一种晶圆后处理装置的制作方法

本发明属于晶圆后处理，具体而言，涉及一种晶圆后处理装置。

背景技术：

1、集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。化学机械抛光(chemical mechanical polishing, cmp)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。

2、化学机械抛光后，需要对晶圆进行清洗、干燥等后处理。晶圆后处理的目的是为了避免微量离子和金属颗粒等颗粒物对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和成品率。

3、晶圆后处理通常在相对密闭的槽体中进行，以控制后处理过程中流体的溅射，并防止外部的颗粒物进入槽体而影响晶圆后处理效果。图1是现有技术中晶圆后处理装置100’的示意图，其包括槽体，槽体的顶部配置有顶盖，顶盖配置有取放晶圆的开口；而控制顶盖开口打开及关闭的开关门为水平移动式结构；在气缸的带动下，开关门水平移动以实现开口的打开及关闭。

4、为实现开关门的顺畅平移，开关门与顶盖之间必然设置一定间隙。换言之，在开关门处于闭合状态时，开关门与顶盖之间存在一定缝隙。即现有的槽体不能实现完全密封，无法避免含有颗粒物的气体或液体进入槽体而污染后处理的晶圆。

5、更为重要的是，当开关门处理打开状态时，机械手通过顶盖的开口将晶圆移动至开关门上方。在重力作用下，机械手和/或晶圆上的液滴可能滴落至开关门的棱边或侧面。开关门的棱边及侧面的液滴可能滴落至晶圆表面，进而影响晶圆的后处理效果。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种晶圆后处理装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

2、本发明的实施例提供了一种晶圆后处理装置，包括：

3、槽体，其内部设置有晶圆后处理模块；

4、顶盖，其设置于槽体的顶部并配置有开口，以经由所述开口取放晶圆；

5、门体，其设置于所述顶盖上方，以打开或关闭所述开口；

6、顶部导流结构，其设置于所述顶盖和门体的上方，以引导滴落至顶盖和门体的液体，远离槽体中放置晶圆的位置。

7、在一些实施例中，所述顶部导流结构包括引流部，所述引流部为板状结构，其至少部分罩设于所述门体的上方。

8、在一些实施例中，所述引流部至少设置于所述门体长度方向的中间位置，所述引流部的上表面为倾斜面；所述倾斜面的倾斜方向垂直于所述门体的长度方向。

9、在一些实施例中，所述引流部可拆卸地连接于所述门体的上方，所述引流部的倾斜面自顶盖的开口至顶盖的边缘、向下延伸设置。

10、在一些实施例中，所述顶部导流结构还包括导流部，其设置于所述顶盖的上表面，以朝向顶盖的边缘引导液体。

11、在一些实施例中，所述导流部的设置位置与所述引流部的设置位置相匹配。

12、在一些实施例中，所述导流部的底部配置有横纵交错的导流微型凹槽，以将液体朝向顶盖的边缘引导。

13、在一些实施例中，所述顶部导流结构还包括传输部，其设置于相邻导流部之间，所述传输部的底部配置有横向的传输微型凹槽，以将液体朝向顶盖的排液口汇聚。

14、在一些实施例中，晶圆后处理装置还包括底部导流结构，所述底部导流结构包括缓存部和底部引导部，所述缓存部设置于底部引导部的前侧，并且，所述底部引导部设置于顶盖的下方，缓存部位于所述开口的中间位置。

15、在一些实施例中，所述缓存部的侧面配置有储液槽，所述储液槽的数量为多个并竖向间隔排布，所述储液槽的槽宽为0.5-2mm。

16、在一些实施例中，所述缓存部的上部配置有引流板，所述引流板将液体朝向所述底部引导部传输；所述底部引导部配置有引导传输槽，其将经由缓存部至底部引导部的液体朝向顶盖的边缘传输。

17、在一些实施例中，所述门体通过摆动机构设置于所述顶盖上方，所述摆动机构包括摆动件，其一端连接于所述门体，其另一端连接于所述顶盖；所述摆动件能够带动所述门体摆动，以实现所述开口的打开与关闭。

18、在一些实施例中，所述顶盖配置有沿其宽度方向移动的齿条，所述齿条的上部啮合有齿轮，所述齿轮通过转动轴与摆动件连接；移动的齿条带动齿轮及转动轴旋转，进而带动与摆动件连接的门体绕转动轴摆动。

19、在一些实施例中，所述开口的外周侧配置有密封圈，与摆动机构连接的门体抵压于所述密封圈。

20、在一些实施例中，所述引流部的侧部配置有端板，并且，所述端板朝向顶盖的开口方向设置；所述门体处于打开状态时，所述端板位于所述缓存部的正上方。

21、本发明的有益效果包括：

22、a. 在门体的上方配置顶部导流结构，以将滴落在门体、顶盖的液体远离槽体内放置晶圆的位置引导，降低或避免可能含有颗粒物的液体对晶圆后处理效果的影响；

23、b. 在门体的下方配置底部导流结构，以将滴落在门体侧面的液体远离槽体内放置晶圆的位置引导，保证晶圆后处理的效果；

24、c. 控制开口打开与关闭的门体通过摆动的方式连接于顶盖，开口的外周侧配置有密封圈，门体抵压于密封圈，以实现开口的密封性，避免颗粒物和/或含有颗粒物的流体进入槽体的内部。

1.一种晶圆后处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述储液槽的槽宽为0.5-2mm。

3.如权利要求1所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述底部引导部包括底板和侧板，所述侧板设置于所述底板的前侧，所述底板相对于水平面倾斜向下设置，所述引导传输槽配置于所述底板的上表面。

4.如权利要求3所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述侧板配置有入液口，所述入液口与所述引导传输槽相连通，并且，所述入液口的设置位置与所述门体上方液滴的滴落位置相对应。

5.如权利要求1所述的晶圆后处理装置，其特征在于，还包括顶部导流结构，所述顶部导流结构设置于所述顶盖和门体的上方，所述顶部导流结构包括引流部，所述引流部为板状结构，其至少部分罩设于所述门体的上方；所述引流部的侧部配置有端板，所述端板朝向所述顶盖的开口方向设置；所述门体处于打开状态时，所述端板位于所述缓存部的正上方。

6.如权利要求5所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述引流部的上表面为倾斜面，所述倾斜面的倾斜方向垂直于所述门体的长度方向。

7.如权利要求1所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述门体通过摆动机构设置于所述顶盖上方，所述摆动机构包括摆动件，其一端连接于所述门体，其另一端连接于所述顶盖；所述摆动件能够带动所述门体摆动，以实现所述开口的打开与关闭。

8.如权利要求7所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述顶盖配置有沿其宽度方向移动的齿条，所述齿条的上部啮合有齿轮，所述齿轮通过转动轴与所述摆动件连接；移动的齿条带动齿轮及转动轴旋转，进而带动与所述摆动件连接的门体绕转动轴摆动。

9.如权利要求7所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述开口的外周侧配置有密封圈，与所述摆动机构连接的门体抵压于所述密封圈。

10.如权利要求1所述的晶圆后处理装置，其特征在于，所述底部导流结构由亲水性材料制成，以使滴落至其表面的液滴的接触角小于90°；并且，所述底部引导部配置有限位块，所述限位块抵接并固定于所述顶盖的底面，以确定所述底部引导部的安装基准。