SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法与流程

技术特征：
1.一种sic外延晶片，具备sic基板和层叠于所述sic基板的sic的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型不同于所述杂质的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0
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。2.根据权利要求1所述的sic外延晶片，直径为150mm以上。3.根据权利要求1或2所述的sic外延晶片，直径为200mm以上。4.一种sic外延晶片的制造方法，包括使用在sic基板的载置面的上方具有气体供给口的纵型炉而在sic基板上将sic的外延层成膜的成膜工序，所述成膜工序包括一边按照第1升温速度、第2升温速度、第3升温速度的顺序变更升温速度、一边升温至成膜温度的升温工序，所述第1升温速度比所述第2升温速度快，所述第2升温速度比所述第3升温速度快，所述第1升温速度为100℃/min以上，在所述成膜工序中，使所述气体供给口及处于从所述气体供给口到所述载置面的气体流路的中途的上游构件的温度为1200℃以下。5.根据权利要求4所述的sic外延晶片的制造方法，所述气体供给口及所述上游构件是层叠多个sic层而形成的碳构件。6.根据权利要求4或5所述的sic外延晶片的制造方法，在成膜温度下，所述sic基板的所述载置面的中心的高度位置比外周的高度位置高30μm以上。7.根据权利要求4～6中任一项所述的sic外延晶片的制造方法，所述升温工序所需的时间为300秒以上且750秒以下。8.根据权利要求4～7中任一项所述的sic外延晶片的制造方法，使所述sic基板被运送至所述纵型炉时的温度为500℃以上。9.根据权利要求4～8中任一项所述的sic外延晶片的制造方法，在所述成膜工序中，从所述sic基板的背面供给吹扫气体，所述吹扫气体从比所述sic基板的外周靠内侧20mm以上处供给。

技术总结
目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0


技术研发人员：田中健胜 梅田喜一
受保护的技术使用者：昭和电工株式会社
技术研发日：2022.08.01
技术公布日：2023/2/17