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一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制作
一种秧草收获机用电力驱动行走机构的
信息存储应用技术
一种CD组合机的制作方法
本实用新型属于cd机技术领域,尤其涉及一种cd组合机。
标签:
组合
cd
2021-01-08
一种光盘顶出装置及光盘存储设备的制作方法
本实用新型涉及光盘存储技术领域,尤其涉及一种光盘顶出装置及光盘存储设备。
标签:
光盘
存储设备
装置
2021-01-08
一种便携式电唱机的制作方法
本实用新型属于电唱机技术领域,尤其涉及一种便携式电唱机。
标签:
电唱机
2021-01-08
用于将已更新的信息从存储器装置异步地用信号传送到主机的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统与流程
相关申请案的交叉引用本申请案要求于2018年6月4日提交的第62/680,434号美国临时申请案的权益,所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。本公开大体上涉及存储器装置和系统,且更具体地说,涉及用于将已更新的信息从存储器装置异步地用信号传送到主机的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统。
标签:
存储器
申请
装置
美国
所述
2021-01-05
用于响应于单个命令执行多个存储器操作的方法以及使用所述方法的存储器装置和系统与流程
相关申请案的交叉参考本申请案主张2018年6月4日申请的第62/680,422号美国临时申请案的权益,所述申请案以全文引用的方式并入本文中。本公开大体上涉及存储器装置和系统,且更确切地说,涉及用于响应于单个命令执行多个存储器操作的方法以及使用所述方法的存储器装置和系统。
标签:
申请
存储器
所述
装置
多个
2021-01-05
一种双端口SRAM存储单元及其版图结构的制作方法
本发明涉及电路设计领域,特别是涉及一种双端口sram存储单元及其版图结构。
标签:
版图
端口
单元
电路设计
结构
2021-01-05
利用隧道场效应管抑制漏电的混合非易失性随机存储器的制作方法
本发明设计为集成电路设计领域,尤其是一种可以降低nvsram(非易失性随机存储器)漏电流,唤醒功耗以及加快写入mtj(磁隧道结)速度的基于隧穿晶体管的读写分离的混合电路结构。
标签:
漏电
晶体管
存储器
功耗
读写
2021-01-05
半导体存储器设备及其操作方法与流程
相关申请的交叉引用本申请要求于2019年7月5日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2019-0081179的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本发明的示例实施例涉及一种半导体存储器设备及其操作方法。
标签:
韩国
引用
申请
优先权
知识产权局
2021-01-05
用于调整受害者数据的设备和方法与流程
本公开总体上涉及半导体装置,并且更具体地涉及半导体存储器装置。具体地,本公开涉及如动态随机存取存储器(dram)等易失性存储器。
标签:
存储器
半导体
装置
公开
存取
2021-01-05
具有可编程裸片刷新错开的存储器的制作方法
本发明涉及存储器系统、装置及相关联方法。特定来说,本发明涉及具有可编程裸片刷新错开的存储器装置及相关联系统及方法。
标签:
存储器
相关联
可编程
装置
方法
2021-01-05
一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器的制作方法
本发明涉及半导体的技术领域,尤其涉及一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器。
标签:
自旋
力矩
存储器
半导体
转移
2021-01-05
存储器接口、数据存储设备及其操作方法与流程
相关申请的交叉引用本申请要求根据u.s.c.第35章第119(a)条于2019年7月5日在韩国知识产权局提交的韩国申请号10-2019-0081290的优先权,其整体内容通过引用并入本文。各种实施例通常涉及电子设备,并且更具体地,涉及存储器接口、包括存储器接口的数据存储设备及其操作方法。
标签:
韩国
存储器
申请
接口
引用
2021-01-05
存储系统的制作方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2019年7月3日提交的申请号为no.10-2019-0080189的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。所公开的技术的各种实施例大体上涉及存储系统,且更具体地,涉及具有被抑制的读取干扰和改进的错误校正能力的存储系统。
标签:
申请
引用
存储系统
优先权
专利申请
2021-01-05
具有裸片以执行刷新操作的设备的制作方法
分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2016年05月17日、申请号为20168001228x、发明名称为“具有裸片以执行刷新操作的设备”的发明专利申请案。优先申请案本申请案主张2015年5月18日申请的序列号为14/714,962的美国申请案的优先权的权益,所述美国申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。本申请涉及半导体设备,特别是具有裸片以执行刷新操作的设备。
标签:
申请
美国
发明
刷新
执行
2021-01-05
包括温度补偿电路的非易失性存储器装置的制作方法
本申请要求于2019年7月4日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0080879号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。在此描述的公开的实施例涉及半导体存储器,更具体地,涉及一种包括温度补偿电路的非易失性存储器装置。
标签:
韩国
专利申请
存储器
公开
在此
2021-01-05
具有可配置裸片加电延迟的存储器的制作方法
本发明涉及存储器系统、装置及相关联方法。特定来说,本发明涉及具有可配置裸片加电延迟的存储器装置及相关联系统及方法。
标签:
存储器
相关联
装置
方法
系统
2021-01-05
磁记录介质及其制造方法、以及磁记录再生装置与流程
本发明涉及一种磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁记录再生装置。
标签:
记录
介质
再生
装置
方法
2021-01-05
一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置的制作方法
本发明涉及存储单元技术领域,特别是涉及一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置。
标签:
单元
阵列
分裂
装置
控制
2021-01-05
缓震唱片机的制作方法
本发明涉及放音装置技术领域,具体涉及一种缓震唱片机。
标签:
装置
唱片
2021-01-05
可同步命令信号与时钟信号的半导体装置及其操作方法与流程
相关申请的交叉引用本申请要求2019年7月5日向韩国知识产权局提交的编号为10-2019-0081254的韩国申请的优先权,其通过引用整体合并于此。各个实施例总体上涉及集成电路技术,更具体地,涉及可以与时钟信号同步地操作的半导体装置。
标签:
韩国
申请
引用
优先权
知识产权局
2021-01-05
SRAM通用测速电路的制作方法
本发明属于sram存储硬件系统技术领域,具体涉及一种sram通用测速电路。
标签:
电路
测速
通用
硬件
系统
2021-01-05
电子装置、存储器装置及其存储数据的读取方法与流程
本发明是有关于一种电子装置、存储器装置、存储数据的读取方法,且特别是有关于一种具有附加信息产生电路的电子装置及其存储器装置,以及其存储数据的读取方法。
背景技术:
:为了
标签:
2021-01-05
存储器装置及其操作方法与流程
本发明涉及一种存储器装置及其操作方法,且特别涉及一种降低数据读写错误的存储器装置及其操作方法。
标签:
存储器
操作方法
装置
读写
降低
2021-01-05
故障信息控制电路、半导体装置以及故障信息控制方法与流程
相关申请的交叉引用本申请要求2019年7月3日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0080055的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。各种实施例总体上涉及一种半导体电路,并且特别地,涉及一种故障信息控制电路、包括该故障信息控制电路的半导体装置、以及该半导体装置的故障信息控制方法。
标签:
半导体
故障
韩国
申请
信息
2021-01-05
一种复合式M.2硬盘散热装置的制作方法
本发明涉及一种硬盘散热装置,具体是一种复合式m.2硬盘散热装置。
标签:
散热
装置
硬盘
复合
2021-01-05
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