用以保护半导体封装键合焊盘免受污染的金属或聚合物层的制作方法

本公开大体上涉及半导体，且具体地说，涉及用以保护半导体封装键合焊盘免受污染的金属或聚合物层。

背景技术：

1、半导体晶片是用于制造半导体芯片的圆形半导体材料件，例如硅。通常，使用复杂的制造工艺以在单个晶片上形成许多集成电路。在晶片上形成此类电路称为制造。在晶片制造之后，将晶片切割成多个件，称为半导体裸片，其中每个裸片包含电路中的一者。将晶片切割或锯切成个别裸片称为单切。随后，可将个别裸片耦合到衬底或裸片焊盘。随后，用模塑料覆盖所得结构以产生封装。

技术实现思路

1、在实例中，一种半导体封装包含：体声波(baw)谐振器裸片，其具有形成有电路系统的装置侧；支撑结构，其耦合到所述装置侧且包围所述电路系统；键合焊盘，其耦合到所述装置侧且在所述支撑结构的周边外部；金属或聚合物层，其耦合到所述支撑结构且覆盖所述电路系统；蚀刻停止层，其耦合到所述金属或聚合物层；以及无源半导体结构，其耦合到所述蚀刻停止层，使得所述蚀刻停止层在所述半导体结构与所述金属或聚合物层之间。所述金属或聚合物层、所述蚀刻停止层和所述半导体结构的外侧表面大致彼此齐平，并且所述半导体结构的全部所述外侧表面具有等离子体蚀刻条纹。

2、在实例中，一种用于制造半导体封装的方法包含：将耦合有半导体结构的氧化物层耦合到半导体晶片的装置侧上的支撑结构，所述半导体晶片具有形成在所述装置侧中的电路系统，所述支撑结构包围所述电路系统，所述半导体晶片具有在所述支撑结构的周边外部的键合焊盘；将所述半导体结构上的光刻胶层图案化；使用所述光刻胶层蚀刻所述半导体结构以在所述键合焊盘上方形成腔，所述半导体结构在所述腔与所述氧化物层之间的部分具有厚度；使用水射流去除所述半导体结构的所述部分和所述氧化物层在所述半导体结构的所述部分下方的部分；锯切穿过所述半导体晶片以产生单切半导体裸片；将键合线耦合到所述键合焊盘；以及将模塑料施加到所述半导体裸片、所述半导体结构、所述键合焊盘和所述键合线。

1.一种半导体封装，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物层具有介于0.5微米至5微米之间的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物层选自由铝、铜、钨和钛-钨组成的群组。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物层选自由聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚二甲基硅氧烷、su-8和聚苯并恶唑组成的群组。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述baw谐振器裸片包含包围所述电路系统的沟槽，并且其中所述支撑结构包围所述沟槽。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述蚀刻停止层具有在0.1微米至3微米的范围内的厚度。

7.一种半导体封装，其包括：

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所有所述金属或聚合物结构在竖直方向上在所述氧化物层的500 nm内。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中当在剖面图中观察时，所述金属或聚合物结构在所述氧化物层下方。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物结构选自由铝、铜、钨和钛-钨组成的群组。

11.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物结构选自由聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚二甲基硅氧烷、su-8和聚苯并恶唑组成的群组。

12.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物结构不覆盖所述电路系统。

13.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述金属或聚合物结构是形状不规则的。

14.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述baw谐振器裸片包含包围所述电路系统的沟槽，并且其中所述支撑结构包围所述沟槽。

15.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述氧化物层具有在0.1微米至3微米的范围内的厚度。

16.一种半导体封装，其包括：

17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述条纹是等离子体蚀刻条纹。

18.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述键合焊盘比所述竖直平面距所述电路系统更远。

19.根据权利要求16所述的半导体封装，其进一步包括包围所述电路系统的沟槽，并且其中所述支撑结构包围所述沟槽。

20.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述层级距所述半导体结构的所述底表面200 nm与500 nm之间。

21.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述条纹中的至少一者跨越所述半导体结构的四个外侧表面延伸。

22.一种用于制造半导体封装的方法，其包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述厚度在200 nm至500 nm的范围内。