半导体器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、在半导体制造中，在背侧处理期间使用载体晶圆来支撑器件晶圆，背侧处理可以包括诸如减薄（或研磨）、蚀刻、金属化和/或贯贯穿衬底互连形成的操作，以及其它实例。在前侧处理之后，器件晶圆可以临时接合至通常由硅、玻璃或蓝宝石制成的更厚、更坚固的载体晶圆，以提供机械稳定性，并且在随后的处置和处理期间保护器件晶圆的集成电路（ic）结构。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：横跨半导体衬底的表面沉积停止层的材料，其中，所述停止层沉积至第一沉积态厚度；在横跨所述半导体衬底的所述表面的所述停止层上方沉积接合层的材料，其中，所述停止层的所述材料具有比所述接合层的所述材料大的硬度，并且其中，所述接合层沉积至第二沉积态厚度；实施平坦化操作以平坦化所述接合层，以增大所述接合层的表面均匀性，其中，所述停止层在所述平坦化操作中用作平坦化停止层；以及使用所述接合层将所述半导体衬底接合至载体衬底。

2、本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在形成在半导体衬底上的半导体器件的半导体层中形成一个或多个集成电路器件；在所述半导体层的第一侧之上形成第一互连层；横跨所述第一互连层的表面沉积停止层的材料，其中，所述停止层沉积至第二沉积态厚度；在所述停止层上方沉积接合层的材料；实施平坦化操作以平坦化所述接合层，以将所述接合层的厚度从所述第二沉积态厚度减小至平坦化后厚度，其中，用于所述接合层的所述材料的材料去除速率大于用于所述停止层的所述材料的材料去除速率；在所述平坦化操作之后沉积所述接合层的额外部分，从而使得所述接合层的所述厚度从所述平坦化后厚度增大；使用所述接合层将所述半导体衬底接合至载体衬底；以及在所述载体衬底支撑所述半导体衬底的同时，在所述半导体层的与所述第一侧垂直相邻的第二侧之上形成所述半导体器件的第二互连层。

3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体层；一个或多个集成电路器件，位于所述半导体层中；第一互连层，与所述半导体层的第一侧相邻，包括：第一介电层；以及第一导电结构，位于所述第一介电层中；以及第二互连层，与所述半导体层的与所述第一侧垂直相对的第二侧相邻，包括：第二介电层；第二导电结构，位于所述第二介电层中；含氮化物介电材料区域，位于所述第二介电层的部分上方，其中，所述含氮化物介电材料的顶部部分包含氧化层梯度；含氧化物介电材料区域，位于所述含氮化物介电材料区域上方。

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停止层的所述材料的所述硬度是所述接合层的所述材料的所述硬度的约2倍至约3倍，并且

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停止层的所述材料具有比所述接合层的所述材料高的介电常数。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述停止层的所述材料的所述介电常数是所述接合层的所述材料的所述介电常数的至少两倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停止层的所述材料具有比所述接合层的所述材料的热导率高的热导率。

6. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述停止层的所述材料的所述热导率是所述接合层的所述材料的所述热导率的约10倍至约30倍。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停止层包括含氮化物介电材料；并且

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，用于所述接合层的所述材料的所述材料去除速率是用于所述停止层的所述材料的所述材料去除速率的约10倍至约60倍。

10.一种半导体器件，包括：