加固件和包括加固件的半导体封装件的制作方法

本公开涉及一种加固件和包括加固件的半导体封装件。

背景技术：

1、随着半导体芯片变得愈加高性能，它们的频率可能变得更快并且产生了更多噪声。此外，随着噪声增加，半导体芯片内部所提供的功率的损耗可能增加。

2、另外，包括半导体芯片的半导体封装件被制造为具有纤薄的厚度，因此它们对于外部物理应力而言非常脆弱，诸如翘曲。

技术实现思路

1、本公开涉及一种加固件和包括所述加固件的半导体封装件。

2、一些实施方式涉及包括电容器的加固件和包括所述加固件的半导体封装件。

3、一些实施方式涉及用于优化半导体封装件尺寸的加固件和包括所述加固件的半导体封装件。

4、在一些实施方式中，一种半导体封装件包括：衬底，所述衬底包括多个焊盘；半导体芯片结构，所述半导体芯片结构在所述衬底上通过多个互连结构附接到所述衬底，并且电连接到所述多个焊盘；以及加固件，所述加固件在所述衬底上附接到所述衬底，并且包括多个电容器，所述多个电容器包括连接到多个键合线的第一电极和第二电极，其中，所述加固件的高度等于所述半导体芯片结构的高度。

5、在一些实施方式中，一种半导体封装件包括：衬底；半导体芯片结构，所述半导体芯片结构在所述衬底上通过多个第一互连结构附接到所述衬底；以及加固件，所述加固件在所述衬底上附接到所述衬底并被配置为机械地支撑所述衬底，所述加固件包括第一层和位于所述第一层上的第二层，所述第一层包括具有与所述衬底相同的热膨胀系数的材料，并且所述加固件包括在所述第一层和所述第二层中的多个电容器。

6、在一些实施方式中，一种加固件包括：第一层，所述第一层包括硅晶片；第二层，所述第二层位于所述第一层上，其中，所述加固件限定沟槽，所述沟槽延伸到所述第一层的至少一部分和所述第二层的至少一部分中；以及硅电容器，所述硅电容器包括所述沟槽中的第一电极、所述第一电极上的介电层、以及所述介电层上的第二电极。

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加固件包括：

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述加固件限定沟槽，所述沟槽延伸到所述硅层的至少一部分和所述钝化层的至少一部分中，其中，所述多个电容器位于所述沟槽中。

4. 根据权利要求3所述的半导体封装件，其中：

5. 根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述第一电压是提供给所述半导体芯片结构的电源电压，并且所述第二电压是提供给所述半导体芯片结构的接地电压。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述加固件位于所述半导体芯片结构的至少一部分的外围的外部。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个电容器是硅电容器。

10.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，所述半导体封装件包括：

13. 根据权利要求12所述的半导体封装件，其中：

14.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述加固件在所述第一层中限定沟槽，其中，所述多个电容器中的至少一个电容器包括：

15.根据权利要求14所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述多个第二互连结构是微凸块。

17.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述加固件位于所述半导体芯片结构的至少一部分的外围的外部。

18.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第一层包括硅晶片。

19.一种加固件，所述加固件包括：

20. 根据权利要求19所述的加固件，所述加固件还包括：