一种干膜结构及其制备方法与流程

本发明涉及半导体器件封装的，具体为一种干膜结构，本发明还提供了该干膜结构的制备方法。

背景技术：

1、随着半导体技术快速发展，晶圆级封装、系统级封装等先进封装技术得到广泛应用。缓冲干膜（bf干膜）作为先进封装的核心功能性材料，广泛用于芯片应力缓冲、绝缘保护、重布线介质层等场景，其性能直接决定封装器件的可靠性。

2、bf干膜以有机树脂为基体，添加无机填料调节热膨胀系数、提升力学性能。半导体封装中，plasma等离子体处理是必不可少的核心工艺，其对有机材料刻蚀作用显著。常规bf干膜在该工序中，有机树脂易被刻蚀去除（见图1），而无机填料耐刻蚀性远优于有机树脂，导致刻蚀后填料大量外露、表面粗糙度急剧上升，甚至出现不可逆的界面损伤。

3、在温度循环可靠性测试中，上述损伤会引发严重的应力集中现象，诱发微裂纹扩展，最终导致干膜开裂失效。现有解决方案要么大幅劣化干膜核心性能，要么存在界面适配性差、制程复杂、成本高昂的问题，无法满足量产需求。因此，开发综合性能优异的耐等离子体刻蚀bf干膜，成为本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、针对上述问题，本发明提供了一种干膜结构，其有效阻挡等离子体对干膜基体的刻蚀，避免填料外露与表面损伤，从根本上解决干膜可靠性开裂的问题；同时兼容现有封装与干膜生产制程，不影响干膜原有核心性能，量产性好、成本可控。

2、一种干膜结构，其特征在于，其包括：

3、干膜层，其包括填料、有机树脂，所述有机树脂将填料封装设置；

4、以及有机钝化层；

5、所述干膜层的表面设置有所述有机钝化层。

6、其进一步特征在于：

7、所述有机钝化层为聚酰亚胺pi之类的有机聚合材料；

8、所述有机钝化层的厚度为3um~10um；

9、所述干膜层的厚度为10 um~30um。

10、一种干膜结构的制备方法，其特征在于：将干膜层平铺，之后在干膜层的上表面涂装生成有机钝化层。

11、其进一步特征在于：

12、当有机钝化层的材质为聚酰亚胺pi之类的有机聚合材料时，所述有机钝化层通过旋涂、喷涂工艺在干膜层的上表面复合生成。

13、与现有技术相比，通过在干膜表面形成一层有机钝化层，有效阻挡等离子体对干膜基体的刻蚀，避免填料外露与表面的损伤，从根本上解决干膜可靠性开裂的问题；同时本方案兼容现有封装与干膜生产制程，不影响干膜原有核心性能，量产性好、成本可控。

1.一种干膜结构，其特征在于，其包括：

2.根据权利要求1所述的一种干膜结构，其特征在于：所述有机钝化层为聚酰亚胺pi之类的有机聚合材料。

3.根据权利要求1所述的一种干膜结构，其特征在于：所述有机钝化层的厚度为3um~10um。

4.一种干膜结构的制备方法，其用于制备权利要求1-3中任一权利要求所述一种干膜结构，其特征在于：将干膜层平铺，之后在干膜层的上表面涂装生成有机钝化层。

5.根据权利要求4所述的一种干膜结构的制备方法，其特征在于：当有机钝化层的材质为聚酰亚胺pi之类的有机聚合材料时，所述有机钝化层通过旋涂、喷涂工艺在干膜层的上表面复合生成。