新型半桥功率模块的制作方法

摘要: 本技术涉及半导体器件,具体地涉及一种新型半桥功率模块。背景技术:1、现有技术中,大部分大电流半桥模块封装以ed3为主,但其内部采用铝键合线进行电气互联,导致开关...
新型半桥功率模块的制作方法

本技术涉及半导体器件,具体地涉及一种新型半桥功率模块。

背景技术:

1、现有技术中,大部分大电流半桥模块封装以ed3为主,但其内部采用铝键合线进行电气互联,导致开关损耗增加、电压过冲严重,模块整体换流回路较长,且引出的电寄端子大幅增加了系统的杂散电感,键合线在温度循环下易因热机械疲劳而脱落,已经逐渐不适用于当前新能源汽车的高压平台,且现有技术中的大电流半桥模块整体结构太大,整体重量大,有悖于当前新能源领域高功率密度和轻量化的发展要求。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了克服现有技术存在大电流半桥模块尺寸较大,寄生电感和杂散电感多的问题,提供一种新型半桥功率模块,该功率模块极大的提高了功率器件的空间利用率,缩小模块体积,提高了功率密度,减小了模块尺寸,且通过对上桥和下桥以及正极dc端子和负极dc端子层叠的设置方式,实现电流互相重叠的回路,从而减小换流回路的寄生电感,实现模块杂散电感的降低。

2、为了实现上述目的,本实用新型提供一种新型半桥功率模块,包括:

3、amb基板,所述amb基板上并排设置有第一芯片组和第二芯片组;

4、上桥,一端与所述第一芯片组连接,另一端与所述amb基板连接;

5、下桥,一端与所述第二芯片组连接,另一端延伸至所述上桥的上方;

6、正极dc端子,设置在所述amb基板靠近所述第一芯片组的一侧,且所述正极dc端子设置的高度高于所述下桥的高度;

7、负极dc端子,一端与所述下桥的另一端连接,设置在所述正极dc端子的顶面。

8、可选地,所述amb基板包括:

9、陶瓷层;

10、第一铜层,设置在所述陶瓷层的顶面,所述第一铜层上设置有第一芯片组;

11、第二铜层,设置在所述陶瓷层的顶面,所述第一铜层的一侧,所述第二铜层上设置有第二芯片组;

12、所述第一铜层和所述第二铜层之间设置有第三铜层和第四铜层,且不同铜层之间相互绝缘。

13、可选地,所述上桥包括:

14、第一连接部;

15、多个第一引脚,设置在所述第一连接部的一端,与所述第一芯片组连接;

16、第二引脚,设置在所述第一连接部的另一端,与所述第二铜层连接。

17、可选地,所述下桥包括:

18、第二连接部;

19、多个第三引脚,设置在所述第二连接部的一端,且呈l形,与所述第二芯片组连接;

20、两个第四引脚,设置在所述第二连接部的另一端,且呈l形,其中一个引脚与所述第三铜层连接,另一个引脚与所述第四铜层连接。

21、可选地,所述正极dc端子包括:

22、第三连接部;

23、两个第五引脚,设置在所述第三连接部的一端的两个边缘,且呈l形,与所述第一铜层连接。

24、可选地,所述负极dc端子包括:

25、第四连接部;

26、两个第六引脚,设置在所述第四连接部的一端的两个边缘,且呈l形,与所述第二连接部连接。

27、可选地,所述功率模块还包括:

28、ac端子,设置在所述第二芯片组远离所述第一芯片组的一侧,与所述第二铜层连接,且所述ac端子设置的高度高于所述上桥高度。

29、可选地,所述ac端子包括:

30、第五连接部;

31、两个第七引脚,设置在所述第五连接部的一端的两个边缘,且呈l形,与所述第二铜层连接。

32、可选地,所述第一芯片组和所述第二芯片组的芯片与所述第一铜层和所述第二铜层之间设置有烧结层,所述烧结层材质为银。

33、可选地,所述功率模块还包括:

34、封装壳体,所述封装壳体上预留有通孔;

35、底板,设置在所述amb基板的底部,所述底板上设置有pin针,用于散热。

36、通过上述技术方案,本实用新型提供一种新型半桥功率模块,通过在amb基板上并排设置有第一芯片组和第二芯片组,将上桥的一端与第一芯片组连接,另一端与amb基板连接,下桥的一端与第二芯片组连接,另一端延伸至上桥的上方,正极dc端子设置在amb基板靠近第一芯片组的一侧,且正极dc端子设置的高度高于下桥的高度,负极dc端子的一端与下桥的另一端连接,设置在正极dc端子的顶面。该功率模块极大的提高了功率器件的空间利用率,缩小模块体积,提高了功率密度,减小了模块尺寸,且通过对上桥和下桥以及正极dc端子和负极dc端子层叠的设置方式,实现电流互相重叠的回路,从而减小换流回路的寄生电感,实现模块杂散电感的降低。

1.一种新型半桥功率模块,其特征在于,所述功率模块包括:

2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述amb基板包括:

3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述上桥包括:

4.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述下桥包括:

5.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述正极dc端子包括:

6.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,所述负极dc端子包括:

7.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括:

8.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于,所述ac端子包括:

9.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述第一芯片组和所述第二芯片组的芯片与所述第一铜层和所述第二铜层之间设置有烧结层,所述烧结层的材质为银。

10.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括: