等离子体处理装置的制作方法

1.本公开涉及等离子体处理装置以及利用其的显示装置制造方法。


背景技术：

2.平板显示装置包括液晶显示装置(liquid crystal display divice：lcd)、等离子体显示装置(plasma display panel：pdp)、有机发光显示装置(organic light emitting display device：oled device)、场效应显示装置(field effect display device：fed)、电泳显示装置(electrophoretic display device)等。
3.这种显示装置包括包含显示图像的多个像素的显示区域以及显示区域周边的周边区域，显示装置包括位于周边区域并用于向包括在多个像素中的多个信号线传送信号的驱动部。
4.为了连接显示装置的多个信号线和驱动部，利用等离子体处理装置对位于多个信号线之上的绝缘层进行蚀刻而将其去除。
5.此时，在显示区域和周边区域之间的表面高度差即台阶大的情况下，由于向位于显示区域和周边区域的相邻部分的绝缘层不能充分地施加等离子体气体，不能完全去除绝缘层。由此，有可能不能将多个信号线和驱动部彼此连接。


技术实现要素：

6.实施例用于提供即使在存在显示区域与显示区域周边的周边区域之间的表面台阶的情况下也能够充分地去除位于显示区域和周边区域的相邻部分处的绝缘层的等离子体处理装置以及利用其的显示装置制造方法。
7.但是，实施例所要解决的课题不限于上述的课题，可以在包括在实施例中的技术构思的范围中进行各种扩展。
8.可以是，根据一实施例的等离子体处理装置包括：电源供应部；等离子体电极，连接于所述电源供应部；等离子体处理部，被设置所述等离子体电极；工艺气体排出管，连接于所述等离子体处理部；以及气体方向变换部，位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间。
9.可以是，所述气体方向变换部包括形成于内部面的槽部。
10.可以是，所述槽部在所述气体方向变换部的所述内部面呈螺旋形形成。
11.可以是，所述槽部形成为与所述气体方向变换部的所述内部面形成一定角度。
12.可以是，所述一定角度是30度至60度的角度。
13.可以是，所述槽部的深度是1mm至2mm。
14.所述槽部的所述螺旋形可以以等间隔配置，所述一定角度可以是45度，所述等间隔可以是10mm。
15.可以是，所述气体方向变换部包括喷嘴和配置成横截所述喷嘴的内部的气体方向变换过滤器。
16.可以是，所述气体方向变换过滤器包括多个孔。
17.通过所述等离子体处理部的工艺气体可以以线性流(linear flow)排出，通过所述气体方向变换部的所述工艺气体可以以涡流(turbulent flow)排出。
18.可以是，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：形成包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板、位于所述第一基板与所述第二基板之间的发光层、位于所述第一基板的焊盘部、位于所述焊盘部之上的薄膜封装层的显示面板的步骤；利用等离子体处理装置，去除位于所述焊盘部之上的所述薄膜封装层的步骤；以及在去除所述薄膜封装层而漏出的所述焊盘部之上附着安装有集成电路芯片的柔性电路基板的步骤。
19.所述显示面板可以还包括位于所述发光层与所述第二基板之间的颜色变换层，所述显示面板可以包括：显示区域，包括所述发光层和所述颜色变换层；驱动部区域，设置所述焊盘部；以及阻断区域，位于所述显示区域与所述驱动部区域之间，所述薄膜封装层可以包括第一无机封装层、第二无机封装层、位于所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层，可以是，所述有机封装层位于所述显示区域，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层位于所述显示区域和所述阻断区域，去除所述薄膜封装层的步骤可以去除位于所述驱动部区域的所述第一无机封装层和所述第二无机封装层。
20.可以是，去除所述薄膜封装层的步骤利用从所述等离子体处理装置以涡流排出的工艺气体。
21.所述等离子体处理装置可以包括：电源供应部；等离子体电极，连接于所述电源供应部；等离子体处理部，被设置所述等离子体电极；工艺气体排出管，连接于所述等离子体处理部；以及气体方向变换部，位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间，去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述气体方向变换部的所述工艺气体。
22.所述气体方向变换部可以包括形成于内部面的槽部，所述槽部可以在所述气体方向变换部的所述内部面呈螺旋形形成，去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述螺旋形的所述槽部的所述工艺气体。
23.所述气体方向变换部可以包括喷嘴和配置成横截所述喷嘴的内部的气体方向变换过滤器，去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述气体方向变换过滤器的所述工艺气体。
24.所述气体方向变换过滤器可以包括多个孔，去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述多个孔的所述工艺气体。
25.可以是，向所述驱动部区域中的与所述显示区域相邻的区域供应的所述工艺气体的流量与向所述驱动部区域的剩余区域供应的所述工艺气体的流量几乎相同。
26.可以是，去除所述驱动部区域中的与所述显示区域隔开约100μm的位置处的所述薄膜封装层的步骤的蚀刻速度与去除所述驱动部区域中的与所述显示区域隔开约500μm以上的位置处的所述薄膜封装层的步骤的所述蚀刻速度几乎相同。
27.根据实施例，即使在存在显示区域和显示区域周边的周边区域之间的表面台阶的情况下，也能够充分地去除位于显示区域和周边区域的相邻部分的绝缘层。
28.但是，实施例的效果不限于上述的效果，显而易见可以在不脱离本发明的构思以及领域的范围中进行各种扩展。
附图说明
29.图1是概要示出根据一实施例的显示装置的平面图。
30.图2是根据一实施例的显示装置的截面图。
31.图3至图5是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
32.图6是根据一实施例的等离子体处理装置的简要图。
33.图7是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换部的截面图。
34.图8是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换部的截面图。
35.图9是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换过滤器的平面图。
36.图10以及图11是示出向台阶部供应的气体的供应方向和供应量的曲线图。
37.图12以及图13是示出基于位置的蚀刻速度的曲线图。
38.(附图标记说明)
39.1000：显示面板
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2000：颜色变换面板
40.110、210：基板
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da：显示区域
41.nda：非显示区域
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sa：阻断区域
42.pa：驱动部区域
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pda、pdb：焊盘
43.sp1、sp2：衬垫
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20：柔性电路基板
44.30：集成电路芯片
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40：印刷电路基板
45.900：等离子体处理装置
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91：电源供应部
46.92：等离子体电极
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93：气体供应部
47.94：工艺气体排出管
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95：气体方向变换部
48.95a、95b：槽部
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96：气体方向变换过滤器
具体实施方式
49.以下，以所附的附图作为参考，针对本发明的多个实施例进行详细说明，以使在本发明所属的技术领域中具有通常知识的人能够容易地实施。本发明可以以各种不同的形式实现，不限于在此说明的实施例。
50.为了明确地说明本发明，省略了与说明无关的部分，贯穿说明书全文，针对相同或相似的构成要件，标注相同的附图标记。
51.另外，所附的附图只是用于使得容易理解本说明书中公开的实施例，本说明书中公开的技术构思不限于所附的附图，应理解为包括包含在本发明的构思以及技术范围中的所有变更、等同物乃至替代物。
52.另外，为了便于说明，附图中出现的各结构的尺寸以及厚度任意地示出，因此本发明不是必须限于图示。在附图中，为了明确地呈现多个层以及区域，放大厚度而示出。而且，在附图中，为了便于说明，夸张地示出一部分层以及区域的厚度。
53.另外，当说到层、膜、区域、板等部分在另一部分“之上”或“上”时，不仅包括其“直接在”另一部分“之上”的情况，还包括在其中间有又另一部分的情况。相反地，当说到某部分“直接在”另一部分“之上”时，表示在中间没有其它部分。另外，存在于成为基准的部分“之上”或“上”是位于成为基准的部分之上或之下，不意指必须位于向重力相反方向侧的“之上”或“上”。
54.另外，在说明书全文中，当说到某部分“包括”某构成要件时，在没有特别相反的记载的情况下，其不是将其它构成要件除外，意指可以还包括其它构成要件。
55.另外，在说明书全文中，当说到“平面上”时，其意指从上看对象部分的时候，当说到“截面上”时，其意指从旁边看垂直截取对象部分的截面。
56.另外，在说明书全文中，当说到“连接”时，其不是仅意指两个以上的构成要件直接连接，可以意指两个以上的构成要件通过其它构成要件间接连接，不仅是物理连接还有电连接，或者虽根据位置或功能称为不同的名称但是为一体。
57.以下，参照附图而详细地说明各种实施例和变形例。
58.参照图1，说明根据一实施例的显示装置。图1是概要示出根据一实施例的显示装置的平面图。
59.参照图1，显示装置可以包括显示面板1000、柔性电路基板20、集成电路芯片(integrated circuit chip)30以及印刷电路基板40。
60.显示面板1000包括相当于显示图像的屏幕的显示区域(display area)da以及配置有用于生成及/或传送向显示区域da施加的各种信号的电路及/或信号线的非显示区域(non-display area)nda。非显示区域nda可以围绕显示区域da。在图1中将显示区域da和非显示区域nda的交界示出为虚线四边形。
61.在显示面板1000的显示区域da中，多个像素px可以呈矩阵配置。另外，在显示区域da中可以配置第一扫描线(scan line)121、第二扫描线122、数据线(data line)171、驱动电压线(driving voltage line)172、公共电压线(common voltage line)173、初始化电压线(initializing voltage line)174之类信号线。
62.第一扫描线121和第二扫描线122可以在大致第一方向x上延伸。数据线171、驱动电压线172、公共电压线173以及初始化电压线174可以在大致第二方向y上延伸。
63.驱动电压线172、公共电压线173以及初始化电压线174中的至少一个也可以包括在大致第一方向x上延伸的电压线和在大致第二方向y上延伸的电压线，配置成网格(mesh)形式。
64.可以是，在各个像素px连接有第一扫描线121、第二扫描线122、数据线171、驱动电压线172、公共电压线173、初始化电压线174等，各个像素px从这些信号线接收第一扫描信号、第二扫描信号、数据电压、驱动电压、公共电压、驱动电压等。各像素px可以包括发光二极管之类发光元件(light emitting element)。
65.在显示面板1000的显示区域da中可以配置用于感测用户的接触及/或非接触触摸的触摸电极。
66.在显示面板1000的非显示区域nda中可以设置排列有用于从显示面板1000的外部接收信号的焊盘(pads)的第一焊盘部(pad portion)pda，在第一焊盘部pda中可以接合柔性电路基板20的第一端部。在柔性电路基板20的第一端部中可以设置排列有焊盘的第二焊盘部pdb。第二焊盘部pdb可以接合于第一焊盘部pda。
67.柔性电路基板20的焊盘可以电连接于显示面板1000的焊盘。为了第一焊盘部pda和第二焊盘部pdb之间的机械且电接合，在第一焊盘部pda和第二焊盘部pdb之间可以设置异向导电膜(未图示)。异向导电膜可以具有在膜形式的热固化树脂(例如，环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂、氰酸酯树脂等)内分散有导电粒子分散的形式。异向
导电膜可以通过同时施加热量和压力的工艺将电子配件机械且电接合。
68.显示面板1000可以包括2个以上的第一焊盘部pda，第一焊盘部pda可以沿着显示面板1000的一边缘彼此分开设置。在各个第一焊盘部pda可以接合对应的柔性电路基板20的第二焊盘部pdb。显示面板1000可以根据大小而包括一个第一焊盘部pda，也可以接合有一个柔性电路基板20。
69.在显示面板1000的非显示区域nda中可以设置生成及/或处理用于驱动显示面板1000的各种信号的驱动装置(driving unit)。驱动装置可以包括向数据线171施加数据信号的数据驱动部(data driver)、向第一扫描线121以及第二扫描线122施加栅极信号的栅极驱动部(gate driver)以及控制数据驱动部以及栅极驱动部的信号控制部(signal controller)。
70.像素px可以根据在栅极驱动部中生成的扫描信号而在预定定时接收数据电压或者初始化电压。栅极驱动部可以集成于显示面板1000，并可以设置于显示区域da的至少一侧。
71.数据驱动部可以提供为集成电路芯片30。集成电路芯片30可以安装于柔性电路基板20。从集成电路芯片30输出的信号可以通过柔性电路基板20的第二焊盘部pdb和显示面板1000的第一焊盘部pda传送到显示面板1000。
72.显示装置可以包括多个集成电路芯片30，在各个柔性电路基板20中可以各设置一个集成电路芯片30。集成电路芯片30也可以安装于显示面板1000的非显示区域nda，在此情况下，集成电路芯片30可以位于显示区域da和第一焊盘部pda之间。
73.信号控制部可以提供为集成电路芯片，并可以安装于印刷电路基板40。数据驱动部和信号控制部也可以提供为集成芯片。
74.可以是，位于柔性电路基板20的第二端部(第一端部的相对端)的焊盘部接合并电连接于印刷电路基板40的焊盘部，在显示面板1000和印刷电路基板40之间传送信号。印刷电路基板40可以包括2个以上的焊盘部，焊盘部可以沿着显示面板1000的一边缘彼此分开设置。印刷电路基板40可以包括与柔性电路基板20的数量对应数量的焊盘部。
75.集成电路芯片30可以输出向显示区域da提供的信号。例如，集成电路芯片30可以输出数据电压、驱动电压、公共电压、初始化电压等。在非显示区域nda中可以设置用于将从集成电路芯片30输出的数据电压、驱动电压、公共电压以及初始化电压向显示区域da的数据线171、驱动电压线172、公共电压线173以及初始化电压线174分别传送的数据电压传送线、驱动电压传送线、公共电压传送线以及初始化电压线。集成电路芯片30可以还输出用于控制栅极驱动部的信号。
76.由集成电路芯片30输出的信号可以通过与柔性电路基板20的第二焊盘部pdb的第二焊盘接通的第一焊盘部pda的第一焊盘输入到显示面板1000。
77.集成电路芯片30可以通过在与印刷电路基板40的焊盘部的焊盘接通的柔性电路基板20的第二端部设置的焊盘部的焊盘接收在生成如上那样的信号中成为基础的信号(例如，图像数据以及与其相关的信号、电源等)。在印刷电路基板40中可以设置处理器、存储器等。当显示装置适用于移动通信终端机时，处理器可以是包括中央处理装置、图形处理装置、调制解调器等的应用程序处理器。柔性电路基板20可以弯曲，印刷电路基板40可以位于显示面板1000的背面。
78.那么，与图1一起参照图2来说明显示装置。图2是根据一实施例的显示装置的截面图。
79.与图1一起参照图2，根据实施例的显示装置包括多个像素px所在的显示区域da和位于显示区域的周边的非显示区域nda。
80.首先，说明显示区域da。
81.显示区域da包括显示面板1000和颜色变换面板2000。虽未图示，显示装置可以还包括触摸部，触摸部可以位于显示面板1000和颜色变换面板2000之间。
82.显示面板1000包括第一基板110。第一基板110可以包含容易打弯且弯折并能够折叠或卷起的塑料等柔性材质。虽未图示，第一基板110可以包括彼此重叠的多个绝缘膜，并可以还包括位于重叠的绝缘膜之间的阻挡膜。
83.在第一基板110之上可以设置缓冲层111。
84.缓冲层111可以位于第一基板110和第一半导体130之间而阻断在用于形成多晶硅的结晶工艺时杂质从第一基板110扩散来提高多晶硅的特性。
85.缓冲层111可以包含氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)以及氮氧化硅(sio
x
ny)之类无机绝缘物质。缓冲层(111)可以包含非晶硅(α-si)。
86.在缓冲层111之上可以设置第一半导体130。第一半导体130可以包含多晶硅物质。即，第一半导体130可以由多晶半导体形成。第一半导体130可以包括源极区域131、沟道区域132以及漏极区域133。
87.第一半导体130的源极区域131可以与第一源极电极se1连接，第一半导体130的漏极区域133可以与第一漏极电极de1连接。
88.在第一半导体130之上可以设置第一栅极绝缘膜141。第一栅极绝缘膜141可以是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的单层或者多层结构。
89.在第一栅极绝缘膜141之上可以设置第一栅极下电极ge1-l。第一栅极下电极ge1-l可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)及/或钛(ti)，可以是包含其的单层或者多层结构。
90.在第一栅极下电极ge1-l之上可以设置第二栅极绝缘膜142。第二栅极绝缘膜142可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第二栅极绝缘膜142可以是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的单层或者多层结构。
91.在第二栅极绝缘膜142之上可以设置第一栅极上电极ge1-u。第一栅极下电极ge1-l和第一栅极上电极ge1-u可以隔着第二栅极绝缘膜142重叠。第一栅极上电极ge1-u和第一栅极下电极ge1-l形成第一栅极电极ge1。第一栅极电极ge1可以与第一半导体130的沟道区域132在垂直于第一基板110的第三方向z上重叠。
92.第一栅极上电极ge1-u可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等，可以是包含其的单层或者多层结构。
93.在第二栅极绝缘膜142之上可以设置由第一栅极上电极ge1-u之类层形成的金属层bml，金属层bml可以与后面说明的第二晶体管tr2重叠。金属层bml也可以与驱动电压线或者第二晶体管tr2的栅极电极或源极电极连接而起到下栅极电极的作用。
94.第一半导体130、第一栅极电极ge1、第一源极电极se1以及第一漏极电极de1构成第一晶体管tr1。第一晶体管tr1可以是与发光二极管led连接的驱动晶体管，可以由包括多晶半导体的晶体管形成。
95.在第一栅极电极ge1之上可以设置第一层间绝缘膜161。第一层间绝缘膜161可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第一层间绝缘膜161可以由包含氮化硅的层和包含氧化硅的层层叠的多层形成。此时，在第一层间绝缘膜161中，包含氮化硅的层可以设置成比包含氧化硅的层靠近第一基板110。
96.在第一层间绝缘膜161之上可以设置第二半导体135。第一半导体135可以与金属层bml重叠。
97.第二半导体135可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化铟(in2o3)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)中的至少一个。例如，第二半导体135可以包含igzo(indium-gallium-zinc oxide；氧化铟镓锌)。
98.第二半导体135可以包括沟道区域137以及位于沟道区域137的两边的源极区域136和漏极区域138。第二半导体135的源极区域136可以与第二源极电极se2连接，第二半导体135的漏极区域138可以与第二漏极电极de2连接。
99.在第二半导体135之上可以设置第三栅极绝缘膜143。第三栅极绝缘膜143可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
100.在图示实施例中，第三栅极绝缘膜143可以位于第二半导体135以及第一层间绝缘膜161之上的整面。因此，第三栅极绝缘膜143覆盖第二半导体135的源极区域136、沟道区域137以及漏极区域138的上部面以及侧面。
101.若第三栅极绝缘膜143没有覆盖源极区域136以及漏极区域138的上部面，则第二半导体135的一部分物质也可能移动到第三栅极绝缘膜143的侧面。在本实施例中，第三栅极绝缘膜143位于第二半导体135以及第一层间绝缘膜161之上的整面，从而能够防止金属粒子的扩散导致的第二半导体135和第二栅极电极ge2的短路。
102.但是，实施例不限于此，第三栅极绝缘膜143也可以不位于第二半导体135以及第一层间绝缘膜161之上的整面。例如，第三栅极绝缘膜143也可以仅位于第二栅极电极ge2和第二半导体135之间。即，第三栅极绝缘膜143可以与第二半导体135的沟道区域137重叠，与源极区域136以及漏极区域138不重叠。由此，在实现高分辨率的过程中可以缩减半导体的沟道的长度。
103.在第三栅极绝缘膜143之上可以设置第二栅极电极ge2。
104.第二栅极电极ge2可以与第二半导体135的沟道区域137在垂直于第一基板110的第三方向z上重叠。第二栅极电极ge2可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)及/或钛(ti)，可以是包含其的单层或者多层结构。例如，第二栅极电极ge2可以包括包含钛的下层和包含钼的上层，包含钛的下层可以防止当进行上层的干式蚀刻时蚀刻气体即氟(f)扩散。
105.第二半导体135、第二栅极电极ge2、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2构成第二晶体管tr2。第二晶体管tr2可以是用于开关第一晶体管tr1的开关晶体管，可以由包含氧化物半导体的晶体管形成。
106.在第二栅极电极ge2之上可以设置第二层间绝缘膜162。第二层间绝缘膜162可以包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第二层间绝缘膜162可以由包含氮化硅的层和包含氧化硅的层层叠的多层形成。
107.在第二层间绝缘膜162之上可以设置第一源极电极se1和第一漏极电极de1以及第二源极电极se2和第二漏极电极de2。第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极
se2以及第二漏极电极de2可以包含铝(al)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)及/或铜(cu)等，可以是包含其的单层或者多层结构。例如，第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2可以是包含钛、钼、铬以及钽等耐火性金属(refractory metal)或者它们的合金的下膜、包含电阻率低的铝系列金属、银系列金属、铜系列金属的中间膜、包含钛、钼、铬以及钽等耐火性金属的上膜的三重膜结构。
108.第一源极电极se1可以与第一半导体130的源极区域131连接，第一漏极电极de1可以与第一半导体130的漏极区域133连接。
109.第二源极电极se2可以与第二半导体135的源极区域136连接，第二漏极电极de2可以与第二半导体135的漏极区域138连接。
110.在第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2之上可以设置第一绝缘层170。第一绝缘层170可以是有机膜或者无机膜。例如，第一绝缘层170可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
111.在第一绝缘层170之上可以设置连接电极ce、数据线171以及驱动电压线172。连接电极ce和数据线171可以包含铝(al)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)及/或铜(cu)等，可以是包含其的单层或者多层结构。
112.连接电极ce与第一漏极电极de1连接。
113.在第一绝缘层170、连接电极ce和数据线171之上可以设置第二绝缘层180。第二绝缘层180可以起到为了提高将在其之上形成的发光层的发光效率而消除台阶并平坦化的作用。第二绝缘层180可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。
114.在第二绝缘层180之上可以设置像素电极191。像素电极191可以通过第二绝缘层180的接触口185与第一漏极电极de1连接。
115.像素电极191可以针对每个像素px单独设置。像素电极191可以包含银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)、金(au)之类金属，也可以包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)之类透明导电氧化物(tco)。像素电极191可以由包含金属物质或者透明导电性氧化物的单层或者包含它们的多层形成。例如，像素电极191可以具有氧化铟锡(ito)/银(ag)/氧化铟锡(ito)的三重膜结构。
116.在像素电极191之上可以设置像素界定膜350。像素界定膜350可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)之类通用高分子、具有酚类基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、硅氧烷类聚合物等有机绝缘物质。像素界定膜350可以包含黑色染料而不透过光。
117.可以是，像素界定膜350具有与像素电极191重叠的像素开口部，在像素界定膜350的像素开口部设置发光层370。
118.发光层370可以包括固有地发出红色、绿色以及蓝色等基本色的光的物质层。发光层370也可以具有层叠有发出彼此不同颜色的光的多个物质层的构造。
119.例如，发光层370可以是有机发光层，有机发光层可以是发光层、空穴注入层(hole-injection layer，hil)、空穴输送层(hole-transporting layer，htl)、电子输送层
(electron-transporting layer，etl)以及电子注入层(electron-injection layer，eil)中的一个以上的多个层。当有机发光层将其全部包括时，可以是，空穴注入层位于阳极电极即像素电极191之上，在其之上依次层叠空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层。
120.在发光层370以及像素界定膜350之上可以设置公共电极270。公共电极270可以公共地位于所有像素px，并可以通过非显示区域nda的公共电压传送部(未图示)接收公共电压。
121.公共电极270可以包含包括钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)等的反射性金属或者氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)之类透明导电氧化物(tco)。
122.像素电极191、发光层370、公共电极270可以形成发光二极管led。在此，可以是，像素电极191为空穴注入电极即阳极，公共电极270为电子注入电极即阴极。但是，实施例并不是必须限于此，也可以根据有机发光显示装置的驱动方法，像素电极191成为负极，公共电极270成为阳极。
123.空穴和电子分别从像素电极191以及公共电极270注入到发光层370内部，注入的空穴和电子复合的激子(exiton)当从激发态跃迁到基态时形成发光。
124.可以是，根据实施例的显示装置的驱动晶体管即第一晶体管tr1可以包含多晶半导体，开关晶体管的一部分即第二晶体管tr2包含氧化物半导体。为了高速驱动，可以通过将现有的约60hz的频率提高到约120hz而更自然地呈现视频的动作，但是由于此而耗电增加。为了补偿变高的耗电，可以降低驱动静态图像时的频率。例如，当驱动静态图像时，可以以约1hz驱动。当如此频率降低时，可能产生泄露电流。根据依据一实施例的显示装置，通过使得驱动晶体管即第一晶体管tr1包括多晶半导体，能够具有高的电子迁移率，通过使得开关晶体管即第二晶体管tr2包括氧化物半导体，能够最小化泄露电流。即，通过使得开关晶体管和驱动晶体管包含彼此不同的半导体物质，能够更稳定地驱动，并具有高的可靠性。
125.在公共电极270之上设置封装层600。封装层600可以不仅覆盖显示面板1000的上部面还覆盖侧面，从而密封显示面板1000。
126.封装层600可以包括多个层，其中，可以由将无机膜和有机膜全部包括的复合膜形成。例如，封装层600可以形成为由第一无机封装层610、有机封装层620、第二无机封装层630依次形成的三重层。
127.在封装层600之上设置颜色变换面板2000。
128.颜色变换面板2000包括与显示面板1000的第一基板110相对的第二基板210。第二基板210可以包含容易打弯且弯折并能够折叠或卷起的塑料等柔性材质。
129.在第二基板210和显示面板1000之间设置多个滤色器230、第一绝缘层240、隔壁410、多个颜色变换层330以及第二绝缘层510。
130.颜色变换面板2000可以没有单独的遮光部件，由透过彼此不同颜色的多个滤色器230所重叠的重叠区域提供遮光区域(未图示)。
131.在第二绝缘层510和显示面板1000之间可以设置填充层(未图示)。
132.隔壁410设置成与显示面板1000的像素界定膜350重叠。即，隔壁410配置成与显示面板1000的不透明区域重叠，多个颜色变换层330配置成与显示面板1000的发光区域重叠。
133.另外，隔壁410与颜色变换面板2000的遮光区域重叠。
134.隔壁410可以具有与多个滤色器230重叠的开口部420，可以是，多个颜色变换层330位于隔壁410的开口部420，多个颜色变换层330位于由隔壁410围绕的区域。
135.多个颜色变换层330可以包括使得从显示面板入射的第一波长的光透过并包含多个散射体(未图示)的透过层(未图示)、将从显示面板入射的第一波长的光颜色变换为第二波长的光的并包含多个第一量子点和多个散射体的第一颜色变换层、将从显示面板入射的第一波长的光颜色变换为第三波长的光并包含多个第二量子点和多个散射体的第二颜色变换层。第一波长的光可以是最大发光峰值波长为约380nm至约480nm，例如约420nm以上、约430nm以上、约440nm以上或者约445nm以上且约470nm以下、约460nm以下或者约455nm以下的蓝光。第二波长的光可以是最大发光峰值波长为约600nm至约650nm，例如约620nm至约650nm的红光，第三波长的光可以是最大发光峰值波长为约500nm至约550nm，例如约510nm至约550nm的绿光。
136.多个滤色器230可以包括：第一滤色器，使第二波长的光透过并吸收剩余波长的光，从而能够提高穿过第一颜色变换层而颜色变换后向第二基板210侧发出的第二波长的光的纯度；第二滤色器，能够使第三波长的光透过并吸收剩余波长的光，从而能够提高穿过第二颜色变换层而颜色变换后向第二基板210侧发出的第三波长的光的纯度；第三滤色器，能够使得穿过透过层的第一波长的光透过并吸收剩余波长的光，从而能够提高穿过透过层后向第二基板210侧发出的第一波长的光的纯度。
137.多个散射体可以通过使得入射到多个颜色变换层330的光散射而提高光的效率。
138.第二绝缘层510通过覆盖保护多个颜色变换层330，防止当将颜色变换面板2000附着于显示面板1000时注入的填充层的成分流入到多个颜色变换层330。
139.下面，说明非显示区域nda。
140.非显示区域nda包括阻断区域sa和驱动部区域pa。
141.在非显示区域nda的阻断区域sa中设置第一衬垫sp1、第二衬垫sp2、第三衬垫sp3、第四衬垫sp4。第一衬垫sp1、第二衬垫sp2、第三衬垫sp3、第四衬垫sp4设置成依次从显示区域da远离。即，第二衬垫sp2比第一衬垫sp1位于外围部，第三衬垫sp3比第二衬垫sp2位于外围部，第四衬垫sp4比第三衬垫sp3位于外围部。
142.第一衬垫sp1以及第二衬垫sp2可以由位于显示区域da的第一绝缘层170以及第二绝缘层180之类层形成，第三衬垫sp3可以由位于显示区域da的第一绝缘层170、第二绝缘层180、由像素界定膜350之类层形成的绝缘膜和追加绝缘膜形成。第四衬垫sp4也可以由位于显示区域da的第一绝缘层170以及第二绝缘层180之类层形成，但不限于此。
143.第一无机封装层610和第二无机封装层630形成于第一基板110整面而还设置于第一衬垫sp1、第二衬垫sp2、第三衬垫sp3和第四衬垫sp4之上，但有机封装层620不位于非显示区域nda中的第一衬垫sp1和第二衬垫sp2的外围。
144.当形成有机封装层620时，第一衬垫sp1、第二衬垫sp2、第三衬垫sp3以及第四衬垫sp4可以起到使有机物质不溢出的坝(dam)作用，有机物质形成为不溢出到第一衬垫sp1至第四衬垫sp4的外围，因此有机封装层620可以形成为不位于第一衬垫sp1至第四衬垫sp4的外围。
145.另外，在非显示区域nda的阻断区域sa中设置位于第一基板110和第二基板210之间而将第一基板110和第二基板210彼此结合来密封的密封剂s。
146.在第二基板210中的与密封剂s重叠的第二基板210的部分可以不设置滤色器230和颜色变换层330。
147.当形成密封剂s时，第四衬垫sp4可以防止密封剂s扩散到显示区域da侧。
148.颜色变换面板2000的第二基板210虽然位于显示区域da和非显示区域nda的阻断区域sa，但不位于非显示区域nda的驱动部区域pa。
149.在非显示区域nda的驱动部区域pa中设置连接于显示区域da的信号线的信号焊盘部pd1、连接于信号焊盘部pd1的第一焊盘部pda以及柔性电路基板20的第二焊盘部pdb。
150.信号焊盘部pd1可以由显示区域da的金属层bml之类层形成，第一焊盘部pda可以由第一源极电极se1、第一漏极电极de1、第二源极电极se2以及第二漏极电极de2之类层形成。
151.信号焊盘部pd1通过在位于其之上的第三栅极绝缘膜143以及第一层间绝缘膜161形成的接触孔op与第一焊盘部pda连接。
152.封装层600的第一无机封装层610以及第二无机封装层630在非显示区域nda的驱动部区域pa中被去除，没有被第一无机封装层610以及第二无机封装层630覆盖的第一焊盘部pda可以与形成于柔性电路基板20的第二焊盘部pdb接通。
153.从安装于柔性电路基板20的集成电路芯片30输出的信号可以通过柔性电路基板20的第二焊盘部pdb和显示面板1000的第一焊盘部pda向显示面板1000传送。
154.那么，与图1以及图2一起参照图3至图5，说明根据一实施例的显示装置的制造方法。图3至图5是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
155.显示装置的制造方法以在显示面板1000接合柔性电路基板20的工艺(称为olb(outer lead bonding；外引线焊接)工艺)为主进行说明。
156.首先，与图1以及图2一起参照图3，形成显示区域da和非显示区域nda，所述显示区域da包括显示面板1000和颜色变换面板2000，所述非显示区域nda包括设置有第一衬垫sp1至第四衬垫sp4的阻断区域sa以及信号焊盘部pd1和设置有连接于信号焊盘部pd1的第一焊盘部pda的驱动部区域pa。
157.此时，第一无机封装层610和第二无机封装层630形成于第一基板110整面而还位于非显示区域nda的阻断区域sa和驱动部区域pa。
158.下面，与图1以及图2一起参照图4，去除位于非显示区域nda的驱动部区域pa中的第一无机封装层610和第二无机封装层630，暴露第一焊盘部pda。此时，通过利用等离子体处理装置的等离子体蚀刻而去除第一无机封装层610和第二无机封装层630。
159.当通过等离子体蚀刻而去除第一无机封装层610和第二无机封装层630时，由于包括显示面板1000和颜色变换面板2000的显示区域da以及未设置有非显示区域nda的阻断区域sa与颜色变换面板2000的非显示区域nda的驱动部区域pa之间的表面高度差即台阶，在非显示区域nda的驱动部区域pa中的与显示区域da相邻的区域中等离子体蚀刻气体的供应可能顺畅，由此可能在非显示区域nda的驱动部区域pa中的与显示区域da相邻的区域中不能良好地去除第一无机封装层610和第二无机封装层630。如此，当不能良好地去除第一无机封装层610和第二无机封装层630时，驱动部区域pa的第一焊盘部pda不能完全暴露，由此第一焊盘部pda和第二焊盘部pdb可能难以彼此接触。
160.依据根据本实施例的显示装置的制造方法，通过利用在后面要说明的等离子体处
理装置900(参照图6)去除非显示区域nda的驱动部区域pa的第一无机封装层610和第二无机封装层630，即使存在包括显示面板1000和颜色变换面板2000的显示区域da与非显示区域nda的驱动部区域pa之间的表面高度差即台阶，也能够向非显示区域nda的驱动部区域pa中的与显示区域da相邻的区域均匀地供应等离子体蚀刻气体，能够良好地去除第一无机封装层610和第二无机封装层630。关于此，在后面更具体地说明。
161.下面，与图1以及图2一起参照图5，在去除第一无机封装层610和第二无机封装层630而第一焊盘部pda暴露的非显示区域nda的驱动部区域pa中，配置被安装集成电路芯片30且设置有第二焊盘部pdb的柔性电路基板20后将其压接而将柔性电路基板20的第二焊盘部pdb和显示面板1000的第一焊盘部pda彼此粘合连接。
162.那么，参照图6，说明用于根据本实施例的显示装置的制造方法的等离子体处理装置900。图6是根据一实施例的等离子体处理装置的简要图。
163.参照图6，根据本实施例的等离子体处理装置900包括电源供应部91、包括连接于电源供应部91的等离子体电极92的等离子体处理部90、用于向等离子体处理部90供应工艺气体的气体供应部93、排出被等离子体处理的工艺气体的工艺气体排出管94以及位于包括等离子体电极92的等离子体处理部90与工艺气体排出管94之间的气体方向变换部95。
164.气体方向变换部95通过变换供应在等离子体处理部90中被等离子体处理的工艺气体的方向，使得即使被处理的部分处台阶大，也能够供应均匀的工艺气体。
165.那就，与图6一起参照图7，说明根据一实施例的等离子体处理装置900的气体方向变换部95。图7是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换部的截面图。
166.与图6一起参照图7，根据本实施例的等离子体处理装置900的气体方向变换部95作为喷嘴形式，包括在其内部形成的槽部95a、95b。气体方向变换部95的槽部95a、95b可以彼此连接，气体方向变换部95的槽部95a、95b可以是在气体方向变换部95内部呈螺旋形相连的槽。
167.槽部95a、95b可以倾斜成与气体方向变换部95的表面形成一定角度，例如可以是倾斜成形成约30度至约60度的角度的形式，更具体地可以是倾斜成形成约30度、约45度、约60度的角度的形式。另外，槽部95a、95b可以是等间隔的螺旋状槽。
168.槽部95a、95b的深度可以是约1mm至约2mm。
169.在槽部95a、95b倾斜成与气体方向变换部95的表面形成约45度的角度的形式的情况下，槽部95a、95b的间隔可以是约10mm，更具体地可以是约10.205mm。
170.在等离子体处理装置900的等离子体处理部90中被等离子体处理的工艺气体可以在经过气体方向变换部95的槽部95a、95b的同时受到力以向第一方向f1旋转而以涡流形式向工艺气体排出管94排出。
171.如此，工艺气体在经过气体方向变换部95的槽部95a、95b的同时受到力以向第一方向f1旋转而以涡流形式向工艺气体排出管94排出，从而即使存在处理部的表面高度差即台阶，也能够向与台阶部相邻的区域均匀地供应等离子体蚀刻气体。
172.那么，与图6一起参照图8以及图9，说明根据一实施例的等离子体处理装置900的气体方向变换部95。图8是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换部的截面图，图9是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换过滤器的平面图。
173.参照图8，根据本实施例的等离子体处理装置900的气体方向变换部95作为喷嘴形
式，包括位于其内部的气体方向变换过滤器96。
174.气体方向变换部95的气体方向变换过滤器96可以配置成横截气体方向变换部95内部。
175.参照图9，气体方向变换部95的气体方向变换过滤器96包括多个孔96a，工艺气体在经过多个孔96a的同时受到力以向第二方向f2旋转而以涡流形式向工艺气体排出管94排出，从而即使存在处理部的表面高度差即台阶，也能够向与台阶部相邻的区域均匀地供应等离子体蚀刻气体。
176.那么，参照图10、图11、图12以及图13，更具体地说明根据本实施例的等离子体处理装置900的气体方向变换部95的工作。
177.图10以及图11是示出向台阶部供应的气体的供应方向和供应量的曲线图，图12以及图13是示出基于位置的蚀刻速度的曲线图。
178.图10以及图12示出等离子体处理装置中不包括气体方向变换部95的情况，图11以及图13示出如根据实施例的等离子体处理装置那样包括气体方向变换部的情况。
179.首先，参照图10，当等离子体处理装置中不包括气体方向变换部95时，向工艺气体排出管94(参照图6)排出的工艺气体以线性流(linear flow)形式排出，由此如图10所示，朝向第一基板110(参照图2)侧从上向下方向供应。
180.此时，由于存在包括显示面板1000(参照图2)和颜色变换面板2000(参照图2)的显示区域da(参照图2)与非显示区域nda(参照图2)之间的表面高度差即台阶，受到显示区域da的高度引起的影响，难以在显示区域da和非显示区域nda的相邻部分供应充分的工艺气体。
181.更具体地，从等离子体处理装置900(参照图6)向第一基板110供应的工艺气体在显示区域da的相邻部处流量减少成具有第一角度θ1的斜率后随着从显示区域da向非显示区域nda侧前往而工艺气体流量逐渐增加。
182.下面，参照图11，如根据实施例的等离子体处理装置那样，当等离子体处理装置中包括气体方向变换部95时，向工艺气体排出管94排出的工艺气体在通过气体方向变换部95的同时变换成涡流形式，由此如图11所示，向第一基板110侧以涡流(turbulent flow)形式供应。
183.此时，即使存在包括显示面板1000和颜色变换面板2000的显示区域da与非显示区域nda之间的表面高度差即台阶，以涡流形式供应的工艺气体也能够还在显示区域da和非显示区域nda的相邻部分处充分地供应，能够在显示区域da的相邻部处供应比图10所示的情况更多的工艺气体。
184.因此，如图11所示，从等离子体处理装置900向第一基板110供应的工艺气体在显示区域da的相邻部处也不减少工艺气体的流量以具有第二角度θ2的斜率，随着从显示区域da向非显示区域nda侧前往而工艺气体流量能够几乎恒定。
185.参照图12，当等离子体处理装置中不包括气体方向变换部95时，由于向工艺气体排出管94排出的工艺气体以线性流(linear flow)形式排出，就利用工艺气体的蚀刻速度而言，在显示区域da和非显示区域nda的交界部处蚀刻速度相对低，随着从显示区域da远离而蚀刻速度增加，自从显示区域da隔开约700μm以上的位置起具有几乎恒定的蚀刻速度。
186.参照图13，如根据实施例的等离子体处理装置那样，当等离子体处理装置中包括
气体方向变换部95时，由于向工艺气体排出管94排出的工艺气体在通过气体方向变换部95的同时变换成涡流形式而排出，就利用工艺气体的蚀刻速度而言，在与显示区域da和非显示区域nda的交界部相邻的位置处蚀刻速度也不相对变低，自从显示区域da隔开约100μm以上的位置起具有几乎恒定的蚀刻速度。
187.参照图10至图13所说明那样，通过利用根据实施例的等离子体处理装置900而去除非显示区域nda的驱动部区域pa的第一无机封装层610(参照图2)和第二无机封装层630(参照图2)，即使存在包括显示面板1000和颜色变换面板2000的显示区域da与非显示区域nda之间的表面高度差即台阶，也能够向非显示区域nda的驱动部区域pa中的与显示区域da相邻的区域均匀地供应等离子体蚀刻气体，能够良好地去除第一无机封装层610和第二无机封装层630。
188.由此，能够完全去除位于非显示区域nda的驱动部区域pa的第一无机封装层610和第二无机封装层630，第一焊盘部pda(参照图2)暴露而第一焊盘部pda和第二焊盘部pdb(参照图2)能够彼此良好接触。
189.通过以上，说明了本发明的优选实施例，但本发明不限于此，可以在权利要求书和发明的详细说明及所附附图的范围内实施各种变形，当然其也属于本发明的范围。