粘合片及从粘合片剥离物体的方法与流程

本发明涉及一种粘合片及从粘合片剥离物体的方法，尤其涉及一种半导体芯片的制造。

背景技术：

1、粘合片能用于暂时保持物体。例如，为了将物体转印至所期望的位置，能使用这种粘合片。

2、另一方面，为了提高生产效率，也要求容易从粘合片剥离物体。例如，专利文献1中公开有在平滑的第一粘合性膜粘贴有电子部件的状态下，通过向膜照射紫外线来降低膜的粘合力的构成。专利文献1中记载的方法中，通过将电子部件进一步压接至第二粘合性膜后，将第一粘合性膜剥离，由此将电子部件从第一粘合性膜转印至第二粘合性膜。此外，专利文献2中公开有构成为使物体剥离容易的、能沿面方向扩展且具备表面具有凹凸的粘合层的粘合片。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2020-61529号公报

6、专利文献2：国际公开第2024/063124号

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、如专利文献1和2所述的粘合片期望一并具备粘合片的物体保持力以及从粘合片剥离物体的容易性。尤其在处理如薄半导体芯片这样的易破损物体时，需要进一步减小为了拾取物体而施加的力。专利文献1和2中公开的粘合片在剥离容易性方面仍有改善的余地。

3、本发明的一个实施方式能够以更温和的操作拾取被具备表面具有凹凸的粘合层的粘合片保持的物体。

4、用于解决问题的方案

5、本发明人经过反复深入研究，结果发现，通过适当设计粘合片的粘合层，更容易地从粘合片拾取物体，由此能够解决上述技术问题，并进一步经过反复各种研究，完成了本发明。

6、即，本发明的实施方式涉及下述[1]～[10]。

7、[1]一种粘合片，该粘合片具备基材以及表面具有凹凸的粘合层，所述粘合层具有能量射线反应性，且能量射线照射后的所述粘合层的（50℃时的损耗角正切（tanδ））/（30℃时的tanδ）的值为1.30以上。

8、[2]根据[1]所记载的粘合片，其中，在能量射线照射后的所述粘合层中，从0℃升温时tanδ的上升停止的温度大于55℃。

9、[3]根据[1]至[2]中任一项所记载的粘合片，其中，所述粘合层含有具有能量射线固化性基团的丙烯酸酯共聚物。

10、[4]根据[3]所记载的粘合片，其中，所述丙烯酸酯共聚物具有作为（甲基）丙烯酸酯单体的含能量射线固化性基团的单体、以及与其他（甲基）丙烯酸酯单体交联的（甲基）丙烯酸酯单体。

11、[5]根据[1]至[4]中任一项所记载的粘合片，其中，所述粘合片能沿面方向扩展。

12、[6]根据[1]至[5]中任一项所记载的粘合片，其中，所述粘合层具有的凸部的高度是1µm以上。

13、[7]根据[1]至[6]中任一项所记载的粘合片，其中，所述粘合层具有多个凸部，所述多个凸部由凹部界定边界且相互分离，所述多个凸部的间距是1µm以上且100µm以下。

14、[8]根据[1]至[7]中任一项所记载的粘合片，其中，所述粘合层具有多个凸部，所述多个凸部的高度均匀。

15、[9]根据[1]至[8]中任一项所记载的粘合片，其中，还具备具有与所述粘合层的凹凸面互补的凹凸面的剥离层。

16、[10]一种剥离方法，该剥离方法是从粘合片剥离物体的方法，所述粘合片是在粘合层保持有所述物体的根据[1]至[9]中任一项所述的粘合片，所述剥离方法包括：照射工序，对所述粘合层照射能量射线；扩展工序，将所述粘合片沿面方向扩展；和剥离工序，将所述物体从所述粘合片的所述粘合层剥离。

17、发明效果

18、本发明的一个实施方式能够以更温和的操作拾取被具备表面具有凹凸的粘合层的粘合片保持的物体。

19、本发明的其他特征和优点通过参照附图的以下说明而变得明确。需要说明的是，在附图中，对相同或同样的构成标注相同的附图标记。

1.一种粘合片，所述粘合片具备基材以及表面具有凹凸的粘合层，

2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

3.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

4.根据权利要求3所述的粘合片，其中，

5.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

6.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

7.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

8.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

9.根据权利要求1所述的粘合片，其中，

10.一种剥离方法，所述剥离方法是从粘合片剥离物体的方法，所述粘合片是在粘合层保持有所述物体的根据权利要求1至9中任一项所述的粘合片，所述剥离方法包括：