半导体装置的制作方法

本公开涉及半导体装置。

背景技术：

1、半导体装置是控制或放大电子设备中的电信号的核心组件，并且各种半导体装置可被制造。例如，存储器装置可主要用于存储和获取数据，并且非存储器装置可用于控制或放大电信号。半导体装置是电子设备的核心元件，并且在包括计算机、通信设备和消费电子产品的各种领域中起重要作用。

2、随着工业发展，电子设备的性能和功能要求不断增加。因此，半导体装置的高性能特性是必不可少的，并且为了满足这样的要求，半导体装置的集成密度正在增加。正在研究用于形成具有优异性能和提高的集成密度的半导体装置的各种方法。

技术实现思路

1、本公开要解决的目的是提供具有提高的电特性和集成密度的半导体装置。

2、本公开要解决的另一目的是提供制造具有提高的电特性和集成密度的半导体装置的方法。

3、根据本公开的一些实施方式，一种半导体装置可包括：多个下片图案，在第一方向上彼此间隔开；多个上片图案，在所述多个下片图案上在第一方向上彼此间隔开；栅电极结构，围绕所述多个下片图案中的每个和所述多个上片图案中的每个，并且栅电极结构在与第一方向相交的第二方向上延伸；下栅极接触件，在第一方向上设置在栅电极结构下方并且与所述多个下片图案叠置；以及第一衬膜，设置在下栅极接触件的侧表面上，其中，栅电极结构在第二方向上的宽度可沿着第一方向向下减小。

4、根据本公开的一些实施方式，一种半导体装置可包括：多个下片图案，在第一方向上彼此间隔开；多个上片图案，在所述多个下片图案上在第一方向上彼此间隔开；栅电极结构，围绕所述多个下片图案中的每个和所述多个上片图案中的每个，并且栅电极结构在与第一方向相交的第二方向上延伸；栅极绝缘膜，设置在所述多个上片图案与栅电极结构之间、以及所述多个下片图案与栅电极结构之间；下栅极接触件，设置在栅电极结构下方；下源极/漏极图案，设置在所述多个下片图案的一侧；下源极/漏极接触件，连接到下源极/漏极图案，并且延伸到下源极/漏极图案的下表面；以及第一衬膜和第二衬膜，设置在下栅极接触件与下源极/漏极接触件之间，其中，下栅极接触件和下源极/漏极接触件可在第三方向上彼此叠置，第三方向与第一方向和第二方向中的每个相交。

5、根据本公开的一些实施方式，一种半导体装置可包括：多个下片图案，在第一方向上彼此间隔开；多个上片图案，在所述多个下片图案上方在第一方向上彼此间隔开；栅电极结构，围绕所述多个下片图案中的每个和所述多个上片图案中的每个，并且栅电极结构在与第一方向相交的第二方向上延伸；下栅极接触件，在第一方向上设置在栅电极结构下方并且与所述多个下片图案叠置；第一衬膜，设置在下栅极接触件的侧表面上；下源极/漏极图案，设置在所述多个下片图案的一侧；上源极/漏极图案，设置在所述多个上片图案的一侧；下源极/漏极接触件，连接到下源极/漏极图案；第二衬膜，设置在下源极/漏极接触件与第一衬膜之间；栅极分隔结构，在第三方向上延伸并且设置在栅电极结构的侧表面上，第三方向与第一方向和第二方向中的每个相交；以及栅极绝缘膜，可设置在所述多个下片图案与栅电极结构之间、所述多个上片图案与栅电极结构之间、以及第一衬膜与栅电极结构之间，其中，下源极/漏极接触件可在第三方向上与下栅极接触件叠置。

6、根据本公开的一些实施方式，一种制造半导体装置的方法包括：形成基底的下图案上的多个下片图案和多个上片图案，所述多个下片图案在第一方向上彼此间隔开，所述多个上片图案在第一方向上与所述多个下片图案间隔开；形成设置在基底上的预备半导体图案以及设置在预备半导体图案上的下源极/漏极图案；在所述多个下片图案和所述多个上片图案上形成栅极绝缘膜；形成栅电极结构，栅电极结构围绕所述多个下片图案和所述多个上片图案中的每个并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；在栅极绝缘膜上形成第一衬膜；形成连接到下源极/漏极图案的下源极/漏极接触件；以及形成下栅极接触件，下栅极接触件设置在第一衬膜上、在第一方向上与所述多个下片图案叠置、并且连接到栅电极结构。

7、根据一些实施方式，形成第一衬膜的步骤可包括：去除下图案以便暴露栅极绝缘膜；以及在暴露的栅极绝缘膜上形成第一衬膜。

8、根据一些实施方式，制造半导体装置的方法还可包括：在栅极绝缘膜上形成第一衬膜之后，在第一衬膜上形成牺牲绝缘图案；通过使用牺牲绝缘图案作为蚀刻掩模去除栅电极结构的一部分来形成第一沟槽；以及在第一沟槽上形成栅极分隔结构。

9、根据一些实施方式，形成下栅极接触件的步骤可包括：通过去除第一衬膜的一部分、栅极绝缘膜的一部分和栅电极结构的一部分来形成第二沟槽；以及在第二沟槽上形成下栅极接触件。

10、根据一些实施方式，第二沟槽的侧表面可包括具有不同斜率的第一部分和第二部分。

11、根据一些实施方式，形成下源极/漏极接触件的步骤可包括：去除预备半导体图案以便暴露下源极/漏极图案；在下源极/漏极图案的下表面上和第一衬膜上形成第二衬膜；去除第二衬膜的一部分；以及在第二衬膜和下源极/漏极图案上形成下源极/漏极接触件。

12、根据一些实施方式，第一衬膜和第二衬膜可设置在下源极/漏极接触件与下栅极接触件之间。

13、根据一些实施方式，下栅极接触件和下源极/漏极接触件可在第三方向上彼此叠置，第三方向与第一方向和第二方向中的每个相交。

14、根据一些实施方式，第一衬膜可与所述多个下片图案包括不同的材料。

15、根据一些实施方式，第一衬膜可围绕下栅极接触件的侧表面。

16、根据本公开的一些实施方式，通过设置下栅极接触件以便与所述多个片图案叠置，栅电极结构的面积可减小。因此，半导体装置的电特性和集成密度可提高。

1.一种半导体装置，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，包括：栅极绝缘膜，在所述多个下片图案与栅电极结构之间、所述多个上片图案与栅电极结构之间、以及第一衬膜与栅电极结构之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，下栅极接触件包括第一侧表面和在第二方向上与第一侧表面相对的第二侧表面，并且

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一衬膜围绕下栅极接触件的侧表面，并且

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：栅极分隔结构，在第三方向上延伸，第三方向与第一方向和第二方向中的每个相交，其中，栅极分隔结构在栅电极结构的侧表面上，并且

6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括：栅极覆盖图案，在栅电极结构的上表面上，

7.如权利要求5所述的半导体装置，还包括：下间隔件，在栅极分隔结构与第一衬膜之间。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一衬膜与所述多个下片图案包括不同的材料。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，下栅极接触件包括栅极接触阻挡膜和栅极接触填充膜，并且

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下片图案包括顺序地堆叠在下栅极接触件上的第一下片图案和第二下片图案，并且

11.如权利要求1至10中的任一项所述的半导体装置，还包括：

12.一种半导体装置，包括：

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，第一衬膜在下栅极接触件的侧表面上，

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中，所述多个上片图案、所述多个下片图案和下栅极接触件在第一方向上对齐。

15.如权利要求12所述的半导体装置，其中，栅极绝缘膜在第一衬膜的上表面和侧表面上。

16.如权利要求12所述的半导体装置，其中，栅电极结构包括：围绕所述多个下片图案的第一金属图案、围绕所述多个上片图案的第二金属图案、以及在第二金属图案上的第三金属图案。

17.如权利要求12至16中的任一项所述的半导体装置，还包括：

18.如权利要求12至16中的任一项所述的半导体装置，还包括：中间绝缘图案，在所述多个下片图案与所述多个上片图案之间。

19.如权利要求12至16中的任一项所述的半导体装置，还包括：

20.一种半导体装置，包括：