EUV辐射生成方法与流程

本发明涉及一种生成极紫外（euv）辐射的方法。

背景技术：

1、借助于辐射源生成的光可以由用于半导体制造工艺的曝光装置使用。此类曝光装置的示例为光刻装置、量测装置或者检查装置，更具体地，掩模检查装置，以及甚至更具体地，光化掩模检查装置。

2、光刻装置是被构造为将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻装置例如可以被使用在集成电路（ic）的制造中。光刻装置例如可以将在图案形成装置（例如掩模）处的图案投影到被提供在衬底上的辐射敏感材料（例如光致抗蚀剂或者抗蚀剂）层上。为了将图案投影到衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以被形成在衬底上的特征的最小大小。与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻装置相比，使用具有波长在4至20nm范围内（例如6.7nm或者13.5 nm）的euv辐射的光刻装置，可以被用于在衬底上形成更小的特征。

3、（光化）掩模检查装置是被配置为用于测量掩模或者掩模基底的尺寸、或者用于检测掩模或者掩模基底的缺陷的装置。euv光刻使用反射镜而不是透镜作为光学器件。euv光刻中所使用的掩模基底通常具有用作布拉格反射镜的多层结构。多层可以是钼和硅交替的。如果在该结构中缺陷存在，则所投影的图案将在光刻工艺中发生变形。因此，用以检查是否存在缺陷的掩模检查被认为是用于量产工艺的要求。euv掩模检查可以被用于若干目的以及若干不同阶段中。第一，它可以被用于掩模基底中可能出现的相位缺陷的检测。此类相位缺陷可能在掩模基底的多层叠层的制造中出现。如果未被检测到，则这些相位缺陷将被印刷到所有被印刷有包含相位缺陷的掩模部分的芯片上。通过使用与光刻工具相同或者相似的（13.5nm）光化euv波长，此类相位缺陷可以被正确检测到。第二，掩模检查可以被用于图案化掩模检查，并且可以被执行用于euv图案化掩模的质量控制。例如，掩模检查可以被用于测量掩模基底上的临界尺寸。除了相位缺陷之外，在表面上的吸收层图案缺陷可以被检测到。第三，掩模检查可以被用于模拟曝光并且确定在光化检查中所检测到的缺陷的光学对比度的劣化。第四，掩模检查可以被用于光学邻近效应校正（opc）评估、或者在掩模维修过程期间被使用以改进图案转印保真度。进一步地，它还可以被用于在修复缺陷后检查光学对比度。除上文之外，掩模检查还可以被用于测量微小颗粒/振幅效应。

4、euv辐射可以由激光产生等离子体（lpp）辐射源产生。在lpp辐射源内，激光束可以被用于辐射燃料液滴，以便产生将发射euv辐射的等离子体。

5、与传统lpp辐射源相关联的问题是，可能难以增加由lpp辐射源提供的euv辐射的功率。这可能限制光刻装置或者掩模检查装置（或者其他量测装置）的吞吐量。与传统lpp辐射源相关联的另一问题是它们复杂并且具有相对较低的效率。

6、可以期望以通过现有技术未被公开或者未被建议的方式生成euv辐射。

技术实现思路

1、根据本发明的第一方面，提供了一种生成极紫外（euv）辐射的方法，包括将激光脉冲引导至锡靶上以生成发射euv的等离子体，其中激光脉冲具有至少80ns的持续时间并且具有在1.6微米与2.5微米之间的波长。

2、有利的是，使用具有至少80ns的持续时间以及在1.6微米与2.5微米之间的波长的激光脉冲，可以提供比可使用传统lpp辐射源实现的更高功率的euv辐射。附加地或者备选地，使用具有至少80ns的持续时间以及在1.6微米与2.5微米之间的波长的激光脉冲，可以提供比传统lpp辐射源更高的效率和/或更少的复杂性。

3、激光脉冲可以具有至少100ns的持续时间。

4、锡靶可以是具有至少40微米的直径的液滴。

5、锡靶可以被提供有40 khz或者更少的重复率。

6、激光脉冲可以具有基本平坦的时间分布。

7、激光脉冲可以具有跨至少80微米的直径的平顶空间分布。

8、在实施例中，仅一个激光脉冲入射到每个锡靶上。

9、每个激光脉冲可以具有1j或者更多的能量。

10、每个激光脉冲的前部可以具有持续时间为至少5ns的逐渐上升沿。

11、激光脉冲可以由tm:ylf激光器提供。

12、根据本发明的第二方面，提供了一种辐射源，包括被配置为将锡液滴引导至等离子体形成位置的喷嘴，以及被配置为将具有在1.6微米与2.5微米之间的波长的激光脉冲引导至等离子体形成位置的激光系统，其中辐射源还包括被配置为控制激光系统以使激光脉冲具有至少80ns的持续时间的控制器。

13、有利的是，使用具有至少80ns的持续时间以及在1.6微米与2.5微米之间的波长的激光脉冲，可以提供比可使用传统lpp辐射源实现的更高功率的euv辐射。附加地或者备选地，使用具有至少80ns的持续时间以及在1.6微米与2.5微米之间的波长的激光脉冲，可以提供比传统lpp辐射源更高的效率和/或更少的复杂性。

14、激光脉冲可以具有至少100ns的持续时间。

15、喷嘴可以被配置为提供锡靶，锡靶为具有至少40微米的直径的锡液滴的锡靶。

16、控制器可以被配置为控制喷嘴以向锡靶提供40khz或者更少的重复率。

17、控制器可以控制激光系统以每锡靶提供仅一个激光脉冲。

18、激光系统可以被配置为提供具有至少5ns的持续时间的逐渐上升沿的激光脉冲。

19、激光系统可以包括tm:ylf激光器。

20、根据本发明的第三方面，提供了一种光刻系统，包括根据第二方面的辐射源，并且还包括光刻装置。

21、根据本发明的第四方面，提供了一种光刻工具，包括根据第二方面的辐射源。

22、本发明的不同方面的特征可以被组合在一起。

1.一种生成极紫外（euv）辐射的方法，包括将激光脉冲引导至锡靶上以生成发射euv的等离子体，其中所述激光脉冲具有至少80ns的持续时间并且具有在1.6微米与2.5微米之间的波长。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述锡靶是直径为至少40微米的液滴。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述锡靶被提供有40khz或者更少的重复率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光脉冲具有基本平坦的时间分布。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光脉冲具有跨至少80微米的直径的平顶空间分布。

6.根据权利要求1所述的方法，其中仅一个激光脉冲入射到每个锡靶上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中每个激光脉冲具有1j或者更多的能量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述每个激光脉冲的前部具有持续时间为至少5ns的逐渐上升沿。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光脉冲由tm:ylf激光器提供。

10.一种辐射源，包括被配置为将锡液滴引导至等离子体形成位置的喷嘴，以及被配置为将具有在1.6微米与2.5微米之间的波长的激光脉冲引导至所述等离子体形成位置的激光系统，其中所述辐射源还包括被配置为控制所述激光系统以使所述激光脉冲具有至少80ns的持续时间的控制器。

11.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述喷嘴被配置为提供锡靶，所述锡靶为具有至少40微米的直径的锡液滴。

12.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述控制器被配置为控制所述喷嘴以向所述锡靶提供40khz或者更少的重复率。

13.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述控制器控制所述激光系统以每锡靶提供仅一个激光脉冲。

14.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述激光系统被配置为提供带有具有至少5ns的持续时间的逐渐上升沿的激光脉冲。

15.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述激光系统包括tm:ylf激光器。

16.一种光刻系统，包括根据权利要求10所述的辐射源，并且还包括光刻装置。

17.一种光刻工具，包括根据权利要求10所述的辐射源。