存储器装置及其操作方法与流程

存储器装置及其操作方法
1.相关申请的交叉引用
2.本专利申请文件要求于2021年8月5日提交的申请号为10-2021-0103344的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本专利申请文件中公开的技术和实施方案总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种存储器装置及其操作方法。


背景技术：

4.存储装置是指被配置成基于计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制来存储数据的电子组件装置。存储装置包括被配置成将数据存储在磁盘中、诸如硬盘驱动器(hdd)的装置，以及被配置成将数据存储在半导体存储器中例如非易失性存储器中、诸如固态驱动器(ssd)或存储卡的装置。
5.存储装置可以包括被配置成存储数据的存储器装置和被配置成控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置根据其在没有电力的情况下保留所存储数据的能力而分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪速存储器、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)或铁电ram(fram)。


技术实现要素：

6.所公开技术的实施例提供了一种用于基于在存储装置启动期间和启动之后的温度测量结果来控制操作的存储器装置及该存储器装置的操作方法。
7.根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，包括：多个存储器单元；外围电路，被配置成对多个存储器单元执行操作；温度电路，被配置成测量存储器装置的温度；监控组件，被配置成基于所测量的温度是否在参考范围之内来生成表示操作模式是执行操作的正常模式还是挂起(suspend)操作的保护模式的监控信息；以及操作控制器，被配置成根据监控信息来输出用于控制操作的信号。监控组件进一步被配置成响应于从温度电路接收到所测量的温度，存储监控信息并将监控信息输出到操作控制器。
8.根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器装置的方法，该方法包括：开始用于启动存储器装置的启动操作；在启动操作中测量存储器装置的初始温度；基于初始温度是否在参考范围之内来生成表示继续执行启动操作的启动模式或挂起启动操作的保护模式的监控信息；并且基于监控信息来输出继续执行或挂起启动操作的请求。
9.根据本公开的又一方面，提供了一种存储装置，包括：存储器装置，包括多个存储器单元，每个存储器单元被配置成存储数据；以及存储器控制器，与存储器装置通信并被配置成控制存储器装置的操作。存储器装置被配置成测量存储器装置的温度并向存储器控制器提供信号，信号表示存储器装置的操作模式是执行操作的正常模式还是挂起操作的保护
模式，信号取决于存储器装置的温度是否在参考范围之内。
附图说明
10.现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施例；然而，实施例可以以不同的形式实现，并且不应当被解释为受限于本文阐述的实施例。
11.图1是示出基于所公开技术的一些实施方案的存储装置的示图。
12.图2是示出图1所示的存储器装置的结构的示图。
13.图3是示出图2所示的存储器单元阵列的实施例的示图。
14.图4是示出基于所公开技术的一些实施方案的每个组件在启动阶段的操作的示图。
15.图5是示出由监控组件生成的监控信息的示图。
16.图6是示出每个组件在启动阶段的操作的示图。
17.图7是示出图1所示的存储器装置的引脚配置的示图。
18.图8是示出通过写入防止信号来通知存储器装置的操作模式的方法的示图。
19.图9是示出通过状态信息来通知存储器装置的操作模式的方法的示图。
20.图10是示出基于所公开技术的一些实施方案的每个组件在启动之后的阶段中的操作的示图。
21.图11是示出基于所公开技术的一些实施方案的存储器装置的操作的示图。
22.图12是示出基于所公开技术的一些实施方案的存储器装置的操作的示图。
23.图13是示出图1中所示的存储器控制器的另一实施例的示图。
24.图14是示出应用了根据所公开技术的一些实施方案的存储装置的存储卡系统的框图。
25.图15是示出应用了根据所公开技术的一些实施方案的存储装置的固态驱动器(ssd)系统的框图。
26.图16是示出应用了根据所公开技术的一些实施方案的存储装置的用户系统的框图。
具体实施方式
27.本文所公开的具体的结构性或功能性描述仅用于示意性描述所公开技术的实施例或实施方案的示例，并且不应被解释为对所公开技术的限制。
28.图1是示出存储装置的框图。
29.参照图1，存储装置50是用于存储数据的装置，并且可以包括存储器装置100和存储器控制器200，存储器控制器200被耦合以控制主机访问和存储器装置100的操作。
30.存储装置50可以是基于诸如以下的主机300的控制来存储数据的装置：移动电话、智能电话、mp3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、tv、平板pc或车载式信息娱乐装置。
31.根据作为与主机300之间的通信方案的主机接口，存储装置50可以被制造为各种类型的存储装置中的任意一种。例如，存储装置50可以利用诸如以下的各种类型的存储装置中的任意一种来实施：固态驱动器(ssd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、尺寸减小的
mmc(rs-mmc)、微型mmc(micro-mmc)、安全数字(sd)卡、迷你sd卡、微型sd卡、通用串行总线(usb)存储装置、通用闪存(ufs)装置、紧凑型闪存(cf)卡、智能媒体卡(smc)、记忆棒等。
32.存储装置50可以被制造为各种封装类型中的任意一种。例如，存储装置50可以被制造为诸如以下的各种封装类型中的任意一种：堆叠封装(pop)、系统级封装(sip)、片上系统(soc)、多芯片封装(mcp)、板上芯片(cob)、晶圆级制造封装(wfp)和晶圆级堆叠封装(wsp)。
33.存储器装置100可以存储数据。存储器装置100基于存储器控制器200的控制来操作。存储器装置100可以包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。存储器单元阵列可以包括多个存储块。每个存储块可以包括多个存储器单元，并且多个存储器单元可以构成多个页面。在实施例中，页面可以是将数据存储在存储器装置100中或读取存储器装置100中存储的数据的单位。存储块可以是擦除数据的单位。
34.在实施例中，存储器装置100可以是双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddr sdram)、第四代低功率双倍数据速率(lpddr4)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sdram、低功率ddr(lpddr)、rambus动态随机存取存储器(rdram)、nand闪速存储器、垂直nand闪速存储器、nor闪速存储器、电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。在本说明书中，为了便于描述，假设并描述了存储器装置100是nand闪速存储器的情况。
35.在实施例中，存储器装置100可以以二维阵列结构或三维阵列结构来实施。下文中，尽管作为实施例描述了以三维阵列结构来实施存储器装置100的情况，但是本公开不限于三维阵列结构。本公开不仅可以应用于其中电荷存储层利用浮栅(fg)配置的闪速存储器装置，还可以应用于其中电荷存储层利用绝缘层配置的电荷撷取闪存(ctf)。
36.在实施例中，存储器装置100可以通过使用在一个存储器单元中存储一个数据位的单层单元(slc)的方法来操作。可选地，存储器装置100可以通过使用在一个存储器单元中存储至少两个数据位的方法来操作。例如，存储器装置100可以通过使用在一个存储器单元中存储两个数据位的多层单元(mlc)的方法、在一个存储器单元中存储三个数据位的三层单元(tlc)的方法或在一个存储器单元中存储四个数据位的四层单元(qlc)的方法来操作。
37.存储器装置100被配置成从存储器控制器200接收命令和地址，并且访问存储器单元阵列中由地址选择的区域。因此，存储器装置100可以对由地址选择的区域执行与命令相对应的操作。例如，存储器装置100可以根据接收到的命令来执行写入(编程)操作、读取操作和擦除操作。例如，当接收到编程命令时，存储器装置100可以将数据编程在由地址选择的区域。当接收到读取命令时，存储器装置100可以从由地址选择的区域中读取数据。当接收到擦除命令时，存储器装置100可以擦除由地址选择的区域中存储的数据。
38.在实施例中，存储装置50可以是自动存储装置50，该自动存储装置50可以在-40℃至115℃操作。自动存储装置50可以操作的温度范围可以比移动存储装置可以操作的温度范围相对更宽。
39.当自动存储装置50超出自动存储装置50可以正常操作的温度范围时，存储器装置100和存储器控制器200发生故障。因此，为了防止存储器装置100和存储器控制器200由于自动存储装置50的温度而发生故障，存储器控制器200的固件可以执行用于控制温度的操
作。然而，当固件可以运行的代码的大小受限时，使用固件控制温度的能力可能也受限。
40.因此，所公开技术的一些实施方案提出了如下的一种方法：通过在存储装置50启动时和启动之后操作存储器装置100中的温度电路150来测量温度。所公开技术的一些实施方案进一步提出了基于温度而自主地挂起存储器装置100的操作，然后当所测量的温度超出预定范围时将挂起通知给存储器控制器200。
41.在实施例中，存储器装置100可以包括温度电路150。温度电路150可以测量存储器控制器200和/或存储器装置100的温度。在存储装置50启动时，温度电路150可以测量温度。根据在存储装置50的启动期间测量的温度，温度电路150可以每隔预定时段测量温度。在所公开技术的一些实施方案中，温度电路150可以在存储装置50启动之后每隔预定时段测量温度。通过测量存储器控制器200和/或存储器装置100的温度，温度电路150每隔预定时段提供更新后的温度信息。温度电路150可以生成和输出温度信息，温度信息包括关于所测量的温度的信息。
42.在实施例中，存储器装置100可以包括监控组件160。监控组件160可以基于从温度电路150接收到的温度信息来监控存储器控制器200和/或存储器装置100的状态。存储器控制器200和/或存储器装置100的状态可以是启动模式(或正常模式)可以操作的状态或者保护模式而不是启动模式需要操作的状态。在保护模式中，存储器控制器200和/或存储器装置100的操作被挂起。
43.监控组件160可以基于通过监控存储器控制器200和/或存储器装置100的状态获得的结果来生成监控信息。监控信息可以表示存储器控制器200和/或存储器装置100的操作模式。操作模式可以是启动模式(或正常模式)或保护模式。
44.在实施例中，存储器装置100可以包括操作控制器170。操作控制器170可以基于从监控组件160接收到的监控信息来控制操作。
45.操作控制器170可以基于从监控组件160接收到的监控信息来操作。可以在存储装置50的启动期间以及在存储装置的启动之后接收到监控信息。例如，当在存储装置50的启动期间从监控组件160接收到监控信息并且监控信息表示启动模式时，操作控制器170可以挂起正在由存储器装置100执行的启动操作。当在存储装置50的启动期间从监控组件160接收到监控信息并且监控信息表示保护模式时，操作控制器170可以指示存储器装置100继续执行启动操作。在一些其他实施方案中，当在存储装置50启动之后接收到监控信息时，操作控制器170可以基于从监控组件160接收到的监控信息，挂起存储器装置100的操作或指示存储器装置恢复所挂起的操作。
46.存储器控制器200可以控制存储装置50的全部操作。
47.当向存储装置50施加电源电压时，存储器控制器200可以运行固件(fw)。当存储器装置100是闪速存储器装置时，存储器控制器200可以运行用于控制主机300与存储器装置100之间的通信的诸如闪存转换层(ftl)的fw。
48.在实施例中，存储器控制器200可以包括从主机300接收数据和逻辑块地址lba的固件(未示出)，并且将逻辑块地址lba转换为表示存储器装置100中包括的、待存储数据的存储器单元的地址的物理块地址pba。而且，存储器控制器200可以将逻辑-物理地址映射表存储在缓冲存储器(未示出)中，逻辑-物理地址映射表建立逻辑块地址lba与物理块地址pba之间的映射关系。
49.存储器控制器200可以响应于来自主机300的请求而控制存储器装置100以执行编程操作、读取操作、擦除操作等。例如，当从主机300接收到编程请求时，存储器控制器200可以将编程请求改变为编程命令，并向存储器装置100提供编程命令、物理块地址pba和数据。当从主机300接收到读取请求和逻辑块地址lba时，存储器控制器200可以将读取请求改变为读取命令，选择与逻辑块地址lba相对应的物理块地址pba，然后向存储器装置100提供读取命令和物理块地址pba。当从主机300接收到擦除请求和逻辑块地址lba时，存储器控制器200可以将擦除请求改变为擦除命令，选择与逻辑块地址lba相对应的物理块地址pba，然后向存储器装置100提供擦除命令和物理块地址pba。
50.在实施例中，存储器控制器200可以控制至少两个存储器装置。存储器控制器200可以根据交错方案来控制存储器装置，以便提高操作性能。
51.主机300可以使用诸如以下的各种通信方式中的至少一种与存储装置50通信：通用串行总线(usb)、串行at附件(sata)、高速芯片间(hsic)、小型计算机系统接口(scsi)、火线、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高速非易失性存储器(nvme)、通用闪存(ufs)、安全数字(sd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、双列直插式存储器模块(dimm)、寄存式dimm(rdimm)和低负载的dimm(lrdimm)。
52.图2是示出图1所示的存储器装置的结构的示图。
53.参照图2，存储器装置100可以包括存储器单元阵列110、外围电路120和控制逻辑130。
54.存储器单元阵列110包括多个存储块blk1至blkz。多个存储块blk1至blkz通过行线rl连接到行译码器121。多个存储块blk1至blkz通过位线bl1至bln连接到页面缓冲器组123。多个存储块blk1至blkz中的每一个包括多个存储器单元。在实施例中，多个存储器单元可以是非易失性存储器单元。连接到同一字线的存储器单元可以被定义为一个页面。因此，一个存储块可以包括多个页面。
55.行线rl可以包括至少一条源极选择线、多条字线和至少一条漏极选择线。
56.存储器单元阵列110中包括的存储器单元中的每一个可以被配置为存储一个数据位的单层单元(slc)、存储两个数据位的多层单元(mlc)、存储三个数据位的三层单元(tlc)或存储四个数据位的四层单元(qlc)。
57.外围电路120可以在控制逻辑130的控制下对存储器单元阵列110的所选择的区域执行编程操作、读取操作或擦除操作。外围电路120可以驱动存储器单元阵列110。例如，外围电路120可以在控制逻辑130的控制下，向行线rl和位线bl1至bln施加各种操作电压或使所施加的电压放电。
58.外围电路120可以包括行译码器121、电压生成器122、页面缓冲器组123、列译码器124、输入/输出电路125和感测电路126。
59.行译码器121通过行线rl连接到存储器单元阵列110。行线rl可以包括至少一条源极选择线、多条字线和至少一条漏极选择线。在实施例中，字线可以包括正常字线和虚设字线。在实施例中，行线rl可以进一步包括管道选择线。
60.行译码器121对从控制逻辑130接收的行地址radd进行译码。行译码器121根据经译码的地址在存储块blk1至blkz之中选择至少一个存储块。而且，行译码器121可以选择所选择的存储块的至少一条字线，以根据经译码的地址将由电压生成器122生成的电压施加
到至少一条字线wl。
61.例如，在编程操作中，行译码器121可以将编程电压施加到所选择的字线，并且将具有比编程电压的电平更低的电平的编程通过电压施加到未选择的字线。在编程验证操作中，行译码器121可以将验证电压施加到所选择的字线，并且将高于验证电压的验证通过电压施加到未选择的字线。在读取操作中，行译码器121可以将读取电压施加到所选择的字线，并且将高于读取电压的读取通过电压施加到未选择的字线。
62.在实施例中，以存储块为单位执行存储器装置100的擦除操作。在擦除操作中，行译码器121可以根据经译码的地址选择一个存储块。在擦除操作中，行译码器121可以将接地电压施加到连接到所选择的存储块的字线。
63.电压生成器122在控制逻辑130的控制下来操作。电压生成器122通过使用供应到存储器装置100的外部电源电压来生成多个电压。具体地，电压生成器122可以响应于操作信号opsig而生成用于编程操作、读取操作和擦除操作的各种操作电压vop。例如，电压生成器122可以在控制逻辑130的控制下生成编程电压、验证电压、通过电压、读取电压、擦除电压等。
64.在实施例中，电压生成器122可以通过调节外部电源电压来生成内部电源电压。由电压生成器122生成的内部电源电压被用作存储器装置100的操作电压。
65.在实施例中，电压生成器122可以通过使用外部电源电压或内部电源电压来生成多个电压。
66.例如，电压生成器122可以包括用于接收内部电源电压的多个泵浦(pumping)电容器，并且在控制逻辑130的控制下通过选择性地激活多个泵浦电容器来生成多个电压。
67.可以通过行译码器121将多个生成的电压供应给存储器单元阵列110。
68.页面缓冲器组123包括第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn。第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲pbn分别通过第一位线bl1至第n位线bln连接到存储器单元阵列110。第一位线bl1至第n位线bln在控制逻辑130的控制下操作。具体地，第一位线bl1至第n位线bln可以响应于页面缓冲器控制信号pbsignals而操作。例如，第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn可以临时存储通过第一位线bl1至第n位线bln接收的数据，或者在读取操作或验证操作中感测位线bl1至bln的电压或电流。
69.具体地，在编程操作中，当将编程电压施加到所选择的字线时，第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn可以通过第一位线bl1至第n位线bln将通过输入/输出电路125接收的数据data传送到所选择的存储器单元。根据所传送的数据data，对所选择的页面的存储器单元进行编程。在编程验证操作中，第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn可以通过第一位线bl1至第n位线bln感测从所选择的存储器单元接收到的电压或电流来读取页面数据。
70.在读取操作中，第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn通过第一位线bl1至第n位线bln从所选择的页面的存储器单元读取数据data，并且在列译码器124的控制下将所读取的数据data输出到输入/输出电路125。
71.在擦除操作中，第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn可以使第一位线bl1至第n位线bln浮置或者施加擦除电压。
72.列译码器124可以响应于列地址cadd在输入/输出电路125与页面缓冲器组123之
间进行通信数据。例如，列译码器124可以通过数据线dl与第一页面缓冲器pb1至第n页面缓冲器pbn通信数据，或者通过列线cl与输入/输出电路125通信数据。
73.输入/输出电路125可以将从存储器控制器(图1中所示的200)接收的命令cmd和地址addr传送到控制逻辑130，或者与列译码器124交换数据data。
74.在读取操作或验证操作中，感测电路125可以响应于允许位vrybit信号生成参考电流，并且通过将从页面缓冲器组123接收的感测电压vpb与由参考电流生成的参考电压进行比较来输出通过信号pass或失败信号fail。
75.控制逻辑130可以响应于命令cmd和地址addr，通过输出操作信号opsig、行地址radd、页面缓冲器控制信号pbsignals和允许位vrybit来控制外围电路120。例如，控制逻辑130可以响应于子块读取命令和地址而控制所选择的存储块的读取操作。而且，控制逻辑130可以响应于子块擦除命令和地址而控制所选择的存储块中包括的所选择的子块的擦除操作。而且，控制逻辑130可以响应于通过信号pass或失败信号fail而确定验证操作是通过还是失败。
76.在实施例中，控制逻辑130可以包括温度电路150、监控组件160和操作控制器170。在另一实施例中，温度电路150、监控组件160和操作控制器170可以位于控制逻辑130的外部。
77.在实施例中，温度电路150可以测量存储器装置100的温度。例如，温度电路150可以测量存储器装置100在启动时的温度。在一些实施方案中，温度电路150可以基于在启动操作期间测量的温度，每隔预定时段测量存储器装置100的温度。在一些实施方案中，温度电路150可以在启动之后每隔预定时段测量存储器装置100的温度。通过测量存储器装置100的温度，温度电路150每隔预定时段提供更新后的温度信息。
78.在实施例中，监控组件160可以基于由温度电路150测量的温度来监控存储器装置100的状态。例如，监控组件160可以基于在启动时由温度电路150测量的温度，确定存储器装置100是处于需要挂起正在由存储器装置100执行的启动操作的状态还是处于可以对存储器单元阵列110中包括的cam(内容可寻址存储器)块进行cam读取操作的状态。
79.而且，监控组件160可以基于在启动之后由温度电路150测量的温度，确定存储器装置100是处于需要挂起存储器装置100的操作的状态还是可以恢复所挂起的操作的状态。
80.在实施例中，监控组件160可以基于通过监控存储器装置100的状态获得的结果来生成监控信息。
81.在实施例中，操作控制器170可以基于监控信息来控制待由存储器装置100执行的操作。
82.例如，在启动时，操作控制器可以基于监控信息，指示存储器装置100挂起正在由存储器装置100执行的启动操作或者指示存储器装置100对存储器单元阵列110中包括的cam块执行cam读取操作。而且，在启动之后，操作控制器170可以基于监控信息来指示存储器装置挂起存储器装置100的操作或指示存储器装置100恢复所挂起的操作。
83.图3是示出图2所示的存储器单元阵列的实施例的示图。
84.参照图2和图3，图3是示出图2中所示的存储器单元阵列110中包括的多个存储块blk1至blkz之中任意一个存储块blka的电路图。
85.在存储块blka中，平行布置的第一选择线、字线和第二选择线可以彼此连接。例
如，字线可以在第一选择线与第二选择线之间平行布置。第一选择线可以是源极选择线ssl，并且第二选择线可以是漏极选择线dsl。
86.更具体地，存储块blka可以包括连接在位线bl1至bln与源极线sl之间的多个串。位线bl1至bln可以分别连接到串，并且源极线sl可以共同连接到串。串可以彼此相同地配置，并且因此，作为示例将详细描述连接到第一位线bl1的串st。
87.串st可以包括彼此串联连接在源极线sl与第一位线bl1之间的源极选择晶体管sst、多个存储器单元f1至f16和漏极选择晶体管dst。至少一个源极选择晶体管sst和至少一个漏极选择晶体管dst可以包括在一个串st中，并且在该一个串st中可以包括比图中所示的存储器单元f1至f16的数量更多的存储器单元。
88.源极选择晶体管sst的源极可以连接到源极线sl，并且漏极选择晶体管dst的漏极可以连接到第一位线bl1。存储器单元f1至f16可以串联连接在源极选择晶体管sst与漏极选择晶体管dst之间。不同串中包括的源极选择晶体管sst的栅极可以连接到源极选择线ssl，并且不同串中包括的漏极选择晶体管dst的栅极可以连接到漏极选择线dsl。存储器单元f1至f16的栅极可以连接到多条字线wl1至wl16。不同的串中包括的存储器单元之中连接到同一字线的一组存储器单元可以被称为物理页面ppg。因此，存储块blka中可以包括与字线wl1至wl16的数量相对应的物理页面。
89.一个存储器单元可以存储一位数据。该存储器单元通常被称为单层单元(slc)。一个物理页面ppg可以存储一个逻辑页面(lpg)数据。一个lpg数据可以包括数量与一个物理页面ppg中包括的单元的数量相对应的数据位。可选地，一个存储器单元mc可以存储两位或更多位的数据。该存储器单元通常被称为多层单元(mlc)。一个物理页面ppg可以存储两个或更多个lpg数据。
90.用于存储两位或更多位数据的存储器单元被称为mlc。随着一个存储器单元中存储的数据位的数量的增加，mlc最近表示用于存储两位数据的存储器单元。用于存储三位或更多位数据的存储器单元被称为三层单元(tlc)，并且用于存储四位或更多位数据的存储器单元被称为四层单元(qlc)。此外，已经开发了用于存储多位数据的存储器单元，并且该实施例可以应用于存储两位或更多位数据的存储器系统。
91.在另一实施例中，多个存储块中的每一个可以具有三维结构。每个存储块可以包括堆叠在衬底上的多个存储器单元。多个存储器单元可以沿着 x、 y和 z方向布置。
92.图4是示出每个组件在启动阶段的操作的示图。
93.参照图1和图4，图4示出存储器装置(图1中所示的100)中包括的温度电路150、监控组件160和操作控制器170。而且，图4示出了温度电路150、监控组件160和操作控制器170在存储装置(图1中所示的50)的启动操作期间的操作。
94.在实施例中，当启动存储装置(图1中所示的50)时，可以将外部电力power同时供应给存储器控制器(图1中所示的200)和存储器装置(图1中所示的100)。
95.在实施例中，当将外部电力power供应给存储器装置(图1中所示的100)时，温度电路150可以测量存储器装置(图1中所示的100)的温度。所测量的温度可以在预定温度范围之内或超出预定温度范围。
96.在温度电路150测量存储器装置(图1中所示的100)的温度之后，温度电路150可以向监控组件160提供温度信息tem_inf，温度信息tem_inf包括关于所测量的温度的信息。
97.在实施例中，监控组件160可以基于温度信息tem_inf来监控存储器装置(图1中所示的100)的状态。监控组件160可以基于监控结果来生成监控信息monitor_inf。监控信息monitor_inf可以包括存储器装置是处于启动模式还是保护模式的信息。启动模式可以是执行包括cam读取操作或其他操作的启动操作的存储器装置(图1中所示的100)的操作模式，并且保护模式可以是挂起正在执行的启动操作的存储器装置(图1中所示的100)的操作模式。
98.监控组件160可以存储监控信息monitor_inf，使得存储器装置(图1中所示的100)以启动模式或保护模式来操作，然后将监控信息monitor_inf提供给操作控制器170。
99.例如，当温度信息tem_inf中包括的所测量的温度在预定温度范围之内时，监控组件160可以存储包括关于启动模式的信息的监控信息monitor_inf，然后将监控信息monitor_inf提供给操作控制器170。
100.在一些其他实施方案中，当温度信息tem_inf中包括的所测量的温度不在预定温度范围之内时，监控组件160可以存储包括关于保护模式的信息的监控信息monitor_inf，然后将监控信息monitor_inf提供给操作控制器170。
101.在图4的示例中，假设温度信息tem_inf中包括的所测量的温度在预定温度范围之内。
102.因此，操作控制器170可以基于从监控组件160接收到的监控信息monitor_inf来输出请求存储器装置(图1中所示的100)继续执行启动操作的启动请求bt_req。当输出启动请求bt_req时，存储器装置(图1中所示100)可以执行诸如用于读取存储器单元阵列(图2中所示110)的cam块中存储的数据的cam读取操作的启动操作。
103.图5是示出由监控组件生成的监控信息的示图。
104.参照图4和图5，图5示出了由监控组件(图4中所示的160)生成的监控信息monitor_inf。在图5中，假设存储器装置(图1中所示的100)的预定温度范围大于或等于t1并且小于t2。因此，预定温度范围之外的温度可以小于t1或者大于或等于t2。
105.在实施例中，监控组件(图4中所示的160)可以基于从温度电路150接收到的温度信息tem_inf来生成监控信息monitor_inf。监控信息monitor_inf可以包括关于启动模式(或正常模式)或保护模式的信息。
106.在实施例中，在存储装置(图1中所示的50)的启动阶段，监控组件(图4中所示的160)可以基于从温度电路150接收到的温度信息tem_inf来生成监控信息monitor_inf，监控信息monitor_inf包括关于启动模式bt_mode或保护模式pt_mode的信息。启动模式bt_mode可以是执行诸如cam读取操作的启动操作的存储器装置(图1中所示的100)的操作模式，并且保护模式pt_mode可以是挂起启动操作的存储器装置(图1中所示的100)的操作模式。
107.例如，在存储装置(图1中所示的50)的启动阶段，当存储器装置(图1中所示的100)的温度t_nand在预定温度范围之内时，监控组件(图4中所示的160)可以生成包括关于启动模式bt_mode的信息的监控信息monitor_inf。
108.在一些其他实施方案中，在存储装置(图1中所示的50)的启动阶段，当存储器装置(图1中所示的100)的温度t_nand在预定温度范围之外时，监控组件(图4中所示的160)可以生成包括关于保护模式pt_mode的信息的监控信息monitor_inf。
109.在实施例中，在存储装置(图1中所示的50)启动之后的阶段，监控组件(图4中所示的160)可以基于从温度电路150接收到的温度信息tem_inf来生成监控信息monitor_inf，监控信息monitor_inf包括关于正常模式nm_mode或保护模式pt_mode的信息。正常模式nm_mode可以是存储器装置(图1的所示的100)执行操作的模式，并且保护模式pt_mode可以是存储器装置(图1中所示的100)挂起操作的模式。
110.例如，在存储装置(图1中所示的50)启动之后的阶段，当存储器装置的温度t_nand在预定温度范围之内时，监控组件(图4中所示的160)可以生成包括关于正常模式nm_mode的信息的监控信息monitor_inf。
111.在一些其他实施方案中，在存储装置(图1中所示的50)启动之后的阶段，当存储器装置的温度t_nand在预定温度范围之外时，监控组件(图4中所示的160)可以生成包括关于保护模式pt_mode的信息的监控信息monitor_inf。
112.图6是示出每个组件在启动阶段的操作的示图。
113.参照图1和图6，图6示出了存储器装置(图1中所示的100)中包括的温度电路150、监控组件160和操作控制器170。而且，图6示出了温度电路150、监控组件160和操作控制器170在存储装置(图1中所示的50)的启动操作期间的操作。
114.不同于图4的示例，在图6的示例中，假设温度信息tem_inf中包括的所测量的温度在预定温度范围之外。
115.参照图6，将不再重复讨论与图4的示例中执行的操作相同的操作，而将主要讨论与图4的示例中的操作不同的操作。
116.在实施例中，当将外部电力power供应给存储器装置(图6中所示的100)时，温度电路150可以测量存储器装置(图6中所示的100)的温度。在图6的示例中，所测量的温度可能超出预定温度范围。
117.监控组件160可以基于从温度电路150接收到的温度信息tem_inf来监控存储器装置(图1中所示的100)的状态，并且基于监控结果，存储包括关于保护模式的信息的监控信息monitor_inf，然后将监控信息monitor_inf提供给操作控制器170。保护模式可以是挂起正在由存储器装置(图1中所示的100)执行的启动操作的操作模式。
118.在实施例中，操作控制器170可以基于从监控组件160接收到的监控信息monitor_inf来输出请求存储器装置(图1中所示的100)挂起启动操作的挂起请求sus_req。当输出挂起请求sus_req时，存储器装置(图1中所示的100)可以挂起启动操作。
119.在一些实施方案中，为了向存储器控制器(图1中所示的200)通知存储器装置(图1中所示的100)的温度超出预定温度范围，操作控制器170可以基于监控信息monitor_inf来输出写入防止信号wp或状态信息status_inf。
120.例如，当监控信息monitor_inf包括关于保护模式的信息时，操作控制器170可以通过写入防止线wp#来将写入防止信号wp输出为高电平状态(high state)或低电平状态(low state)，从而向存储器控制器(图1中所示的200)通知存储器装置(图1中所示的100)以保护模式操作。
121.将参照图7和图8更详细地描述写入防止信号wp。
122.在一些实施方案中，操作控制器170可以允许关于保护模式的信息被包括在状态信息status_inf中，然后将状态信息status_inf输出到存储器控制器(图1中所示的200)，
从而通知存储器控制器(图1中所示的200)，存储器装置(图1中所示的100)以保护模式操作。当存储器装置(图1中所示的100)被重置时，操作控制器170可以将状态信息status_inf输出到存储器控制器(图1中所示的200)。当存储器装置(图1中所示的100)的状态从睡眠状态改变为唤醒状态，并且存储器装置(图1中所示的100)在唤醒状态下不正常操作时，可以执行存储器装置(图1中所示的100)的重置。
123.在实施例中，在存储器装置(图1中所示的100)挂起启动操作之后，温度电路150可以每隔预定时段测量存储器装置(图1中所示的100)的温度。另外，监控组件160可以每隔预定时段从温度电路150接收到温度信息tem_inf。因此，在存储器装置(图1中所示的100)挂起启动操作之后，温度电路150每隔预定时段提供更新后的温度信息。
124.在接收到更新后的温度信息之后，监控组件160可以基于从温度电路150接收到的温度信息tem_inf来确定存储器装置(图1中所示的100)的温度是否在预定温度范围之内。当确定存储器装置(图1中所示的100)的温度在预定温度范围之内时，监控组件160可以生成和存储监控信息monitor_inf，监控信息monitor_inf包括关于启动模式bt_mode的信息。
125.当监控组件160生成和存储监控信息monitor_inf时，该监控信息monitor_inf可以被存储在监控组件160中来代替先前存储的监控信息monitor_inf。当存储与更新后的温度信息相对应的监控信息monitor_inf时，监控组件160可以将重新存储的监控信息monitor_inf输出到操作控制器170。因此，每当所存储的监控信息monitor_inf改变时，监控组件160可以将改变后的监控信息monitor_inf输出到操作控制器170。
126.随后，操作控制器170可以基于从监控组件160接收到的监控信息monitor_inf来输出用于请求存储器装置(图1中所示的100)恢复挂起的启动操作的启动请求bt_req。当输出启动请求bt_req时，存储器装置(图1中所示100)可以恢复诸如用于读取cam块中存储的数据的cam读取操作的启动操作。
127.图7是示出图1所示的存储器装置的引脚配置的示图。
128.参照图7，存储器装置(图1中所示的100)可以通过多个输入/输出线与外部控制器通信。例如，存储器装置(图1中所示的100)可以通过控制信号线与外部控制器进行通信，控制信号线包括芯片使能线ce#、写入使能线we#、读取使能线re#、地址锁存使能线ale、命令锁存使能线cle、写入防止线wp#、就绪忙碌线rb和数据输入/输出线dq。
129.存储器装置(图1中所示的100)可以通过芯片使能线ce#从外部控制器接收芯片使能信号。存储器装置(图1中所示的100)可以通过写入使能线we#从外部控制器接收写入使能信号。存储器装置可以通过读取使能线re#从外部控制器接收读取使能信号。存储器装置(图1中所示的100)可以通过地址锁存使能线ale从外部控制器接收地址锁存使能信号。存储器装置(图1中所示的100)可以通过命令锁存使能线cle从外部控制器接收命令锁存使能信号。存储器装置(图1中所示的100)可以通过写入防止线wp#从外部控制器接收写入防止信号。
130.在实施例中，存储器装置(图1中所示的100)可以通过就绪忙碌线rb向存储器控制器(图1所示的200)提供用于输出存储器装置(图1中所示的100)是处于就绪状态还是忙碌状态的就绪忙碌信号。
131.芯片使能信号可以是用于选择存储器装置(图1中所示的100)的控制信号。当芯片使能信号处于“高电平”状态并且存储器装置(图1中所示的100)对应于“就绪”状态时，存储
器装置(图1中所示的100)可以进入低功率待机状态。
132.写入使能信号可以是用于控制待存储在锁存器中的输入到存储器装置(图1中所示的100)的命令、地址和输入数据的控制信号。
133.读取使能信号可以是用于使能串行数据的输出的控制信号。
134.地址锁存使能信号可以是由主机用来表示通过输入/输出线dq输入的信号的类型是命令、地址和数据中的哪一个的控制信号中的一个。
135.命令锁存使能信号可以是由主机用来表示通过输入/输出线dq输入的信号的类型是命令、地址和数据中的哪一个的控制信号中的一个。
136.例如，当命令锁存使能信号被激活(例如，逻辑高电平)，地址锁存使能信号被禁用(例如，逻辑低电平)，并且写入使能信号被激活(例如，逻辑低电平)然后被禁用(例如，逻辑高电平)时，存储器装置(图1中所示的100)可以识别出通过输入/输出线dq输入的信号是命令。
137.例如，当命令锁存使能信号被禁用(例如，逻辑低电平)，地址锁存使能信号被激活(例如，逻辑高电平)，并且写入使能信号被激活(例如，逻辑低电平)然后被禁用(例如，逻辑高电平)时，存储器装置(图1中所示的100)可以识别出通过输入/输出线dq输入的信号是地址。
138.写入防止信号可以是用于禁用由存储器装置(图1中所示的100)执行的编程操作和擦除操作的控制信号。
139.就绪忙碌信号可以是用于识别存储器装置(图1中所示的100)的状态的信号。处于低电平状态的就绪忙碌信号表示存储器装置(图1中所示的100)正在执行至少一种操作。处于高电平状态的就绪忙碌信号表示存储器装置(图1中所示的100)没有执行任何操作。
140.当存储器装置(图1中所示的100)正在执行编程操作、读取操作和擦除操作中的任意一种时，就绪忙碌信号可以处于低电平状态。在本公开的实施例中，存储器控制器(图1所示的200)可以基于就绪忙碌信号来确定结束时间，该结束时间是编程操作或擦除操作结束的时间。
141.在实施例中，存储器装置(图1中所示的100)可以通过写入防止线wp#将写入防止信号输出到外部控制器。具体地，存储器装置(图1中所示的100)可以将写入防止信号作为高电平状态或低电平状态输出，从而通知外部控制器，存储器装置(图1中所示的100)在启动模式(或正常模式)或保护模式下操作。
142.图8是示出通过写入防止信号来通知存储器装置的操作模式的方法的示图。
143.参照图7和图8，图8示出通过图7所示的写入防止线wp#输出到存储器控制器(图1所示的200)的写入防止信号wp。
144.在实施例中，操作控制器(图1所示的170)可以基于从监控组件(图1所示的160)接收到的监控信息monitor_inf来生成写入防止信号wp，并且将写入防止信号wp输出到存储器控制器(图1所示的200)。
145.在一些实施方案中，监控组件(图1中所示160)可以基于表示由温度电路(图1中所示的150)测量的温度的温度信息tem_inf来监控存储器装置(图1中所示的100)的状态。监控组件(图1中所示的160)可以向操作控制器(图1所示的170)提供基于监控结果生成的监控信息monitor_inf，并且操作控制器(图1中所示的170)可以基于监控信息monitor_inf来
生成写入防止信号wp。
146.在实施例中，当监控信息monitor_inf包括启动模式bt_mode或正常模式nm_mode的信息时，操作控制器(图1中所示的170)可以生成高电平状态的写入防止信号wp并将写入防止信号wp输出到存储器控制器(图1中所示的200)。存储器控制器(图1中所示的200)可以基于接收到的写入防止信号wp来检查存储器装置(图1中所示的100)是否以启动模式bt_mode或正常模式nm_mode操作，然后将命令和/或数据输出到存储器装置(图1中所示的100)。
147.当监控信息monitor_inf包括关于保护模式pt_mode的信息时，操作控制器(图1中所示的170)可以生成低电平状态的写入防止信号并将写入防止信号输出到存储器控制器(图1中所示的200)。存储器控制器(图1中所示的200)可以基于接收到的写入防止信号wp来检查存储器装置(图1中所示的100)是否以保护模式pt_mode操作，然后挂起命令和/或数据输出到存储器装置(图1中所示的100)。因此，当存储器装置(图1中所示的100)以保护模式pt_mode来操作时，诸如启动操作或正在执行的任意其他操作的操作被挂起，并且存储器控制器(图1中所示的200)可以挂起输出命令和/或数据。
148.在另一实施例中，当监控信息monitor_inf包括关于启动模式bt_mode或正常模式nm_mode的信息时，操作控制器(图1中所示的170)可以生成低电平状态的写入防止信号wp。当监控信息monitor_inf包括关于保护模式pt_mode的信息时，操作控制器(图1中所示的170)可以生成高电平状态的写入防止信号wp。
149.图9是示出通过状态信息来通知存储器装置的操作模式的方法的示图。
150.参照图6和图9，图9示出操作控制器(图1中所示的170)输出到存储器控制器(图1中所示的200)的状态信息status_inf。在图9中，示出状态信息status_inf包括就绪忙碌信息rb_inf和监控信息monitor_inf。然而，在另一实施例中，状态信息status_inf中可以包括更多的信息。
151.在图9中，就绪忙碌信息rb_inf可以表示存储器装置(图1中所示的100)的状态是就绪状态还是忙碌状态，并且监控信息monitor_inf可以表示存储器装置(图1中所示的100)的操作模式。
152.在实施例中，操作控制器(图1所示的170)可以基于从监控组件(图1所示的160)接收到的监控信息monitor_inf来生成状态信息status_inf，并且将状态信息status_inf输出到存储器控制器(图1所示的200)。状态信息status_inf可以在存储器装置(图1所示的100)重置时生成，并输出到存储器控制器(图1所示的200)。当存储器装置(图1中所示的100)的状态从睡眠状态改变为唤醒状态，并且存储器装置(图1中所示的100)在唤醒状态下不正常操作时，可以执行存储器装置(图1中所示的100)的重置。
153.在实施例中，监控组件(图1中所示160)可以基于表示由温度电路(图1中所示的150)测量的温度的温度信息tem_inf来监控存储器装置(图1中所示的100)的状态。监控组件(图1中所示的160)可以向操作控制器(图1所示的170)提供基于监控结果生成的监控信息monitor_inf，并且操作控制器(图1中所示的170)可以基于监控信息monitor_inf来生成状态信息status_inf。
154.在实施例中，存储器控制器(图1中所示的200)可以基于从操作控制器(图1中所示的170)接收到的状态信息status_inf，检查存储器装置(图1中所示的100)的操作模式，然
后执行后续操作。
155.例如，当状态信息status_inf中包括的监控信息monitor_inf包括关于启动模式bt_mode或正常模式nm_mode的信息时，存储器控制器(图1中所示的200)可以检查存储器装置(图1中所示的100)是否以启动模式bt_mode或正常模式nm_mode操作，然后将命令和/或数据输出到存储器装置(图1中所示的100)。
156.当状态信息status_inf中包括的监控信息monitor_inf包括关于保护模式pt_mode的信息时，存储器控制器(图1中所示的200)可以检查存储器装置(图1中所示的100)是否以保护模式pt_mode操作，然后挂起向存储器装置(图1中所示的100)输出命令和/或数据。因此，当存储器装置(图1中所示的100)以保护模式pt_mode来操作时，启动操作或正在执行的操作被挂起，因此存储器控制器(图1中所示的200)可以挂起命令和/或数据的输出。
157.图10是示出每个组件在启动之后的阶段中的操作的示图。
158.参照图1至图10，图10示出存储器装置(图1中所示的100)中包括的温度电路150、监控组件160和操作控制器170。而且，图10示出温度电路150、监控组件160和操作控制器170在存储装置(图1中所示的50)的启动操作之后，例如在运行时间期间发生的操作。在下面的描述中，运行时间是指存储装置的启动操作之后的阶段。
159.在实施例中，在运行时间期间，温度电路150可以每隔预定时段测量存储器装置(图1中所示的100)的温度，然后向监控组件160提供温度信息tem_inf，温度信息tem_inf包括关于所测量的温度的信息。所测量的温度可以在预定温度范围之内或在预定温度范围之外。
160.在实施例中，监控组件160可以基于温度信息tem_inf来监控存储器装置(图1中所示的100)的状态。监控组件160可以基于监控结果来生成监控信息monitor_inf。监控信息monitor_inf可以包括关于正常模式或保护模式的信息。正常模式可以是继续执行操作的存储器装置(图1中所示的100)的操作模式，并且保护模式可以是挂起操作的存储器装置(图1中所示的100)的操作模式。
161.监控组件160可以向操作控制器170提供监控信息monitor_inf，使得存储器装置(图1中所示的100)以正常模式或保护模式来操作。
162.例如，作为基于温度信息tem_inf来确定的结果，当所测量的温度在预定温度范围之内时，监控组件160可以向操作控制器170提供包括关于正常模式的信息的监控信息monitor_inf。
163.然而，作为基于温度信息tem_inf来确定的结果，当所测量的温度超出预定温度范围时，监控组件160可以向操作控制器170提供包括关于保护模式的信息的监控信息monitor_inf。
164.在实施例中，当从监控组件160接收到的监控信息monitor包括关于存储器装置(图1所示的100)正在执行操作的状态的正常模式的信息时，操作控制器170可以不执行任何单独的操作。
165.然而，当从监控组件160接收到的监控信息monitor包括关于存储器装置(图1所示的100)正在执行操作的状态的保护模式的信息时，操作控制器170可以输出挂起请求sus_req。当挂起请求sus_req被输出时，存储器装置(图1所示的100)可以完成正在执行的操作并挂起后续操作。
166.此外，如图8和图9所述，当监控信息monitor_inf包括关于保护模式的信息时，操作控制器170可以将写入防止信号wp或状态信息status_inf输出到存储器控制器(图1中所示的200)，从而向存储器控制器(图1中所示的200)通知存储器装置(图1中所示的100)以保护模式操作。
167.在实施例中，在存储器装置(图1中所示的100)挂起操作之后，从监控组件160接收到的监控信息monitor_inf可以包括关于正常模式的信息。在操作控制器170接收到包括关于正常模式的信息的监控信息monitor_inf之后，操作控制器170可以输出用于请求存储器装置(图1中所示的100)恢复所挂起的操作的恢复请求res_req。当恢复请求res_req被输出时，存储器装置(图1中所示的100)可以再次执行所挂起的操作。
168.在一些实施方案中，当监控信息monitor_inf包括关于正常模式的信息时，操作控制器170可以将写入防止信号wp或状态信息status_inf输出到存储器控制器(图1中所示的200)，从而向存储器控制器(图1中所示的200)通知存储器装置(图1中所示的100)再次以正常模式操作。
169.如上所述，温度电路150即使在除了存储器装置(图1中所示的100)的启动期间以外的运行时间期间，也可以每隔预定时段测量存储器装置(图1中所示的100)的温度，并且因此可以根据测量结果来执行在运行时间期间的操作。因此，确定在运行时间期间测量的温度是否在预定温度范围之内。当运行期间测量的温度在预定温度范围之外时，存储器装置(图1中所示的100)被控制成以保护模式来操作，并且向存储器控制器(图1中所示的200)通知存储器装置(图1中所示的100)以保护模式操作，从而可以防止发生故障。
170.图11是示出根据本公开的实施例的存储器装置的操作的示图。
171.参照图11，在步骤s1101中，可以启动存储器装置。当存储器装置被启动时，可以将外部电力同时提供给存储器控制器和存储器装置。
172.在步骤s1103中，存储器装置可以测量温度。具体地，存储器装置中包括的温度电路可以在存储器装置被启动时测量温度。
173.在步骤s1105中，存储器装置可以确定所测量的温度是否在参考范围之内。参考范围可以是存储器装置未关闭并且可以正常操作的范围。作为确定结果，当所测量的温度在参考范围之内(是)时，存储器装置可以进行到步骤s1107。作为确定结果，当所测量的温度在参考范围之外(否)时，存储器装置可以进行到步骤s1109。
174.在步骤s1107中，存储器装置可以执行诸如cam读取操作的启动操作。也就是说，当确定所测量的温度在存储器装置未关闭并且可以正常操作的范围之内时，存储器装置可以执行启动操作。
175.在步骤s1109中，存储器装置可以挂起启动操作，并且通知存储器控制器启动操作已经挂起。也就是说，当确定所测量的温度是存储器装置可关闭的温度时，存储器装置可以挂起启动操作。而且，存储器装置可以通过写入防止信号、状态信息等来通知存储器控制器启动操作已经挂起。
176.在实施例中，当存储器装置挂起启动操作时，存储器装置可以通过再次进行步骤s1103来测量温度。
177.存储器装置可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在参考范围之内变低或变高时，存储器装置可以再次执行启动操作。此外，存储器装置可以通过写入防止信号、状
态信息等来通知存储器控制器启动操作已经恢复。
178.图12是示出根据本公开的实施例的存储器装置的操作的示图。
179.参照图12，在步骤s1201中，存储器装置可以在运行时间期间每隔预定时段测量温度。具体地，存储器装置中包括的温度电路除了可以在启动时还可以在运行时间期间测量温度。
180.在步骤s1203中，存储器装置可以确定所测量的温度是否在参考范围之内。如同在启动期间一样，参考范围可以是存储器装置未关闭并且可以正常操作的范围。
181.作为确定结果，当所测量的温度在参考范围之内(是)时，存储器装置可以再次进行到步骤s1201。作为确定结果，当所测量的温度在参考范围之外(否)时，存储器装置可以进行到步骤s1205。也就是说，确定所测量的温度在参考范围之内，即在存储器装置未关闭并且可以正常操作的范围之内，存储器装置可以继续执行操作，并且每隔预定时段测量温度。
182.在步骤s1205中，存储器装置可以在正在执行的操作完成之后挂起后续操作。也就是说，当确定所测量的温度是存储器装置可以关闭的温度时，存储器装置可以挂起正在执行的操作之后的操作。而且，存储器装置可以通过写入防止信号、状态信息等来通知存储器控制器操作已经挂起。
183.在操作s1207中，存储器装置可以每隔预定时段测量温度。也就是说，存储器装置可以挂起操作，然后每隔预定时段再次测量温度。
184.在步骤s1209中，存储器装置可以确定所测量的温度是否在参考范围之内。也就是说，在存储器装置挂起操作之后，存储器装置可以确定所测量的温度在参考范围之内变低还是变高。
185.当在步骤s1209中测量的温度在参考范围之内(是)时，存储器装置可以进行到步骤s1211。也就是说，当确定测量的温度在存储器装置未关闭并且可以正常操作的范围之内时，存储器装置可以在步骤s1211中恢复所挂起的操作，然后通过再次进行步骤s1201来每隔预定时段测量温度。存储器装置可以通过写入防止信号、状态信息等来通知存储器控制器挂起操作已经恢复。
186.当在步骤s1209中测量的温度不在参考范围之内(否)时，即，当步骤s1209中测量的温度在参考范围之外时，存储器装置可以通过进行步骤s1207再次每隔预定时段测量温度。
187.图13是示出图1中所示的存储器控制器的另一实施例的示图。
188.参照图13，存储器控制器1000连接到主机host和存储器装置。存储器控制器1000被配置成响应于从主机host接收到的请求而访问存储器装置。例如，存储器控制器1000被配置成控制存储器装置的读取操作、编程操作、擦除操作和后台操作。存储器控制器1000被配置成提供存储器装置与主机host之间的接口。存储器控制器1000被配置成驱动用于控制存储器装置的固件。
189.存储器控制器1000可以包括处理器1010、存储器缓冲器1020、错误校正码(ecc)电路1030、主机接口1040、缓冲器控制电路1050、存储器接口1060和总线1070。
190.总线1070可以被配置成提供存储器控制器1000的组件之间的信道。
191.处理器1010可以控制存储器控制器1000的全部操作并且执行逻辑运算。处理器
1010可以通过主机接口1040与外部主机通信，并且通过存储器接口1060与存储器装置通信。而且，处理器1010可以通过缓冲器控制电路1050与存储器缓冲器1020通信。处理器1010可以将存储器缓冲器1020作为工作存储器、缓存存储器或缓冲存储器使用，来控制存储装置的操作。
192.处理器1010可以执行闪存转换层(ftl)的功能。处理器1010可以通过ftl将由主机提供的逻辑块地址lba转换成物理块地址pba。ftl可以接收逻辑块地址lpa，使用映射表来将逻辑块地址lpa转换成物理块地址pba。根据映射单位，存在ftl的几种地址映射方法。代表性的地址映射方法包括页面映射方法、块映射方法和混合映射方法。
193.处理器1010被配置成使从主机host接收到的数据随机化。例如，处理器1010可以使用随机化种子来使从主机host接收的数据随机化。将经随机化的数据作为待存储的数据提供到存储器装置并编程到存储器单元阵列中。
194.处理器1010可以通过驱动软件或固件来执行随机化和去随机化。
195.存储器缓冲器1020可以用作处理器1010的工作存储器、缓存存储器或缓冲存储器。存储器缓冲器1020可以存储由处理器1010运行的代码和命令。存储器缓冲器1020可以存储由处理器1010处理的数据。存储器缓冲器1020可以包括静态ram(sram)或动态ram(dram)。
196.ecc电路1030可以执行ecc操作。ecc电路1030可以对待通过存储器接口1060写入存储器装置的数据执行ecc编码。经ecc编码的数据可以通过存储器接口1060而传送到存储器装置。ecc电路1030可以对通过存储器接口1060从存储器装置接收的数据执行ecc译码。示例性地，ecc电路1030可以作为存储器接口1060的组件包括在存储器接口1060中。
197.主机接口1040可以在处理器1010的控制下与外部主机通信。主机接口1040可以使用诸如以下的各种通信方式中的至少一种与主机host通信：通用串行总线(usb)、串行at附件(sata)、高速芯片间(hsic)、小型计算机系统接口(scsi)、火线、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高速非易失性存储器(nvme)、通用闪存(ufs)、安全数字(sd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、双列直插式存储器模块(dimm)、寄存式dimm(rdimm)和低负载的dimm(lrdimm)。
198.缓冲器控制电路1050被配置成在处理器1010的控制下控制存储器缓冲器1020。
199.存储器接口1060被配置成在处理器1010的控制下与存储器装置通信。存储器接口1060可以通过通道与存储器装置通信命令、地址和数据。
200.示例性地，存储器控制器1000可以不包括存储器缓冲器1020和缓冲器控制电路1050。
201.示例性地，处理器1010可以通过使用代码来控制存储器控制器1000的操作。处理器1010可以从存储器控制器1000中设置的非易失性存储器装置(例如，只读存储器(rom))中加载代码。在另一示例中，处理器1010可以通过存储器接口1060从存储器装置加载代码。
202.示例性地，存储器控制器1000的总线1070可以被划分为控制总线和数据总线。数据总线可以被配置成在存储器控制器1000中传输数据，并且控制总线可以被配置成在存储器控制器1000中传输诸如命令和地址的控制信息。数据总线和控制总线彼此分开，并且可以互不干扰或影响。数据总线可以连接到主机接口1040、缓冲器控制电路1050、ecc电路1030和存储器接口1060。控制总线可以连接到主机接口1040、处理器1010、缓冲器控制电路
1050、存储器缓冲器1020和存储器接口1060。
203.图14是示出应用了根据本公开的实施例的存储装置的存储卡系统的框图。
204.参照图14，存储卡系统2000包括存储器控制器2100、存储器装置2200和连接器2300。
205.存储器控制器2100连接到存储器装置2200。存储器控制器2100被配置成访问存储器装置2200。例如，存储器控制器2100被配置成控制存储器装置2200的读取操作、写入操作、擦除操作和后台操作。存储器控制器2100被配置成提供存储器装置2200与主机之间的接口。存储器控制器2100被配置成驱动用于控制存储器装置2200的固件。存储器装置2200可以与存储器装置100(图1中所示的100)相同地实施。
206.示例性地，存储器控制器2100可以包括诸如随机存取存储器(ram)、处理单元、主机接口、存储器接口和错误校正器的组件。
207.存储器控制器2100可以通过连接器2300与外部装置通信。存储器控制器2100可以根据特定的通信协议与外部装置(例如，主机)通信。示例性地，存储器控制器2100可以通过诸如以下的各种通信协议中的至少一种与外部装置通信：通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、小型计算机系统接口(scsi)、增强型小型磁盘接口(esdi)、电子集成驱动器(ide)、火线、通用闪存(ufs)、wifi、蓝牙和nvme。
208.示例性地，存储器装置2200可以利用诸如以下的各种非易失性存储器装置来实施：电可擦除可编程rom(eeprom)、nand闪速存储器、nor闪速存储器、相变ram(pram)、电阻式ram(reram)、铁电ram(fram)和自旋转移力矩磁性ram(stt-mram)。
209.存储器控制器2100和存储器装置2200可以被集成到单个半导体装置中以构成存储卡。例如，存储器控制器2100和存储器装置2200可以构成诸如以下的存储卡：pc卡(个人计算机存储卡国际协会(pcmcia))、紧凑型闪存(cf)卡、智能媒体卡(sm和smc)、记忆棒、多媒体卡(mmc、rs-mmc、微型mmc和emmc)、sd卡(sd、迷你sd、微型sd和sdhc)和通用闪存(ufs)。
210.在实施例中，存储器装置2200中包括的温度电路可以在启动期间或在启动之后的运行时间期间测量温度，并且存储器装置2200可以根据所测量的温度来执行操作。
211.具体地，温度电路可以测量存储器装置2200在启动期间的温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储器装置2200可以继续执行启动操作。
212.然而，当所测量的温度在预定范围之外时，存储器装置2200可以挂起启动操作。当启动操作被挂起时，存储器装置2200可以通过写入防止信号或状态信息来通知存储器控制器2100启动操作已经挂起。
213.在存储器装置2200挂起启动操作之后，温度电路可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储器装置2200可以恢复所挂起的启动操作。存储器装置2200可以通过写入防止信号或状态信息来通知存储器控制器2100启动操作已经恢复。
214.在实施例中，温度电路可以测量存储器装置2200在运行时间期间的温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储器装置2200可以继续执行正在执行的操作。
215.然而，当所测量的温度在预定范围之外时，存储器装置2200可以完成正在执行的操作，然后挂起自下一操作起的操作。存储器装置2200可以通过写入防止信号或状态信息来通知存储器控制器2100操作已经挂起。
216.在存储器装置2200挂起操作之后，温度电路可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储器装置2200可以恢复所挂起的操作。存储器装置2200可以通过写入防止信号或状态信息来通知存储器控制器2100操作已经恢复。
217.因此，通过存储器装置2200中的温度电路在启动时或在启动之后的运行时间期间测量温度，并且基于所测量的温度来控制存储器控制器2100和存储器装置2200的操作，从而可以防止在启动期间或运行时间期间出现故障。
218.图15是示出应用了根据本公开的实施例的存储装置的固态驱动器(ssd)系统的框图。
219.参照图15，ssd系统3000包括主机3100和ssd 3200。ssd 3200通过信号连接器3001与主机3100交换信号sig，并且通过电源连接器3002接收电力pwr。ssd 3200包括ssd控制器3210、多个闪速存储器3221至322n、辅助电源3230和缓冲存储器3240。
220.在实施例中，ssd控制器3210可以用作存储器控制器(图1中所示的200)。
221.ssd控制器3210可以响应于从主机3100接收的信号sig而控制多个闪速存储器3221至322n。示例性地，信号sig可以是基于主机3100与ssd 3200之间的接口的信号。例如，信号sig可以是由诸如以下的接口中的至少一种来定义的信号：通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、小型计算机系统接口(scsi)、增强型小型磁盘接口(esdi)、电子集成驱动器(ide)、火线、通用闪存(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme。
222.辅助电源3230通过电源连接器3002连接到主机3100。当来自主机3100的电力供应不平稳时，辅助电源3230可以提供ssd 3200的电力。示例性地，辅助电源3230可以位于ssd 3200中或者位于ssd 3200的外部。例如，辅助电源3230可以位于主板上，并且将辅助电力提供到ssd3200。
223.缓冲存储器3240作为ssd 3200的缓冲存储器来操作。辅助电源3230可以接收从主机3100输入的电力pwr并且可以利用电力pwr进行充电。例如，缓冲存储器3240可以临时地存储从主机3100接收的数据或从多个闪速存储器3221至322n接收的数据，或者临时地存储闪速存储器3221至322n的元数据(例如，映射表)。缓冲存储器3240可以包括诸如dram、sdram、ddr sdram、lpddr sdram和gram的易失性存储器，或者诸如fram、reram、stt-mram和pram的非易失性存储器。
224.在实施例中，多个闪速存储器3221至322n中的每一个中包括的温度电路可以在启动期间或在启动之后的运行时间期间测量温度，并且多个闪速存储器3221至322n中的每一个可以根据所测量的温度来执行操作。
225.具体地，温度电路可以在启动期间测量多个闪速存储器3221至322n的温度。当所测量的温度在预定范围之内时，多个闪速存储器3221至322n可以继续执行启动操作。
226.然而，当测量温度在预定范围之外时，多个闪速存储器3221至322n可以挂起启动操作。当启动操作被挂起时，多个闪速存储器3221至322n可以通过写入防止信号或状态信息来通知ssd控制器3210启动操作已经挂起。
227.在多个闪速存储器3221至322n挂起启动操作之后，温度电路可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在预定范围之内时，多个闪速存储器3221至322n可以恢复所挂起的启动操作。多个闪速存储器3221至322n可以通过写入防止信号或状态信息来通知ssd控
制器3210启动操作已经恢复。
228.在实施例中，温度电路可以在运行时间期间测量多个闪速存储器3221至322n的温度。当所测量的温度在预定范围之内时，多个闪速存储器3221至322n可以继续执行正在执行的操作。
229.然而，当所测量的温度在预定范围之外时，多个闪速存储器3221至322n可以完成正在执行的操作，然后挂起自下一操作起的操作。多个闪速存储器3221至322n可以通过写入防止信号或状态信息来通知ssd控制器3210操作已经挂起。
230.在多个闪速存储器3221至322n挂起操作之后，温度电路可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在预定范围之内时，多个闪速存储器3221至322n可以恢复所挂起的操作。多个闪速存储器3221至322n可以通过写入防止信号或状态信息来通知ssd控制器3210操作已经恢复。
231.因此，通过多个闪速存储器3221至322n中每一个中的温度电路在启动时或在启动之后的运行时间期间测量温度，并且基于所测量的温度来控制ssd控制器3210和多个闪速存储器3221至322n的操作，从而可以防止在启动期间或运行时间期间出现故障。
232.图16是示出应用了根据本公开的实施例的存储装置的用户系统的框图。
233.参照图16，用户系统4000包括应用处理器4100、存储器模块4200、网络模块4300、存储模块4400和用户接口4500。
234.应用处理器4100可以驱动用户系统4000中包括的组件、操作系统(os)、用户程序等。示例性地，应用处理器4100可以包括用于控制用户系统4000中包括的组件的控制器、接口、图形引擎等。应用处理器4100可以被设置为片上系统(soc)。
235.存储器模块4200可以作为用户系统4000的主存储器、工作存储器、缓冲存储器或缓存存储器而操作。存储器模块4200可以包括诸如dram、sdram、ddr sdram、ddr2 sdram、ddr3 sdram、lpddr sdram、lpddr2 sdram和lpddr3 sdram的易失性随机存取存储器或诸如pram、reram、mram和fram的非易失性随机存取存储器。示例性地，应用处理器4100和存储器模块4200可以通过基于堆叠封装(pop)来进行封装而被设置为一个半导体封装。
236.网络模块4300可以与外部装置通信。示例性地，网络模块4300可以支持诸如以下的无线通信：码分多址(cdma)、全球移动通信系统(gsm)、宽带cdma(wcdma)、cdma-2000、时分多址(tdma)、长期演进(lte)、wimax、wlan、uwb、蓝牙和wi-fi。示例性地，网络模块4300可以被包括在应用处理器4100中。
237.存储模块4400可以存储数据。例如，存储模块4400可以存储从应用处理器4100接收的数据。可选地，存储模块4400可以将其中存储的数据传输到应用处理器4100。示例性地，存储模块4400可以利用诸如以下的非易失性半导体存储器装置来实施：相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、nand闪存、nor闪存或具有三维结构的nand闪存。示例性地，存储模块4400可以被设置为可移动驱动器，诸如用户系统4000的存储卡或外部驱动器。
238.示例性地，存储模块4400可以包括多个非易失性存储器装置，并且多个非易失性存储器装置可以与参照图2和图3描述的存储器装置相同地操作。存储模块4400可以与参照图1描述的存储装置50相同地操作。
239.用户接口4500可以包括用于向应用处理器4100输入数据或命令或者向外部装置
输出数据的接口。示例性地，用户接口4500可以包括诸如以下的用户输入接口：键盘、小键盘、按钮、触摸面板、触摸屏、触摸板、触摸球、摄像机、麦克风、陀螺仪传感器、振动传感器和压电元件。用户接口4500可以包括诸如以下的用户输出接口：液晶显示器(lcd)、有机发光二极管(oled)显示装置、有源矩阵oled(amoled)显示装置、led、扬声器和监视器。
240.在实施例中，存储模块4400中包括的温度电路可以在启动期间或在启动之后的运行时间期间测量温度，并且存储模块4400可以根据所测量的温度来执行操作。
241.具体地，温度电路可以测量存储模块4400在启动期间的温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储模块4400可以继续执行启动操作。
242.然而，当测量温度在预定范围之外时，存储模块4400可以挂起启动操作。当启动操作被挂起时，存储模块4400可以通过写入防止信号或状态信息来通知应用处理器4100启动操作已经挂起。
243.在存储模块4400挂起启动操作之后，温度电路可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储模块4400可以恢复所挂起的启动操作。存储模块4400可以通过写入防止信号或状态信息来通知应用处理器4100启动操作已经恢复。
244.在实施例中，温度电路可以测量存储模块4400在运行时间期间的温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储模块4400可以继续执行正在执行的操作。
245.然而，当所测量的温度在预定范围之外时，存储模块4400可以完成正在执行的操作，然后挂起自下一操作起的操作。存储模块4400可以通过写入防止信号或状态信息来通知应用处理器4100操作已经挂起。
246.在存储模块4400挂起操作之后，温度电路可以每隔预定时段测量温度。当所测量的温度在预定范围之内时，存储模块4400可以恢复所挂起的操作。存储模块4400可以通过写入防止信号或状态信息来通知应用处理器4100操作已经恢复。
247.因此，通过存储模块4400中的温度电路在启动时或在启动之后的运行时间期间测量温度，并且基于所测量的温度来控制应用处理器4100和存储模块4400的操作，从而可以防止在启动期间或运行时间期间出现故障。
248.根据本公开，根据在启动时测量的温度来执行操作，并且根据在启动之后测量的温度来执行操作，从而可以防止存储器装置的故障和存储器单元的阈值电压分布的改变。