原因推断装置、原因推断方法和存储介质与流程

本发明涉及基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种涂敷膜去除方法，其包括：一边使圆形的基片绕其正交轴旋转，一边从溶剂喷嘴向该基片的表面的涂敷膜的周缘部供给溶剂，以预先设定的宽度尺寸呈环状地去除涂敷膜的涂敷膜去除步骤；向用于拍摄基片的整个表面来检查涂敷膜的状态的检查模块输送该基片的步骤；基于由检查模块获取的图像数据来检测涂敷膜的去除区域的步骤；和基于检测结果来校正后续的基片的交接位置的步骤。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-91105号公报。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本发明提供一种能够使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置。

3、用于解决问题的技术手段

4、本发明的一个侧面的基片处理装置包括：周缘去除部，其去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分；分布获取部，其获取表示基片的周向上的位置与基片中被去除了覆膜的部分的宽度的关系的去除宽度分布；和原因推断部，其基于去除宽度分布，输出表示宽度的误差的原因的原因信息。

5、发明效果

6、根据本发明，能够提供一种使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置。

1.一种原因推断装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的原因推断装置，其特征在于：

3.如权利要求1所述的原因推断装置，其特征在于：

4.如权利要求1所述的原因推断装置，其特征在于：

5.如权利要求1所述的原因推断装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的原因推断装置，其特征在于：

7.如权利要求6所述的原因推断装置，其特征在于：

8.一种原因推断方法，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的原因推断方法，其特征在于：

10.如权利要求8所述的原因推断方法，其特征在于：

11.如权利要求8所述的原因推断方法，其特征在于：

12.如权利要求8所述的原因推断方法，其特征在于：

13.如权利要求12所述的原因推断方法，其特征在于：

14.如权利要求13所述的原因推断方法，其特征在于：

15.一种计算机可读存储介质，其特征在于：存储有用于使装置执行权利要求8至14中任一项所述的原因推断方法的程序。