多项目晶圆的CP测试数据分类方法及CP测试系统与流程

本发明属于半导体，具体涉及一种多项目晶圆的cp测试数据分类方法及cp测试系统。

背景技术：

1、多项目晶圆(multi-project wafer，mpw)作为一种高效的流片方式，可将多个工艺兼容的集成电路设计集成至同一晶圆，但是，在mpw的晶圆探针测试(chip probing，简称cp测试)阶段，cp测试作为晶圆级别上对每个独立的die(即未切割、未封装的芯片单元，也称为晶粒或管芯)进行电气特性和功能性验证的关键环节，面临着特殊的挑战。

2、在mpw的cp测试阶段，由于晶圆上集成了多种工艺的die，这些die在cp测试中表现出的电气特性和功能性存在差异，针对这些差异进行cp测试数据的分析，可以帮助设计者进一步了解不同工艺条件下die的电气特性及功能性。然而，cp测试输出的cp测试数据通常以整片晶圆为单位来存储，数据文件仅包含die的坐标和测试结果、不直接关联die的工艺条件，导致设计者无法准确区分cp测试数据对应的工艺条件，进而影响数据分析的准确性和效率。

3、为解决上述问题，现有的mpw cp测试采用的方法是：为每一种工艺的die建立单独的测试map，也就是为每种map单独运行以便测试程序。这种方式虽能实现cp测试数据的分类，但mpw中往往集成有几十、甚至上百种工艺的die，因此极大地增加了测试人员的工作量，延长了测试周期，并且晶圆重复上下片将会导致cp测试设备的利用率下降。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种mpw晶圆cp测试数据分类方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、第一方面，本发明提供一种多项目晶圆的cp测试数据分类方法，包括：

3、生成覆盖整片多项目晶圆mpw中所有芯片单元die的全局测试map，所述全局测试map包括测试项及每个die在晶圆上的坐标；

4、基于所述全局测试map，对mpw中所有die进行晶圆探针cp测试，输出cp测试数据及cp测试数据对应的被测die在所述全局测试map中的坐标；

5、基于mpw上die的物理排列顺序，建立存储工艺条件标识符的chip排布表；

6、选取mpw中的定位die，根据所述定位die在所述全局测试map中的坐标以及所述定位die在chip排布表中的坐标，建立所述全局测试map与所述chip排布表的坐标映射关系；

7、根据所述坐标映射关系以及cp测试数据对应的被测die在所述全局测试map中的坐标，将各cp测试数据分类至所述chip排布表中不同工艺类型标识对应的die。

8、在本发明的一个实施例中， 所述chip排布表为行列的矩阵，其中，位于chip排布表中第行、第列的工艺条件标识符表示为，，。

9、在本发明的一个实施例中，选取mpw中的定位die的步骤，包括：

10、基于mpw定位点确定mpw中的定位die。

11、在本发明的一个实施例中，根据所述定位die在所述全局测试map中的坐标以及所述定位die在chip排布表中的坐标，建立所述全局测试map与所述chip排布表的坐标映射关系的步骤，包括：

12、获取所述定位die在所述全局测试map中的坐标，以及所述定位die在chip排布表中的坐标；

13、将所述定位die在所述全局测试map中的横坐标、纵坐标分别对所述矩阵的列数和行数进行取余运算，得到余数、：

14、；

15、；

16、式中，表示取余运算；

17、分别计算余数、与所述定位die在chip排布表中的横坐标、纵坐标之间的差值，得到所述全局测试map与所述chip排布表的横向偏移量和纵向偏移量：

18、；

19、。

20、在本发明的一个实施例中，根据所述坐标映射关系以及cp测试数据对应的被测die在所述全局测试map中的坐标，将各cp测试数据分类至所述chip排布表中不同工艺类型标识对应的die的步骤，包括：

21、将任一所述cp测试数据在所述全局测试map中的横坐标、纵坐标分别对所述矩阵的列数和行数进行取余运算，得到余数、：

22、；

23、；

24、分别计算所述余数、与所述横向偏移量和纵向偏移量的差值，得到该cp测试数据在所述chip排布表中的坐标：

25、；

26、；

27、将该cp测试数据分类至所述chip排布表中坐标处的工艺条件标识符对应的die。

28、第二方面，本发明还提供一种多项目晶圆的cp测试系统，包括：

29、生成模块，用于生成覆盖整片多项目晶圆mpw中所有芯片单元die的全局测试map，所述全局测试map包括测试项及每个die在晶圆上的坐标；

30、探针台控制模块，用于基于所述全局测试map，对mpw中所有die进行晶圆探针cp测试，输出cp测试数据及cp测试数据对应的被测die在所述全局测试map中的坐标；

31、建表模块，用于基于mpw上die的物理排列顺序，建立存储工艺条件标识符的chip排布表；

32、坐标映射模块，用于选取mpw中的定位die，根据所述定位die在所述全局测试map中的坐标以及所述定位die在chip排布表中的坐标，建立所述全局测试map与所述chip排布表的坐标映射关系；

33、数据分类模块，用于根据所述坐标映射关系以及cp测试数据对应的被测die在所述全局测试map中的坐标，将各cp测试数据分类至所述chip排布表中不同工艺类型标识对应的die。

34、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

35、(1)本发明提供一种多项目晶圆的cp测试数据分类方法及cp测试系统，通过建立覆盖多项目晶圆mpw中所有die的全局测试map，并选取mpw中的定位die作为映射过程中的空间基准点，建立了全局测试map与chip排布表的坐标映射关系，从而将cp测试数据映射至chip排布表中的工艺条件标识符，解决了多工艺混排mpw在cp测试时cp测试数据混杂的问题。

36、(2)对于因掩模版对准偏差导致的系统性偏移，通过调整坐标偏移量(包括横向偏移量和\或纵向偏移量)即可消除系统性偏差，因此，本发明提供的多项目晶圆的cp测试数据分类方法及cp测试系统能够动态调整坐标映射关系，确保了cp测试数据映射至不同工艺条件标识符时映射结果的准确性。

37、以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。

1.一种多项目晶圆的cp测试数据分类方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多项目晶圆的cp测试数据分类方法，其特征在于， 所述chip排布表为行列的矩阵，其中，位于chip排布表中第行、第列的工艺条件标识符表示为，，。

3.根据权利要求2所述的多项目晶圆的cp测试数据分类方法，其特征在于，选取mpw中的定位die的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的多项目晶圆的cp测试数据分类方法，其特征在于，根据所述定位die在所述全局测试map中的坐标以及所述定位die在chip排布表中的坐标，建立所述全局测试map与所述chip排布表的坐标映射关系的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的多项目晶圆的cp测试数据分类方法，其特征在于，根据所述坐标映射关系以及cp测试数据对应的被测die在所述全局测试map中的坐标，将各cp测试数据分类至所述chip排布表中不同工艺类型标识对应的die的步骤，包括：

6.一种多项目晶圆的cp测试系统，其特征在于，包括：