用于沉积钼膜的钼(VI)前驱物

技术特征：
1.一种金属配位络合物，所述金属配位络合物包含钼(vi)，所述金属配位络合物实质上不含卤素和羰基。2.如权利要求1所述的金属配位络合物，所述金属配位络合物具有式(i)或式(ii)的结构：其中e独立地选自桥氧基、亚氨基和硫基，x独立地选自o、sir2和cr2，l是氮或磷配位配体，并且r独立地是未取代或取代的c1至c
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烷基。3.如权利要求2所述的金属配位络合物，其中e独立地包括o、n-tbu或s。4.如权利要求2所述的金属配位络合物，其中所述结构为式(i)，并且l选自由以下项组成的群组：5.如权利要求2所述的金属配位络合物，其中所述结构为式(ii)，并且选自由以下项组成的群组：6.如权利要求2所述的金属配位络合物，其中r独立地选自me-、et-、ipr-、tbu-和取代基。7.一种沉积膜的方法，所述方法包括：将基板暴露于钼(vi)前驱物；和将所述基板暴露于反应物以在所述基板上形成钼膜。8.如权利要求7所述的方法，其中所述钼(vi)前驱物具有式(i)或式(ii)的结构：其中e独立地选自桥氧基、亚氨基和硫基，并且x独立地选自o、sir2和cr2，l是氮和磷配位配体，并且r独立地是未取代或取代的c1至c
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烷基。9.如权利要求8所述的方法，其中e独立地包括o、n-tbu或s。10.如权利要求8所述的方法，其中所述结构为式(i)，并且l选自由以下项组成的群组：
11.如权利要求8所述的方法，其中所述结构为式(ii)，并且选自由以下项组成的群组：12.如权利要求7所述的方法，其中所述反应物包括氧化剂和还原剂中的一者或多者。13.如权利要求7所述的方法，其中所述钼膜包括钼金属(元素mo)膜、氧化钼膜、碳化钼膜、硅化钼膜和氮化钼膜中的一者或多者。14.如权利要求7所述的方法，其中将所述基板顺序地暴露于所述钼(vi)前驱物和所述反应物。15.如权利要求7所述的方法，其中将所述基板同时地暴露于所述钼(vi)前驱物和所述反应物。16.如权利要求7所述的方法，进一步包括在将所述基板暴露于所述反应物之前净化所述基板的所述钼(vi)前驱物。17.如权利要求16所述的方法，其中净化包括施加真空或使净化气体流过所述基板的一者或多者。18.如权利要求7所述的方法，进一步包括重复所述方法以提供厚度在约0.3nm至约100nm的范围内的钼膜。19.一种沉积膜的方法，所述方法包括：在工艺循环中形成含钼膜，所述工艺循环包括将基板顺序地暴露于钼(vi)前驱物、净化气体、反应物和净化气体。20.如权利要求19所述的方法，其中所述钼(vi)前驱物具有式(i)或式(ii)的结构：其中e独立地选自桥氧基、亚氨基和硫基，x独立地选自o、sir2和cr2，l是氮或磷配位配体，并且r独立地是未取代或取代的c1至c
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烷基。

技术总结
描述了钼(VI)配位络合物。描述了用于在基板上沉积含钼膜的方法。将所述基板暴露于钼前驱物和反应物以形成所述含钼膜(例如，元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、氮化钼)。所述暴露可以是顺序的或同时的。是顺序的或同时的。是顺序的或同时的。


技术研发人员：安德里亚
受保护的技术使用者：新加坡国立大学
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2023/9/20