可应用于半导体制造的模块化流动腔室套件、处理腔室、及相关设备及方法与流程

本公开的实施方式涉及可应用于半导体制造的模块化流动腔室套件、处理腔室及相关设备和方法。

背景技术：

1、半导体基板被处理以满足各种应用需求，包括集成设备和微设备的制造。一种处理基板的方法包括在基板的上表面上沉积一种材料，如介电材料或半导体材料。该材料可以在侧流腔室中沉积，通过平行于支撑上定位的基板表面流动处理气体，并热分解该处理气体，以便将气体中的材料沉积到基板表面上。

2、然而，某些操作（如外延沉积操作）可能耗时、昂贵且效率低下，并且可能具有有限的容量和产量。例如，在选择性方面，沉积可能受到限制，这可能需要额外的蚀刻和/或改变工艺配方。另例子是，均匀沉积和/或均匀蚀刻多种结构可能会很困难。再者，结构的清晰度（例如沉积层之间的边界）可能会受到限制。

3、因此，对于改进半导体处理的设备和方法存在需求。

技术实现思路

1、本公开的实施方式涉及可应用于半导体制造的模块化流动腔室套件、处理腔室及相关设备和方法。

2、在一或多个实施方式中，适用于半导体制造的处理腔室包括腔室主体。该腔室主体至少部分地定义了处理体积。腔室主体包括在腔室主体中形成的多个注入通道，并以多个流动层排列，以及在腔室主体中形成的一或多个排气通道。处理腔室包括一或多个可操作以加热处理体积的热源、配置在处理体积中的基板支撑，以及与基板支撑间隔的板材。基板支撑和板材可以由多个流动层中的至少一个流动层移动，以使基板支撑对齐于第一流动层的一或多个第一注入通道和第二流动层的一或多个第二注入通道之间。

3、在一或多个实施方式中，适用于半导体制造的腔室套件包括衬垫和板材。衬垫包括内表面、一或多个延伸至内表面的第一流动开口、在一或多个第一流动开口的第一侧延伸至内表面的第二流动开口，以及在一或多个第一流动开口的第二侧延伸至内表面的第三流动开口。该板材的大小和形状适合于被安置在衬垫的内表面内。该板材包括外部区域，大小和形状适合于跨越一或多个第一流动开口、一或多个第二流动开口和一或多个第三流动开口。

4、在一或多个实施方式中，一种基板处理的方法包括将第一气流流入处理腔室的第一流动层并流过基板，并将第二气流流入处理腔室的第二流动层并流过位于基板上方或下方的板材。该方法包括加热基板，并在第一气流流入第一流动层的同时，将基板移离第一流动层。

1.一种适用于半导体制造的处理腔室，所述处理腔室包括：

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述板材包括至少一个不透明的外表面，且所述板材在所述板材的外部尺寸上具有实心的横截面。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述腔室主体进一步包括至少部分内衬金属主体的衬垫。

4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述衬垫的内部尺寸大于所述板材的外部尺寸，以在所述内部尺寸和所述外部尺寸之间定义间隙。

5.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述间隙小于1.0mm。

6.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述衬垫包括：

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中：

8.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述板材进一步包括相对于所述板材的第二外表面延伸的第二突起，其中所述第一突起围绕所述第一外表面，且所述第二突起围绕所述第二外表面。

9.如权利要求1所述的处理腔室，所述处理腔室进一步包括轴，所述轴延伸穿过所述处理腔室的金属基座的升举开口，其中所述轴与所述基板支撑耦合。

10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述升举开口至少部分地定义了所述金属基座的内表面，且所述金属基座包括：

11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述轴与所述金属基座的所述内表面之间的间隙小于1.0mm。

12.一种适用于半导体制造的腔室套件，所述腔室套件包括：

13.如权利要求12所述的腔室套件，其中所述板材包含至少一个不透明的外表面。

14.如权利要求13所述的腔室套件，其中所述板材包括碳化硅(sic)，且所述板材在所述板材外部尺寸上具有实心的横截面。

15.如权利要求12所述的腔室套件，其中：

16.如权利要求15所述的腔室套件，其中所述间隙小于1.0mm。

17.如权利要求12所述的腔室套件，其中所述板材的所述外部区域包括：

18.一种基板处理方法，所述方法包括：

19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一气流包括第一反应气体，所述第二气流包括惰性气体，所述移动将所述基板从第一位置移开并移至第二位置，且所述方法进一步包括：

20.如权利要求18所述的方法，所述方法进一步包括：