一种测试单元的制作方法

本技术涉及半导体，特别涉及一种测试单元。

背景技术：

1、晶圆允收测试（wafer acceptance test，wat），是一种用来测试监控生产的晶圆工艺好坏的判断方法，会使用到专用的测试机台以及测试针卡，并且测试摆放在晶圆上故意制造的测试单元（testkey）。当前，高压mos晶体管的wat测试时存在测试风险，具体风险为：（1）在高压mos晶体管的漏电流ioff的量测时，由于环境湿度的限制，当漏极施加电压增加时，高压mos晶体管的表面漏电占据主导，导致量测到的漏电流高于高压mos晶体管本身的漏电流ioff；（2）在高压mos晶体管的breakdown voltage（击穿电压）的量测时，在开发阶段由于漏极电压vd过大，烧毁了高压mos晶体管，从而存在烧毁测试针卡的风险。

技术实现思路

1、本实用新型的目的之一在于，提供一种测试单元，可以降低测试风险。

2、本实用新型的另一目的在于，可以保护测试针卡，提高漏电流ioff量测准确性。

3、为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种测试单元，包括高压mos晶体管、连接在所述高压mos晶体管的源极和漏极中至少一个上的电阻、第一源极引脚、第二源极引脚、第一漏极引脚和栅极引脚，所述高压mos晶体管的源极连接一源极电阻，所述高压mos晶体的栅极连接所述栅极引脚，所述高压mos晶体的源极同时连接所述第一源极引脚和所述源极电阻的一端，所述源极电阻的另一端连接所述第二源极引脚，所述高压mos晶体的漏极连接所述第一漏极引脚。

4、可选的，所述高压mos晶体管的漏极连接一漏极电阻。

5、进一步的，所述测试单元还包括第一源极引脚、第一漏极引脚、第二漏极引脚和栅极引脚，所述高压mos晶体管的栅极连接所述栅极引脚，所述高压mos晶体管的源极连接所述第一源极引脚，所述高压mos晶体管的漏极同时连接所述第一漏极引脚和所述漏极电阻的一端，所述漏极电阻的另一端连接所述第二漏极引脚。

6、可选的，所述高压mos晶体管的源极连接一源极电阻，所述高压mos晶体管的漏极连接一漏极电阻。

7、进一步的，所述测试单元还包括第一源极引脚、第二源极引脚、第一漏极引脚、第二漏极引脚和栅极引脚，

8、所述高压mos晶体管的栅极连接所述栅极引脚，所述高压mos晶体管的源极同时连接所述源极电阻的一端和所述第一源极引脚，所述源极电阻的另一端连接所述第二源极引脚，所述高压mos晶体管的漏极同时连接所述第一漏极引脚和所述漏极电阻的一端，所述漏极电阻的另一端连接所述第二漏极引脚。

9、进一步的，所述源极电阻的取值为104 ohm~107 ohm。

10、进一步的，所述漏极电阻取值为104 ohm~107 ohm。

11、可选的，所述测试单元还包括测试引脚，所述测试引脚连接至所述源极电阻的另一端。

12、可选的，所述源极电阻为多晶硅电阻。

13、可选的，所述高压mos晶体管的工作电压在40v~200v之间。

14、与现有技术相比，本实用新型具有以下技术效果：

15、本实用新型提供一种测试单元，包括高压mos晶体管、连接在所述高压mos晶体管的源极和漏极中至少一个上的电阻、第一源极引脚、第二源极引脚、第一漏极引脚和栅极引脚，所述高压mos晶体管的源极连接一源极电阻，所述高压mos晶体的栅极连接所述栅极引脚，所述高压mos晶体的源极同时连接所述第一源极引脚和所述源极电阻的一端，所述源极电阻的另一端连接所述第二源极引脚，所述高压mos晶体的漏极连接所述第一漏极引脚，可以降低测试风险。

16、进一步的，所述高压mos晶体管的源极连接一源极电阻，和/或所述高压mos晶体管的漏极连接一漏极电阻，通过源极电阻可以提高漏电流ioff的测试准确性，通过漏极电阻可以降低击穿电压测试风险，并保护测试针卡。

1.一种测试单元，其特征在于，包括高压mos晶体管、连接在所述高压mos晶体管的源极和漏极中至少一个上的电阻、第一源极引脚、第二源极引脚、第一漏极引脚和栅极引脚，所述高压mos晶体管的源极连接一源极电阻，所述高压mos晶体的栅极连接所述栅极引脚，所述高压mos晶体的源极同时连接所述第一源极引脚和所述源极电阻的一端，所述源极电阻的另一端连接所述第二源极引脚，所述高压mos晶体的漏极连接所述第一漏极引脚。

2.如权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述高压mos晶体管的漏极连接一漏极电阻。

3.如权利要求2所述的测试单元，其特征在于，所述测试单元还包括第一源极引脚、第一漏极引脚、第二漏极引脚和栅极引脚，所述高压mos晶体管的栅极连接所述栅极引脚，所述高压mos晶体管的源极连接所述第一源极引脚，所述高压mos晶体管的漏极同时连接所述第一漏极引脚和所述漏极电阻的一端，所述漏极电阻的另一端连接所述第二漏极引脚。

4.如权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述高压mos晶体管的源极连接一源极电阻，所述高压mos晶体管的漏极连接一漏极电阻。

5.如权利要求4所述的测试单元，其特征在于，所述测试单元还包括第一源极引脚、第二源极引脚、第一漏极引脚、第二漏极引脚和栅极引脚，

6.如权利要求4所述的测试单元，其特征在于，所述源极电阻的取值为104 ohm~107ohm。

7.如权利要求2或4所述的测试单元，其特征在于，所述漏极电阻取值为104 ohm~107ohm。

8.如权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述高压mos晶体管的工作电压在40v~200v之间。

9.如权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述测试单元还包括测试引脚，所述测试引脚连接至所述源极电阻的另一端。

10.如权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述源极电阻为多晶硅电阻。