发光元件的制作方法

本揭露是关于一种发光元件，特别是关于一种有机发光元件。

背景技术：

1、有机发光显示器已经广泛使用于最高端的电子装置中。然而，由于现有技术的限制，发光材料的发光效率与质量并无法有效地被控制，导致器件的光学效果不如预期。

技术实现思路

1、在本揭露中，一种发光元件包括基板、复数个光遮挡层、覆盖层及复数个凸块。复数个光遮挡层间隔设置在基板的第一表面上，其中复数光遮挡层的各者包括：第一抗反射层、金属层及第二抗反射层，第一抗反射层的底面设置在基板的第一表面上，且包括至少一第一接合层及至少一第一吸光层；金属层设置在第一抗反射层上；第二抗反射层设置在金属层上，其包括至少一第二接合层及至少一第二吸光层，其中至少一第二接合层的一者作为第二抗反射层的顶层。覆盖层覆盖基板的第一表面及光遮挡层。复数个凸块配置于覆盖层上，复数个凸块中两相邻凸块间各具有有机发光单元。

2、在本揭露中，一种发光元件的制作方法包括：提供基板；形成复数个第一抗反射层在基板上，包括施加至少一层接合材料及至少一层吸光材料，其中复数个第一抗反射层彼此分开一距离；形成复数个金属层在第一抗反射层上；形成复数第二抗反射层在金属层上，包括施加至少一层接合材料及至少一层吸光材料，其中第二抗反射层的顶层为一层接合材料；施加覆盖层，以包覆复数个第二抗反射层的顶面、自复数个第一抗反射层之间露出的基板以及复数个第一抗反射层、金属层及复数个第二抗反射层的侧面；交错设置复数个有机发光单元及复数个凸块于覆盖层上。

3、在一些实施例中，作为第二抗反射层的顶层的第二接合层包含的材料与覆盖层包含的材料相同。

4、在一些实施例中，第一接合层包含的材料与第二接合层包含的材料相同，且第一接合层包含的材料及第二接合层包含的材料与覆盖层包含的材料相同。

5、在一些实施例中，第一吸光层的等效折射率比第一接合层的等效折射率大；且第二吸光层的等效折射率比第二接合层的等效折射率大。

6、在一些实施例中，第一吸光层包含金属氧化物且第二吸光层包含金属氧化物。

7、在一些实施例中，第一抗反射层的厚度与第二抗反射层的厚度基本上相同。

8、在一些实施例中，第一抗反射层的厚度与金属层的厚度的比例在约1:1至约3:1的范围；且第二抗反射层的厚度与金属层的厚度的比例在约1:1至约3:1的范围。

9、在一些实施例中，复数个光遮挡层的位置与复数个凸块的位置一一对应。

10、在一些实施例中，复数个光遮挡层的各者的宽度大于复数个凸块的各者的宽度。

11、在一些实施例中，第一抗反射层的至少一第一接合层的一者作为第一抗反射层的底层，其直接与基板接触，且至少一第一吸光层的一者作为第一抗反射层的顶层，直接与金属层接触。

12、在一些实施例中，接合材料与形成覆盖层的材料相同。

13、在一些实施例中，形成复数个第一抗反射层的各者包含依序在基板施加一层接合材料、一层吸光材料、一层接合材料及一层吸光材料；且形成复数个第二抗反射层的各者包含依序在金属层上施加一层吸光材料、一层接合材料、一层吸光材料及一层接合材料。

14、在一些实施例中，通过蒸镀工艺形成复数个第一抗反射层、金属层及复数个第二抗反射层。

1.一种发光元件，其特征在于，所述发光元件包括：

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述作为所述第二抗反射层的顶层的第二接合层包含的材料与所述覆盖层包含的材料相同。

3.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一接合层包含的材料与所述第二接合层包含的材料相同，且所述第一接合层包含的所述材料及所述第二接合层包含的所述材料与所述覆盖层包含的材料相同。

4.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一吸光层的等效折射率比所述第一接合层的等效折射率大；且所述第二吸光层的等效折射率比所述第二接合层的等效折射率大。

5.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一吸光层包含金属氧化物且所述第二吸光层包含金属氧化物。

6.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一抗反射层的厚度与所述第二抗反射层的厚度基本上相同。

7.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一抗反射层的厚度与所述金属层的厚度的比例在约1:1至约3:1的范围；且所述第二抗反射层的厚度与所述金属层的所述厚度的比例在约1:1至约3:1的范围。

8.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述复数个光遮挡层的位置与所述复数个凸块的位置一一对应。

9.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述复数个光遮挡层的各者的宽度大于所述复数个凸块的各者的宽度。

10.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一抗反射层的所述至少一第一接合层的一者作为所述第一抗反射层的底层，其直接与所述基板接触，且所述至少一第一吸光层的一者作为所述第一抗反射层的顶层，其直接与所述金属层接触。

11.一种发光元件的制作方法，包括：

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述接合材料与形成所述覆盖层的材料相同。

13.如权利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述吸光材料为金属氧化物。

14.如权利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，

15.如权利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，通过蒸镀工艺形成所述复数个第一抗反射层、所述复数个金属层及所述复数个第二抗反射层。