一种晶体的端面研抛方法与流程

技术特征：
1.一种晶体的端面研抛方法，其特征在于，包括：将多个所述晶体(100)沿所述晶体(100)的长度方向和/或宽度方向阵列排布并粘接形成晶体组块(200)；将所述晶体组块(200)放置于游星轮(300)的工作孔(310)内；将所述游星轮(300)放入研抛机中对所述晶体组块(200)进行研磨、抛光至预设高度。2.根据权利要求1所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，所述游星轮(300)包括至少一个所述工作孔(310)，所述工作孔(310)沿所述游星轮(300)中心的对称轴对称分布。3.根据权利要求2所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，所述工作孔(310)为矩形，所述工作孔(310)的长度为30mm-45mm，宽度为30mm-45mm。4.根据权利要求1所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，将多个所述晶体(100)沿所述晶体(100)的长度方向和/或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块(200)之前还包括以下步骤：检测所述晶体(100)非加工面的衍射角度正负偏差，所述晶体(100)以同一晶面正衍射偏差朝向一致的方向排列形成所述晶体组块(200)，或者所述晶体(100)以同一晶面负衍射偏差朝向一致的方向排列形成所述晶体组块(200)。5.根据权利要求1所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，多个所述晶体(100)粘接形成所述晶体组块(200)的步骤包括：提供粘结剂，使用夹具夹持所述晶体组块(200)，将所述粘接剂置于所述晶体组块(200)，所述粘结剂流入所述晶体(100)之间的缝隙，使用所述夹具夹紧所述晶体组块(200)，挤出多余的所述粘结剂；所述粘结剂凝固后，移去所述夹具。6.根据权利要求5所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，所述夹具包括可拆卸连接的第一支架(500)和第二支架(600)，所述第一支架(500)和所述第二支架(600)呈l型，所述第一支架(500)和所述第二支架(600)用于沿所述晶体组块(200)对角方向相向运动，以夹紧所述晶体组块(200)。7.根据权利要求5所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，所述粘接剂为石蜡。8.根据权利要求1所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，所述游星轮(300)的厚度为5mm-20mm。9.根据权利要求5所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，所述将所述游星轮(300)放入研抛机中对所述晶体组块(200)进行研磨和抛光的步骤之后，所述研抛方法还包括：除去所述粘结剂，将所述晶体组块(200)分离成所述晶体(100)。10.根据权利要求9所述的晶体的端面研抛方法，其特征在于，将所述晶体组块(200)分离成所述晶体(100)的步骤之后，所述研抛方法还包括：使用有机溶剂清洗所述晶体(100)。

技术总结
本申请实施例提供了一种晶体的端面研抛方法，包括：将多个所述晶体沿所述晶体的长度方向和/或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块；将所述晶体组块放置于游星轮的工作孔内；将所述游星轮放入研抛机中对所述晶体组块进行研磨、抛光至预设高度。本申请中，由于单个晶体待加工截面积过小且重心较高，并且晶体与工作孔间配合存在间隙，晶体在研抛的过程中容易发生倾斜，造成较大的研抛精度误差，通过将多个晶体沿晶体长度方向或宽度方向阵列排布并粘接的方式，形成截面积较大的晶体组块，便于与工作孔配合，不易发生倾斜，提高研抛精度，同时，游星轮的每个工作孔中容纳多个晶体，增加了研抛效率。加了研抛效率。加了研抛效率。


技术研发人员：刘巨澜 姜秀丽 姜继昌 张璇
受保护的技术使用者：北京中材人工晶体研究院有限公司
技术研发日：2023.01.03
技术公布日：2023/3/10