封装结构、显示装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种封装结构，包括：一导电元件；一第一介电层，设置在该导电元件上；一重布线层，设置在该第一介电层上，且该重布线层与该导电元件电性连接；一第二介电层，设置在该第一介电层上；一遮光层，设置在该第二介电层上；一导电层，设置在该重布线层上，且包括可见光反射率小于30％的一第一导电层；以及一发光二极管单元，设置在该导电层上。2.如权利要求1所述的封装结构，其中该导电层还包括一第二导电层，且该第二导电层的可见光反射率大于该第一导电层的可见光反射率。3.如权利要求2所述的封装结构，其中该第二导电层设置在该重布线层上，且与该第一导电层接触。4.如权利要求2所述的封装结构，其中该第二导电层的可见光反射率大于70％。5.如权利要求2所述的封装结构，其中该第一导电层设置在该重布线层的一部分上，且该第二导电层设置在该重布线层的剩余部分上。6.如权利要求2所述的封装结构，其中该遮光层、该第一导电层及该第二导电层在相同层上。7.如权利要求2所述的封装结构，其中该第一导电层与该遮光层及该第二导电层彼此接触。8.如权利要求1所述的封装结构，其中该导电元件包括具有不同形状或尺寸的一第一导电垫及一第二导电垫。9.如权利要求8所述的封装结构，其中该第一导电垫包括彼此接触的一第一导电块及一第一导电膜，且该第一导电膜介于该第一导电块与该重布线层之间，且该第一导电膜的底表面的面积大于或等于该第一导电块的顶表面的面积。10.如权利要求1所述的封装结构，还包括：一第三介电层，设置于该发光二极管单元上，且围绕该发光二极管单元；以及一第一定位件，设置于该第三介电层上。11.如权利要求10所述的封装结构，其中：该第一定位件具有一第一高度，该导电元件的底表面到该第三介电层的顶表面之间具有一第二高度，且该第一高度与该第二高度的比值大于0.1且小于1，或者该第一定位件具有一第一面积，该第三介电层具有一第二面积，且该第一面积与该第二面积的比值大于0.1且小于0.5。12.如权利要求1所述的封装结构，其中该些发光二极管单元包括一红光发光元件、一绿光发光元件及一蓝光发光元件。13.一种显示装置，包括：如权利要求1至12中的任一项所述的封装结构，其中该第一介电层具有一凹部；以及一目标基板，与该导电元件电性连接，且具有与该凹部彼此对应的一第二定位件。14.一种封装结构的制造方法，包括：提供一图案化光刻胶层在一载板上；
提供一粘着层在该图案化光刻胶层上；形成一导电元件在该粘着层上；形成一第一介电层在该导电元件上；形成一重布线层在该第一介电层上，使得该重布线层与该导电元件电性连接；形成一第二介电层在该第一介电层上；形成一遮光层在该第二介电层上；形成一导电层在该重布线层上，且该导电层包括可见光反射率小于30％的一第一导电层；以及形成一发光二极管单元在该导电层上。15.如权利要求14所述的制造方法，其中形成该导电层还包括：形成一第二导电层在该重布线层上，使得该第二导电层与该第一导电层接触，且该第二导电层的可见光反射率大于该第一导电层的可见光反射率。16.如权利要求14所述的制造方法，还包括：形成一第三介电层在该发光二极管单元上；以及执行一移除工艺，以移除该载板、该图案化光刻胶层及该粘着层，从而暴露该导电元件。17.如权利要求16所述的制造方法，其中在执行该移除工艺之前，所述制造方法还包括：形成一第一定位件在该第三介电层上。18.如权利要求14所述的制造方法，其中在形成该第一介电层在该导电元件上之前，所述制造方法还包括：形成一牺牲元件在该粘着层上。19.如权利要求18所述的制造方法，其中执行一移除工艺，以移除该载板、该图案化光刻胶层、该粘着层及该牺牲元件，从而形成一凹部在该第一介电层上。20.一种显示装置的制造方法，包括：(a)提供一目标基板，且该目标基板具有一沟槽与一定位件；(b)使含有一封装结构的一悬浮液流过该目标基板的一顶表面，其中该封装结构，包括：一导电元件；一第一介电层，设置在该导电元件上，且具有一凹部；一重布线层，设置在该第一介电层上，且该重布线层与该导电元件电性连接；一第二介电层，设置在该第一介电层上；一遮光层，设置在该第二介电层上；一导电层，设置在该重布线层上，且包括可见光反射率小于30％的一第一导电层；以及一发光二极管单元，设置在该导电层上；以及(c)设置该封装结构于该沟槽中，以使该目标基板的该定位件与该第一介电层的该凹部接合。

技术总结
提供封装结构、显示装置及其制造方法。封装结构包括导电元件、第一介电层、重布线层、第二介电层、遮光层、导电层及发光二极管单元。第一介电层设置在导电元件上。重布线层设置在第一介电层上。重布线层与导电元件电性连接。第二介电层设置在第一介电层上。遮光层设置在第二介电层上。导电层设置在重布线层上，且包括可见光反射率小于30％的第一导电层。发光二极管单元设置在导电层上。管单元设置在导电层上。管单元设置在导电层上。


技术研发人员：林志豪 陈若翔 马维远 吴慧茹 蔡旻哲 郭修邑 梁建钦
受保护的技术使用者：隆达电子股份有限公司
技术研发日：2022.06.28
技术公布日：2023/3/10