一种阵列探测器芯片的制作方法

本技术涉及探测器芯片，具体涉及一种阵列探测器芯片。

背景技术：

1、目前400g dr4和800g dr8光引擎采用1×4阵列探测器芯片，即一个探测器芯片上具有4个光敏面，且4个光敏面以1排的形式沿探测器芯片的长度方向分布，如图2所示，阵列探测器芯片上相邻两个光敏面之间的中心间距普遍为250μm、500μm以及750μm三种情况，其中，中心间距为500μm以及750μm 的阵列探测器芯片在高速光引擎中应用比较多，阵列探测器芯片在生产加工过程中，为便于加工当前的生产方案如图1所示，即生产一个条状的阵列探测器芯片，该阵列探测器芯片上具有多个沿探测器芯片的长度方向分布的光敏面，对于应用于高速光引擎的芯片良率比较低，所以要求相邻四个光敏面同时合格（判断是否合格的标准是外观检查和性能测试，一般是在电极上加电测试基础性能）才可以切出一个合格的1×4阵列探测器芯片，导致最后的总成品良率比较低。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种阵列探测器芯片，以克服上述现有技术中的不足。

2、本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：

3、一种阵列探测器芯片，包括：探测器芯片，探测器芯片的上表面上具有两排并排分布的光敏面，每排所具有的光敏面数量至少为四个且均沿探测器芯片的长度方向分布，处于同一排的所有光敏面均等间距排列且相邻两个光敏面的中心间距为500μm或750μm，探测器芯片的上表面上在每个光敏面处均具有电极。

4、在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

5、进一步，两排光敏面在探测器芯片的长度方向错位，两排光敏面在探测器芯片的宽度方向错位，且其中一排光敏面靠近另一排光敏面处的电极。

6、进一步，处于同一排的相邻两个光敏面的中心间距为500μm，两排光敏面在探测器芯片的长度方向错位距离为250μm。

7、进一步，处于同一排的相邻两个光敏面的中心间距为750μm，两排光敏面在探测器芯片的长度方向错位距离为375μm。

8、进一步，每个光敏面处所具有的电极数量为两个，分别为第一电极和第二电极；第一电极为u或v形状，每个光敏面处的第一电极半环绕该光敏面进行分布，每个光敏面处的第二电极处在第一电极所环绕的区域内。

9、本实用新型的有益效果是：在探测器芯片的空隙处额外设计一排一样的光敏面，以及在每个光敏面处均设计一样的电极，当切割成一个标准的阵列探测器芯片时，可以选择让两排光敏面中其中一排保留4个合格光敏面以及保留对应的电极，切割选择非常灵活，总产品良率大约提升1倍。

1.一种阵列探测器芯片，其特征在于，包括：探测器芯片（1），所述探测器芯片（1）的上表面上具有两排并排分布的光敏面（2），每排所具有的光敏面（2）数量至少为四个且均沿探测器芯片（1）的长度方向分布，处于同一排的所有光敏面（2）均等间距排列且相邻两个光敏面（2）的中心间距为500μm或750μm，所述探测器芯片（1）的上表面上在每个光敏面（2）处均具有电极（3）。

2.根据权利要求1所述的一种阵列探测器芯片，其特征在于，两排光敏面（2）在探测器芯片（1）的长度方向错位，两排光敏面（2）在探测器芯片（1）的宽度方向错位，且其中一排光敏面（2）靠近另一排光敏面（2）处的电极（3）。

3.根据权利要求2所述的一种阵列探测器芯片，其特征在于，处于同一排的相邻两个光敏面（2）的中心间距为500μm，两排光敏面（2）在探测器芯片（1）的长度方向错位距离为250μm。

4.根据权利要求2所述的一种阵列探测器芯片，其特征在于，处于同一排的相邻两个光敏面（2）的中心间距为750μm，两排光敏面（2）在探测器芯片（1）的长度方向错位距离为375μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种阵列探测器芯片，其特征在于，每个光敏面（2）处所具有的电极（3）数量为两个，分别为第一电极和第二电极；所述第一电极为u或v形状，每个光敏面处的第一电极半环绕该光敏面进行分布，每个光敏面处的第二电极处在第一电极所环绕的区域内。