半导体装置结构的制作方法

本揭露有关于一种半导体装置结构。

背景技术：

1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业经历指数式增长。ic材料及设计的技术进步已产生数代ic，每一代ic的电路均比前一代更小且更复杂。在ic发展过程中，功能密度(亦即，每晶片面积互连装置的数量)通常增加，而几何尺寸(亦即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供收益。这种按比例缩小亦增加处理及制造ic的复杂度。

2、因此，需要改进ic的处理及制造。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些态样，提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层、第二半导体层、栅极介电层、n型功函数层、p型功函数层及主体金属填充物。第一半导体层设置在基板的n型金氧半导体区域中。第二半导体层设置在基板的p型金氧半导体区域中。栅极介电层围绕第一半导体层的至少一部分及第二半导体层的至少一部分。n型功函数层围绕n型金氧半导体区域中的栅极介电层。p型功函数层围绕n型金氧半导体区域中的n型功函数层设置。p型功函数层围绕p型金氧半导体区域中的栅极介电层。主体金属填充物设置在n型金氧半导体区域及p型金氧半导体区域中的p型功函数层上。

2、根据本揭露的一些态样，提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层、第二半导体层、栅极介电层、第一功函数层、第二功函数层、主体金属填充物及界面层。第一半导体层设置在基板的第一区域中。第二半导体层设置在基板的第二区域中。栅极介电层围绕第一半导体层及第二半导体层。第一功函数层围绕第一区域的栅极介电层。第二功函数层设置在第一区域的第一功函数层周围，其中第二功函数层围绕第二区域的栅极介电层。主体金属填充物，设置在第一区域及第二区域中的第二功函数层上。界面层位于第一半导体层与栅极介电层之间并且位于第二半导体层与栅极介电层之间。

3、根据本揭露的一些态样，提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括第一栅极结构、第二栅极结构与源极/漏极区域。第一栅极结构包括第一半导体层、第一栅极介电层与第一栅极电极。第一栅极介电层围绕第一半导体层。第一栅极电极包括第一功函数层、第二功函数层与主体金属填充物。第一功函数层第一区域中的围绕第一栅极介电层。第二功函数层，设置在第一区域的第一功函数层周围，使得第一功函数层位于第二功函数层与第一栅极介电层之间。主体金属填充物设置在第二功函数层上。第二栅极结构设置在基板的第二区域中，第二区域相邻于第一区域。第二栅极结构包括第二半导体层、第二栅极介电层及第二栅极电极。第二栅极介电层围绕第二半导体层。第二栅极电极包括第二功函数层及主体金属填充物。第二功函数层围绕第二区域中的第二栅极介电层，其中第二功函数层与第二栅极介电层直接接触。主体金属填充物设置在第二功函数层上。源极/漏极区域相邻于第一栅极结构与第二栅极结构。

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该p型功函数层具有：

3.如权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一部分具有一第一厚度，该第二部分具有一第二厚度，且该第一厚度与该第二厚度不同。

4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该p型功函数层具有：

5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，该第三部分具有一第三厚度，该第四部分具有一第四厚度，且该第四厚度大于该第三厚度。

6.一种半导体装置结构，其特征在于，包含：

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其特征在于，该第二功函数层具有：

8.如权利要求7所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一部分具有一第一厚度，该第二部分具有一第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚度。

9.一种半导体装置结构，其特征在于，包含：

10.如权利要求9所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括：