半导体器件及其制造方法与流程

本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术：

1、晶片到晶片接合是用于制造半导体器件的工艺。具体地，晶片到晶片接合是将两个半导体晶片对准并且然后接合在一起的工艺。当两个晶片未对准时，将数据写入到存储单元阵列或者读取所写入的数据的操作的性能可能劣化。因此，在执行晶片到晶片工艺时检测未对准是有利的。

技术实现思路

1、一方面是提供一种具有改善的性能和改善的可靠性的未对准检测电路及其操作方法。

2、根据一个或更多个实施例的一方面，一种半导体器件可以包括：第一晶片，所述第一晶片包括第一上检测焊盘和第二上检测焊盘；以及第二晶片，所述第二晶片包括第一下检测焊盘和第二下检测焊盘，所述第一晶片接合到所述第二晶片。当所述第一晶片和所述第二晶片在由所述第一晶片和所述第二晶片形成的平面上接合时，所述第一上检测焊盘和所述第一下检测焊盘在所述平面上彼此间隔开第一分隔距离，并且所述第二上检测焊盘和所述第二下检测焊盘在所述平面上彼此间隔开第二分隔距离，所述第二分隔距离与所述第一分隔距离不同。所述第一晶片与所述第二晶片之间的对准状态可以是基于所述第一上检测焊盘和所述第二上检测焊盘分别连接到所述第一下检测焊盘和所述第二下检测焊盘时流动的电流而确定的。

3、根据一个或更多个实施例的另一方面，一种半导体器件可以包括：第一晶片，所述第一晶片包括第一上检测焊盘、第二上检测焊盘、第三上检测焊盘和第四上检测焊盘；以及第二晶片，所述第二晶片包括第一下检测焊盘、第二下检测焊盘、第三下检测焊盘和第四下检测焊盘。所述第一晶片可以接合到所述第二晶片。当所述第一晶片和所述第二晶片在由所述第一晶片和所述第二晶片形成的平面上接合时，所述第一上检测焊盘与所述第一下检测焊盘间隔开第一分隔距离，所述第二上检测焊盘与所述第二下检测焊盘间隔开与所述第一分隔距离不同的第二分隔距离，所述第三上检测焊盘与所述第三下检测焊盘间隔开所述第一分隔距离，并且所述第四上检测焊盘与所述第四下检测焊盘间隔开所述第二分隔距离。所述第一下检测焊盘相对于所述第一上检测焊盘在第一方向上设置，所述第二下检测焊盘相对于所述第二上检测焊盘在所述第一方向上设置，所述第三下检测焊盘相对于所述第三上检测焊盘在第二方向上设置，所述第二方向与所述第一方向不同，所述第四下检测焊盘相对于所述第四上检测焊盘在所述第二方向上设置，并且所述第一晶片与所述第二晶片之间的对准状态可以是基于当所述第一上检测焊盘、所述第二上检测焊盘、所述第三上检测焊盘和所述第四上检测焊盘分别连接到所述第一下检测焊盘、所述第二下检测焊盘、所述第三下检测焊盘和所述第四下检测焊盘时流动的电流而确定的。

4、根据一个或更多个实施例的又一方面，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：接合第一晶片和第二晶片，所述第一晶片包括第一上检测焊盘和第二上检测焊盘，并且所述第二晶片包括第一下检测焊盘和第二下检测焊盘；测量在所述第一上检测焊盘与所述第一下检测焊盘之间流动的第一电流；以及基于所述第一电流的第一幅值和所述第二电流的第二幅值确定所述第一晶片和所述第二晶片的对准状态。当所述第一晶片和所述第二晶片在由所述第一晶片和所述第二晶片形成的平面上接合时，所述第一上检测焊盘与所述第一下检测焊盘间隔开第一分隔距离，并且所述第二上检测焊盘与所述第二下检测焊盘间隔开与所述第一分隔距离不同的第二分隔距离。

1. 一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

4. 根据权利要求3所述的半导体器件，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

9.根据权利要求6所述的半导体器件，

10.根据权利要求6所述的半导体器件，

11. 一种半导体器件，所述半导体器件包括：

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

13.根据权利要求11所述的半导体器件，

14.根据权利要求11所述的半导体器件，

15.根据权利要求11所述的半导体器件，

16. 根据权利要求15所述的半导体器件，

17.根据权利要求11所述的半导体器件，

18.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，确定所述第一晶片和所述第二晶片的所述对准状态包括：

20.根据权利要求18所述的方法，其中，确定所述第一晶片和所述第二晶片的所述对准状态包括：