半导体装置和电力变换装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置和电力变换装置，特别涉及以氧化镓为材料的半导体装置和使用该半导体装置的电力变换装置。

背景技术：

1、氧化镓(ga2o3)具有超过碳化硅(sic)和氮化镓(gan)的带隙，是有利于功率器件的高耐压化和低电阻化的材料，ga2o3作为面向下一代的功率器件材料备受期待。

2、作为使用ga2o3的半导体装置，例如已知如专利文献1的图4中公开的那样使用向n型的氧化镓层注入氮(n)而形成的深受主层的di-mos(double implanted metal-oxide-semiconductor：双注入金属氧化物半导体)构造。

3、专利文献1：国际公开第2018/199241号

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、一般来说，di-mos构造的制造中需要进行用于注入损伤的恢复和注入离子种的激活的退火处理。如果对ga2o3进行退火处理则在表面容易产生缺陷，特别是如果在di-mos构造中的被称为jfet区域的栅极电极下的区域产生缺陷，则施主浓度下降，有可能对晶体管的id-vd特性的上升沿产生影响。即使为了恢复因退火处理而下降的施主浓度而向jfet区域掺杂硅等施主型的元素，也会残留缺陷，因此半导体装置的耐压有可能下降。另外，如果在退火处理之后对产生了缺陷的部分整面地进行蚀刻来去除，则阱层的厚度减少，因此半导体装置的耐压有可能下降。

3、本公开是为了解决如上所述的问题而完成的，目的在于提供抑制了耐压的下降的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。

4、用于解决问题的方案

5、本公开所涉及的半导体装置具备：氧化镓半导体层；杂质层，形成于所述氧化镓半导体层的第一主面的表面内，具有受主型的第一杂质，所述第一杂质的至少一部分被激活；第一凹槽，去除所述杂质层和所述氧化镓半导体层的一部分来设置，形成得比所述杂质层浅；第一主电极，设置于所述第一主面的上部；以及第二主电极，设置于所述氧化镓半导体层的第二主面的上部。

6、发明的效果

7、根据本公开所涉及的半导体装置，设置第一凹槽的部分被限定，杂质层的厚度得以维持，因此能够抑制耐压的下降。

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求2至7中的任一项所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，

14.根据权利要求11至13中的任一项所述的半导体装置，其中，

15.根据权利要求10或14所述的半导体装置，其中，

16.根据权利要求2或11所述的半导体装置，其中，

17.一种电力变换装置，具备：