包括栅电极的半导体器件以及制造该半导体器件的方法与流程

示例实施例涉及一种半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。

背景技术：

1、作为提高集成电路器件密度的缩放技术之一，已经提出了多栅极晶体管，其在衬底上形成鳍形或纳米线状的硅体，并且在硅体的表面上形成栅极。

2、同时，随着半导体器件集成度变得更高，可能需要用于将相邻的栅极分离的结构。随着半导体器件的设计规则的降低，形成将栅极分离的结构的工艺难度可能会增加。

技术实现思路

1、一方面提供了一种高集成的半导体器件。

2、另一方面提供了一种可以提高可靠性的半导体器件。

3、另一方面提供了一种可以降低制造工艺难度的半导体器件的制造方法。

4、由本示例实施例实现的技术任务不限于上述技术任务，并且本领域技术人员可以从以下实施例推断出其他技术任务。

5、根据一方面，一种半导体器件可以包括：多个第一源/漏图案，在衬底上，多个第一源/漏图案在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开，第一方向与衬底的上表面相交，并且第二方向与第一方向相交；第一栅电极，位于多个第一源/漏图案之间；第一有源图案，在第二方向上穿透第一栅电极，第一有源图案与多个第一源/漏图案连接；多个第二源/漏图案，在第三方向上与多个第一源/漏图案间隔开，第三方向与第一方向和第二方向相交；第二栅电极，在第三方向上与第一栅电极间隔开，第二栅电极在第二方向上位于多个第二源/漏图案之间；以及第二有源图案，在第二方向上穿透第二栅电极，第二有源图案与多个第二源/漏图案连接，其中，第一栅电极在第三方向上的第一侧表面和第二栅电极在第三方向上的第二侧表面均可以包括刻面。

6、根据另一方面，一种半导体器件可以包括：第一有源图案，在第一方向上位于衬底上方，第一方向与衬底的上表面相交，第一有源图案在第二方向上延伸，第二方向与第一方向相交；第一栅电极，围绕第一有源图案的至少一部分；第二有源图案，在第一方向上位于衬底上方，第二有源图案在第三方向上与第一有源图案间隔开，第三方向与第一方向和第二方向相交；第二栅电极，在第三方向与第一栅电极间隔开，并且围绕第二有源图案的至少一部分；以及栅极分离结构，在第三方向上位于第一栅电极与第二栅电极之间，其中，第一栅电极可以包括第一下部图案、以及在第一下部图案上的第一上部图案，第一下部图案可以围绕第一有源图案，并且可以在第三方向上从第一有源图案的中心向外突出，第一上部图案在第三方向上的宽度可以随着第一上部图案在第一方向上远离第一下部图案而增大，第二栅电极可以包括第二下部图案、以及在第二下部图案上的第二上部图案，第二下部图案可以围绕第二有源图案，并且在第三方向上从第二有源图案的中心向外突出，并且第二上部图案在第三方向上的宽度随着第二上部图案在第一方向上远离第二下部图案而增大。

7、根据另一方面，一种半导体器件可以包括：多个第一源/漏图案，在衬底上，多个第一源/漏图案在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开，第一方向与衬底的上表面相交，并且第二方向与第一方向相交；第一栅电极，在第二方向上位于多个第一源/漏图案之间；第一栅极绝缘膜，围绕第一栅电极的下表面和第一栅电极的侧表面；第一有源图案，在第二方向上穿透第一栅电极，第一有源图案与多个第一源/漏图案连接；多个第二源/漏图案，在第三方向上与多个第一源/漏图案间隔开，第三方向与第一方向和第二方向相交；第二栅电极，在第三方向上与第一栅电极间隔开，第二栅电极在第二方向上位于多个第二源/漏图案之间；第二栅极绝缘膜，围绕第二栅电极的下表面和第二栅电极的侧表面；以及第二有源图案，在第二方向上穿透第二栅电极，第二有源图案与多个第二源/漏图案连接，其中，第一栅电极在第三方向上的第一侧表面和第二栅电极在第三方向上的第二侧表面均可以包括具有（100）晶面的刻面。

8、根据另一方面，一种制造半导体器件的方法可以包括：在第一方向上在衬底上交替层叠第一牺牲膜和第一有源图案，以提供交替堆叠在衬底上的多个第一牺牲膜和多个第一有源图案，第一方向与衬底的上表面相交；形成多个第一源/漏图案，多个第一源/漏图案在第二方向上与多个第一牺牲膜和多个第一有源图案连接，第二方向与第一方向相交，多个第一源/漏图案在第二方向上彼此间隔开；在多个第一源/漏图案之间形成围绕多个第一牺牲膜和多个第一有源图案的第一外延图案；形成覆盖第一外延图案的层间绝缘膜；通过去除第一外延图案和多个第一牺牲膜，在层间绝缘膜中形成第一栅电极沟槽，并且在第一栅电极沟槽中形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极。

9、其他示例实施例的具体细节包括在详细描述和附图中。

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极分离结构在所述第三方向上的侧表面被所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜覆盖。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：器件隔离膜，在所述衬底上并且位于所述栅极分离结构下方，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅极分离结构与所述器件隔离膜的上表面接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极的所述第一侧表面的一部分区域和所述第二栅电极的所述第二侧表面的一部分区域在所述第一方向上平行。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

12.一种半导体器件，包括：

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一下部图案在所述第三方向上的侧表面和所述第二下部图案在所述第三方向上的侧表面均包括刻面。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一栅极绝缘膜沿所述第一下部图案的侧表面、所述第一下部图案的下表面、以及所述第一上部图案的侧表面延伸。

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，

17.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，

19.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：第一源/漏图案，在所述第二方向上与所述第一栅电极间隔开，

20.一种半导体器件，包括：