光电器件及其制备方法与流程

本申请涉及光电器件，尤其涉及一种光电器件及其制备方法。

背景技术：

1、目前广泛使用的发光器件为有机发光器件(oled)和量子点发光器件(qled)。oled由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示技术领域中的主流技术。qled具有出射光颜色饱、波长可调、启亮电压低、溶液加工性好、量子点易于精细控制等优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了oled的有力竞争着。

2、传统的oled和qled器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光功能层、电子功能层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子功能层注入，最终迁移到发光功能层，当二者在发光功能层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

3、然而，现有的发光器件的寿命较短，有待进一步提高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法。

2、第一方面，本申请提供一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：

3、提供阳极，在所述阳极上形成预制空穴功能层，所述预制空穴功能层的材料包括具有芴基团的p型半导体材料；

4、提供具有不饱和键的化合物，将所述具有不饱和键的化合物设置在所述预制空穴功能层上，形成辅助层，得到光电器件预制件；

5、对所述光电器件预制件施加正向偏压，并采用负电荷等离子体对所述辅助层进行等离子体处理，使预制空穴功能层与所述辅助层之间的界面处的具有芴基团的p型半导体材料与具有不饱和键的化合物反应以形成交联结构，得到层叠的空穴功能层和界面层，其中，所述空穴功能层中包括所述具有芴基团的p型半导体材料，所述界面层中包括具有芴基团的p型半导体材料与具有不饱和键的化合物反应形成的交联结构；

6、在所述界面层上依次形成发光层和阴极，得到光电器件。

7、第二方面，本申请还提供一种光电器件，包括层叠的阳极、空穴功能层、界面层、发光层和阴极，所述空穴功能层中包括具有芴基团的p型半导体材料，所述界面层中包括具有芴基团的p型半导体材料与具有不饱和键的化合物反应形成的交联结构。

8、本申请所述的制备方法制备得到的光电器件具有较长的寿命等性能。

1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括以下特征(1)～(2)中的一个或多个：

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括以下特征(1)～(17)中的一个或多个：

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，r1、r2、r’、r”各自独立选自氢、羟基、取代或未取代的c1～c20烷基、式(1-1)～式(1-3)所示的基团，或这些团的组合，其中，式(1-1)～式(1-3)所示的基团分别为：

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，r3选自取代或未取代的c1～c20亚烷基、式(1-4)～式(1-5)所示的基团，或这些团的组合，其中，式(1-4)～式(1-5)所示的基团分别为：

8.如权利要求1～7任意一项所述的制备方法，其特征在于，

9.一种光电器件，其特征在于，包括层叠的阳极、空穴功能层、界面层、发光层和阴极，所述空穴功能层中包括具有芴基团的p型半导体材料，所述界面层中包括具有芴基团的p型半导体材料与具有不饱和键的化合物反应形成的交联结构。

10.如权利要求9所述的光电器件，其特征在于，还包括以下特征(1)～(3)中的至少一个：