半导体器件的制作方法及半导体器件与流程

本申请属于半导体，尤其涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。

背景技术：

1、隔离沟槽虽然可以有效定义有源区，但隔离沟槽与有源区之间的界面存在应力集中与界面缺陷，导致不同器件(如mos管)的阈值电压偏差较大，影响器件一致性和良率。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种半导体器件的制作方法及半导体器件，能够提高器件的阈值电压的均匀性和稳定性，从而提高器件良率和可靠性。

2、第一方面，本申请提供了一种半导体器件的制作方法，

3、提供衬底，所述衬底包括有源区，所述衬底中设有围绕所述有源区设置的隔离沟槽；

4、对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面进行自对准化学键合，形成覆盖所述界面的自对准化学键合层；

5、在所述有源区形成器件结构。

6、根据本申请的半导体器件的制作方法，通过对隔离沟槽和有源区之间的界面进行自对准化学键合，形成覆盖该界面的自对准化学键合层，实现对该界面的有序钝化，降低界面态密度和陷区数目，提高器件的阈值电压的均匀性和稳定性，提高器件良率和可靠性。

7、根据本申请的一个实施例，所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面进行自对准化学键合，形成覆盖所述界面的自对准化学键合层，包括：

8、对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面以及所述有源区的上表面进行自对准化学键合，形成覆盖所述界面和所述有源区的上表面的初始自对准化学键合层；

9、去除所述有源区的上表面的初始自对准化学键合层，形成覆盖所述界面的自对准化学键合层。

10、根据本申请的一个实施例，所述隔离沟槽的底表面的材料与所述有源区的材料不同；

11、或者，所述隔离沟槽的底表面的材料与所述有源区的材料相同，在所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面以及所述有源区的上表面进行自对准化学键合之前，所述方法还包括：在所述隔离沟槽的底表面覆盖掩模层。

12、根据本申请的一个实施例，所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面以及所述有源区的上表面进行自对准化学键合，包括：

13、将所述衬底浸入有机分子前驱物溶液中，使有机分子前驱物与所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面及所述有源区的上表面进行自对准化学键合。

14、根据本申请的一个实施例，所述有源区的材料包括单晶硅，所述有机分子前驱物包括具有硅烷、巯基或膦酸基的官能团。

15、根据本申请的一个实施例，所述衬底浸入所述有机分子前驱物溶液的时长为30分钟～24小时；和/或，

16、所述有机分子前驱物溶液的浓度为0.1％～1％；和/或，

17、所述有机分子前驱物溶液的ph值为5～9。

18、根据本申请的一个实施例，所述自对准化学键合的温度为室温～200℃。

19、根据本申请的一个实施例，所述自对准化学键合层包括自对准单分子有机层。

20、根据本申请的一个实施例，在所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面进行自对准化学键合之前，所述方法还包括：

21、对所述衬底进行清洗；

22、对所述衬底进行预处理，以去除所述衬底表面的氧化物。

23、第二方面，本申请提供了一种半导体器件，包括：

24、衬底，所述衬底包括有源区，所述衬底中设有围绕所述有源区设置的隔离沟槽；

25、自对准化学键合层，覆盖所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面；

26、器件结构，位于所述有源区。

27、根据本申请的一个实施例，所述自对准化学键合层包括自对准单分子有机层。

28、本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：

29、通过对隔离沟槽和有源区之间的界面进行自对准化学键合，形成覆盖该界面的自对准化学键合层，实现对该界面的有序钝化，降低界面态密度和陷区数目，提高器件的阈值电压的均匀性和稳定性，提高器件良率和可靠性。

30、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面进行自对准化学键合，形成覆盖所述界面的自对准化学键合层，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述隔离沟槽的底表面的材料与所述有源区的材料不同；

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面以及所述有源区的上表面进行自对准化学键合，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区的材料包括单晶硅，所述有机分子前驱物包括具有硅烷、巯基或膦酸基的官能团。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述衬底浸入所述有机分子前驱物溶液的时长为30分钟～24小时；和/或，

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述自对准化学键合的温度为室温～200℃。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述自对准化学键合层包括自对准单分子有机层。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述对所述隔离沟槽和所述有源区之间的界面进行自对准化学键合之前，所述方法还包括：

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：