半导体制造装置的制作方法

本发明涉及一种半导体制造装置。本申请基于2024年3月29日在日本申请的特愿2024-056142号要求优先权，并将其内容援引于此。

背景技术：

1、在半导体制造领域中，为了将硅晶圆等半导体晶圆（以下，有时称为“晶圆”）形成为薄膜，进行晶圆的磨削。进一步，在这样的磨削加工之后，进行将晶圆分割成多个半导体芯片的切割加工。在切割加工中，将晶圆例如使用安装框架搬送到切割加工位置，并在该切割加工位置处吸附保持于卡盘台的吸附面并进行切割加工。

2、当将晶圆吸附保持于卡盘台时，如果晶圆平坦，则能够吸附晶圆的整个表面，能够得到充分的保持力。但是，在晶圆具有翘曲的情况下，晶圆的吸附变得不充分。例如，在晶圆具有向下凸出（即凹形状）的翘曲的情况下，仅局部吸附晶圆的中央部分。这样，在晶圆具有翘曲的情况下，存在不能得到充分的保持力而不能将晶圆吸附到卡盘台上的问题。

3、针对这样的问题，已知有如下方法：即，将具有翘曲的晶圆载置于卡盘台上之后，通过从上表面侧按压表面而矫正翘曲的方法；或者在矫正翘曲并保持为平面状态的基础上搬送到卡盘台的方法（例如，参照专利文献1和专利文献2）。

4、专利文献1：日本特开2003-234392号

5、专利文献2：日本特开2013-038327号

6、然而，在如上所述的现有方法的情况下，从将晶圆载置于卡盘台上到按压晶圆的上表面的期间，晶圆不被吸附保持在卡盘台上。因此，在该期间存在晶圆在卡盘台上偏移移动的问题。

7、另外，在现有方法的情况下，由于按压翘曲的晶圆表面的整个表面，因此存在晶圆表面被不均匀地加重而在按压后的晶圆表面上产生皱纹等的问题。

8、在此，在常规的切割加工机的情况下，利用搬送机构将晶圆搬送到卡盘台，但关于从搬送机构向卡盘台的交接是否完成（即，晶圆是否已载置于卡盘台上），大多通过卡盘台的吸附压力进行判别。

9、然而，在如上所述的现有方法的情况下，从将晶圆载置于卡盘台上到按压晶圆的上表面的期间，卡盘台的吸附压力不会上升，因此有时不能准确地掌握晶圆的载置是否完成。如果不能准确地掌握晶圆的载置状况，则不能保持稳定的操作，而且存在导致制造效率降低的问题。

技术实现思路

1、本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的是提供一种半导体制造装置，其不会产生晶圆在卡盘台上的位置偏移或表面状态的不良情况，能够实施稳定的操作。

2、为了解决上述问题，本发明提出如下方案。

3、<1>本发明一方面所涉及的半导体制造装置包括：搬送机构，用于搬送半导体晶圆；卡盘台，用于载置并吸附保持所述半导体晶圆；预吸引机构，设置于所述卡盘台并对载置于所述卡盘台的所述半导体晶圆进行临时固定；和按压机构，用于按压临时固定于所述卡盘台的所述半导体晶圆的表面。

4、根据上述<1>的半导体制造装置，由于通过预吸引机构吸引由搬送机构搬送的半导体晶圆并临时固定于卡盘台，因此在由按压机构按压之前的期间，能够防止卡盘台上的位置偏移。另外，由于在通过预吸引机构临时固定的基础上按压半导体晶圆的表面，因此能够抑制按压后的半导体晶圆表面的褶皱等不良情况。

5、<2>在上述<1>所涉及的半导体制造装置中，所述预吸引机构可以具备：至少一个凹部，设置于所述卡盘台的吸附面；和吸附垫，设置于所述凹部的内部，并且所述吸附垫的上表面比所述吸附面向上方伸出，所述吸附垫的所述上表面能够压入所述卡盘台的内部，在所述吸附垫的所述上表面上设置有吸气口，所述吸气口吸引被载置的所述半导体晶圆。

6、<3>上述<1>或<2>所涉及的半导体制造装置可以具备判断部，所述判断部基于所述预吸引机构的吸气压力，判断所述半导体晶圆是否已载置于所述卡盘台。

7、<4>在上述<1>至<3>中任一项所涉及的半导体制造装置中，所述预吸引机构可以配设在所述卡盘台的中央部。

8、<5>在上述<1>至<4>中任一项所涉及的半导体制造装置中，所述按压机构可以具备环状部件，所述环状部件与所述半导体晶圆的所述表面的外缘部抵接。

9、<6>在上述<5>所涉及的半导体制造装置中，所述环状部件的材质可以为树脂。

10、根据本发明，能够提供一种半导体制造装置，其不会产生晶圆在卡盘台上的位置偏移或表面状态的不良情况，能够实施稳定操作。

1.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于，