄膜与低阻抗布线结构,降低了线路电阻,适配低dcr的设计需求,金属化过孔还拓展了布线空间、增强了电连接能力;功率电感组件采用扁平铜导线绕线与工字形铁氧体磁芯,既降低了自身电阻,又优化了磁性能,阵列式分布配合差分布线,减少了组件间的干扰与信号串扰;绝缘保护层对薄膜线路层形成防护,激光焊接的焊点则增强了功率电感组件与薄膜线路层的连接牢固性。整体来看,该线路板兼顾了低dcr、定位精准、工作稳定的特点,提升了电性能与应用可靠性,适配薄膜型结构的使用需求。

1.一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:包括基板(1)、薄膜线路层(2)、多个功率电感组件(3)以及至少一组激光对位标记(4);

2.根据权利要求1所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述激光对位标记(4)包括至少两个定位标识,各所述定位标识分别设置于所述基板(1)的对角区域,每个所述定位标识与所述薄膜线路层(2)的至少一个布线单元的基准点对应。

3.根据权利要求1所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述薄膜线路层(2)包括至少两层导电薄膜,各层所述导电薄膜之间通过金属化过孔电连接;所述导电薄膜采用铜箔材质,其厚度为5μm-20μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述功率电感组件(3)包括磁芯、绕线及引脚;所述绕线缠绕于所述磁芯上,所述引脚的一端与所述绕线电连接,所述引脚的另一端与所述薄膜线路层(2)焊接固定;所述引脚与所述薄膜线路层(2)的焊接部位为激光焊接工艺形成的焊点,所述焊点与所述薄膜线路层(2)的接触面积不小于0.5mm²。

5.根据权利要求4所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述绕线采用扁平铜导线,所述扁平铜导线的截面宽度为0.8mm-1.5mm,厚度为0.1mm-0.3mm。

6.根据权利要求1所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述基板(1)采用聚酰亚胺薄膜材质,其厚度为25μm-100μm;所述基板(1)上开设有至少一个定位孔(5),所述定位孔(5)与所述激光对位标记(4)配合,用于激光光学对位工序的辅助定位。

7.根据权利要求1所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:相邻两个所述功率电感组件(3)的安装区域之间的间距为2mm-5mm;相邻所述功率电感组件(3)对应的所述薄膜线路层(2)布线采用差分布局。

8.根据权利要求3所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述薄膜线路层(2)的表面覆盖有绝缘保护层;所述绝缘保护层采用聚酰亚胺涂层,其厚度为3μm-10μm;所述绝缘保护层对应所述功率电感组件(3)引脚的区域开设有焊接窗口。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述激光对位标记(4)的形状为十字形,所述激光对位标记(4)的线宽为0.1mm-0.3mm;所述激光对位标记(4)的中心与对应的布线区域或安装位置基准点的偏差不大于0.05mm。

10.根据权利要求4所述的一种基于激光光学对位的薄膜型低dcr功率电感线路板,其特征在于:所述磁芯采用铁氧体材质,所述磁芯的形状为工字形;所述绕线缠绕于所述工字形磁芯的中间柱体上,所述绕线的匝数为4-8匝。