封装结构的制作方法
本公开大体上涉及一种封装结构,且更具体地说,涉及一种利用垂直引线作为对准标记的半导体封装结构。
背景技术:
1、封装结构的垂直扇出(vfo)配置使用引线键合进行垂直电连接。所述结构实现用于在裸片或ic与安置在其上的重新分布层(rdl)之间传输电信号的垂直连接。然而,在为形成rdl而进行研磨之后,仅保留引线的端点,并且由于引线的大小和形状相同,因此可能难以在后续的对准期间准确地捕捉正确位置,从而导致可能出现未对准情形。因此,需要一种改进的封装结构。
技术实现思路
1、在一些实施例中,一种封装结构包含:第一半导体组件;第二半导体组件,其安置在所述第一半导体组件上方;多个对准引线,其安置在所述第二半导体组件上;以及包封体,其包封所述第一半导体组件、所述第二半导体组件和所述多个对准引线。所述包封体具有暴露所述多个对准引线的顶表面的顶表面。在俯视图中,所述多个对准引线的所述顶表面构成对准图案。
2、在一些实施例中,一种封装结构包含第一裸片、第二裸片、包封体、多个第一导电引线、多个第二导电引线和多个第一对准引线。所述第一裸片具有第一主动表面,并且所述第二裸片安置在所述第一裸片下方且具有第二主动表面。所述包封体包封第一裸片和第二裸片且具有第一表面,所述第一表面包含第一区域、第二区域和在所述第一区域与所述第二区域之间的对准区域。所述多个第一导电引线安置在所述第二裸片的所述第二主动表面上且由所述包封体包封,并且所述多个第一导电引线的顶表面在所述包封体的所述第一区域中暴露。所述多个第二导电引线安置在所述第二裸片的所述第二主动表面上且由所述包封体包封,并且所述多个第二导电引线的顶表面在所述包封体的所述第二区域中暴露。所述多个第一对准引线在所述第一裸片的所述第一主动表面与所述包封体的所述第一表面之间延伸,并且所述多个第一对准引线的顶表面在所述对准区域中暴露且构成第一对准标记。
3、在一些实施例中,一种封装结构包含具有主动表面的电子组件、安置在所述主动表面上的对准引线、安置在所述主动表面上的导电引线,以及包封所述电子组件、所述对准引线和所述导电引线的包封体。所述对准引线和所述导电引线的顶表面由所述包封体暴露。所述导电引线比所述对准引线更靠近所述电子组件的边缘。
1.一种封装结构,其包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其进一步包括:
3.根据权利要求2所述的封装结构,其进一步包括间隙区,所述间隙区在所述俯视图中在所述对准图案与所述导电图案之间。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其中在所述俯视图中,所述间隙区的宽度大于所述多个对准引线的所述顶表面中的一者的直径。
5.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述多个对准引线的所述顶表面中的一者的形状基本上与所述多个导电引线的所述顶表面中的一者的形状相同。
6.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述多个对准引线的长度小于所述多个导电引线的长度,其中在横截面视图中,所述多个对准引线中的第一者和所述包封体的所述顶表面形成第一角度,其中在所述横截面视图中,所述多个导电引线中的第一者和所述包封体的所述顶表面形成第二角度,并且其中在所述横截面视图中,所述第一角度比所述第二角度更接近90°。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其中在所述横截面视图中,所述多个对准引线中的所述第一者和所述多个导电引线中的所述第一者在不同方向上偏斜。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其进一步包括安置在所述包封体的所述顶表面上方的重新分布层rdl,其中所述rdl包含导电层和覆盖所述导电层的介电层,其中所述介电层覆盖所述多个对准引线的所述顶表面。
9.根据权利要求1所述的封装结构,其中在所述俯视图中,所述对准图案包含十字。
10.一种封装结构,其包括:
11.根据权利要求10所述的封装结构,其中所述第一对准标记靠近所述第一区域的拐角。
12.根据权利要求10所述的封装结构,其中在俯视图中,所述多个第一对准引线的所述顶表面中的一者呈椭圆形形状。
13.根据权利要求10所述的封装结构,其中所述多个第一对准引线的所述顶表面中的第一者和第二者为椭圆形,其中所述第一者的长轴在与所述第二者的长轴不同的方向上延伸。
14.根据权利要求10所述的封装结构,其进一步包括:
15.根据权利要求10所述的封装结构,其进一步包括在所述第一裸片的所述第一主动表面与所述包封体的所述第一表面之间延伸的多个第二对准引线,其中所述多个第二对准引线的顶表面在所述对准区域中暴露且构成第二对准标记,其中所述第二对准标记与所述第一对准标记间隔开,并且其中所述第一对准标记的图案不同于所述第二对准标记的图案。
16.根据权利要求10所述的封装结构,其进一步包括安置在所述包封体的所述顶表面上方的重新分布层rdl,其中所述第一对准标记被配置成在所述rdl的制造期间指示所述第一裸片的位置。
17.根据权利要求16所述的封装结构,其中所述包封体包含多个填料,其中所述介电层包含填充在所述包封体的从所述第一表面凹陷的凹部中的部分,其中在所述横截面视图中,所述介电层的所述部分在平行于所述包封体的所述第一表面的方向上与所述多个第一对准引线中的一者重叠。
18.一种封装结构,其包括:
19.根据权利要求18所述的封装结构,其进一步包括安置在所述对准引线上方的重新分布层rdl,其中所述rdl包含导电层和部分地覆盖所述导电层的介电层,其中所述介电层接触所述对准引线。
20.根据权利要求18所述的封装结构,其中所述电子组件在所述主动表面上具有衬垫,其中所述封装结构在所述第一对准引线与所述电子组件的所述衬垫之间不含晶种层。