具有暂态响应增强的端接电压调节装置的制作方法

1.本发明公开关于一种端接电压调节器，特别是一种具有暂态响应增强的端接电压调节装置。


背景技术：

2.端接电压调节器是专门为了总线的端接(termination)而特别设计，例如用于双倍数据速率存储技术的存储器总线。需要端接电压调节器提供端接电压和提供及汲取电流。暂态响应可能会受到端接电压调节器的操作速度的影响。如果暂态响应的过冲(overshoot)和下冲(undershoot)不能在相应的容许范围内减小，则具有存储器的运算系统可能会不稳定或者在最坏的情况下发生故障。
3.因此，为了改善端电压调节器的暂态响应，调节器的操作速度有待改进。


技术实现要素：

4.本发明的一目的在于提供一种具有暂态响应增强的端接电压调节装置。
5.为了至少实现上述目的，本发明公开提供一种具有暂态响应增强的端接电压调节装置，其包括端接电压调节器以及暂态响应增强器。端接电压调节器用于在一端接电压端子处提供一端接电压，所述端接电压调节器包括耦接到端接电压端子的第一开关单元和第二开关单元。所述暂态响应增强器耦接到所述端接电压调节器，用于增强所述端接电压调节器的暂态响应，所述暂态响应增强器包括第一增强电路和第二增强电路。所述第一增强电路，至少耦接至第一开关单元，用于感测与第一开关单元相关联的第一信号，其中，在汲取模式中，当所述第二开关单元可操作地从所述端接电压端子处汲取电流时，所述第一增强电路响应于第一信号而使所述第一开关单元的第一控制端子处于第一电压。第二增强电路，至少耦接至第二开关单元的，用于感测与第二开关单元相关联的第二信号，其中在提供模式下，当所述第一开关单元可操作地将电流提供至所述端接电压端子时，所述第二增强电路响应于所述第二信号而使所述第二开关单元的第二控制端子处于第二电压。
6.可选地，其中所述第一增强电路具有第一感测端子，耦接至所述第一开关单元的第一端子，以及具有第一反馈端子，耦接至所述第一开关单元的第一控制端子。
7.可选地，其中所述端接电压调节器进一步包含：控制单元，耦接至所述第一控制端子和所述第二控制端子，用以基于所述端接电压以及一端接参考电压，选择性地导通所述第一开关单元和所述第二开关单元。
8.可选地，其中所述第一反馈端子连接至所述第一开关单元的第一控制端子；在所述汲取模式下，所述控制单元导通所述第二开关单元以从所述端接电压端子汲取电流，并且所述第一增强电路通过所述第一反馈端子使得所述第一控制端子处于所述第一电压。
9.可选地，其中所述第一反馈端子连接至所述控制单元；在所述汲取模式下，所述控制单元导通所述第二开关单元以从所述端接电压端子汲取电流，并且所述第一增强电路通过所述第一反馈端子使得所述控制单元提供所述第一电压，以使所述第一控制端子处于所
述第一电压。
10.可选地，其中所述第一增强电路包括：第一感测单元，具有耦接至所述第一反馈端子的感测控制端子、耦接至所述第一感测端子的第一端子以及用于接收第一偏压信号的第二端子，其中所述第一感测单元用于感测所述第一信号，其表征所述第一开关单元的电流；第一反馈单元，耦接至所述第一反馈端子以及所述第一感测单元的第二端子，用于将信号反馈至所述第一控制端子；以及第一补偿单元，耦接至所述第一反馈端子以及所述第一感测单元的第二端子，用于稳定电路。
11.可选地，其中所述第二增强电路具有耦接至所述第二开关单元的第一端子的第二感测端子，以及耦接至所述第二开关单元的第二控制端子的第二反馈端子。
12.可选地，其中所述端接电压调节器进一步包含控制单元，耦接至所述第一控制端子及所述第二控制端子，用以基于所述端接电压及一端接参考电压，选择性地导通所述第一开关单元及所述第二开关单元。
13.可选地，其中所述第二反馈端子连接至所述第二开关单元的第二控制端子；在所述提供模式下，所述控制单元导通所述第一开关单元以将电流提供至所述端接电压端子，以及所述第二增强电路通过所述第二反馈端子使得所述第二控制端子处于所述第二电压。
14.可选地，其中所述第二反馈端子连接至所述控制单元；在所述提供模式下，所述控制单元导通所述第一开关单元以将电流提供至所述端接电压端子，以及所述第二增强电路通过所述第二反馈端子使得所述控制单元提供所述第二电压，以使所述第二控制端子处于所述第二电压。
15.可选地，其中所述第二增强电路包括：第二感测单元，具有耦接至所述第二反馈端子的感测控制端子、耦接至所述第二感测端子的第一端子以及用于接收第二偏压信号的第二端子，其中所述第二感测单元用于感测所述第二信号，其表征所述第二开关单元的电流；第二反馈单元，耦接至所述第二反馈端子以及所述第二感测单元的第二端子，用于将信号反馈至所述第二控制端子；以及
16.第二补偿单元，耦接至所述第二反馈端子以及所述第二感测单元的第二端子，用于稳定电路。
17.为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是示出根据本发明的实施例具有暂态响应增强的端接电压调节装置的示意图；
20.图2是基于图1的端接电压调节装置的实施例的示意图；
21.图3是示出第一增强电路的实施例的示意图；
22.图4是示出第二增强电路的实施例的示意图；
23.图5是基于图1的端接电压调节装置的另一实施例的示意图。
24.附图标记说明：
25.10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压调节装置
26.11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压调节器
27.21
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
暂态响应增强器
28.110
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一开关单元
29.120
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二开关单元
30.130
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
控制单元
31.131
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
比较器
32.132
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
比较器
33.210
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一增强电路
34.211
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一感测单元
35.212
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一反馈单元
36.213
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一补偿单元
37.220
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二增强电路
38.221
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二感测单元
39.222
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二反馈单元
40.223
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二补偿单元
41.10a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压调节装置
42.10b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压调节装置
43.110a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一开关单元
44.110b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一开关单元
45.11a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压调节器
46.11b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压调节器
47.120a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二开关单元
48.120b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二开关单元
49.130a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
控制单元
50.130b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
控制单元
51.210a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一增强电路
52.210b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一增强电路
53.21a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
暂态响应增强器
54.21b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
暂态响应增强器
55.220a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二增强电路
56.220b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二增强电路
57.c
p1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电容器
58.c
p2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电容器
59.i
ref1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
偏压电流
60.i
ref2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
偏压电流
61.i
tt
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电流
62.m1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
63.m2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
64.m3
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
65.m4
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
66.m5
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
67.m6
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶体管
68.n
c1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一控制端子
69.n
c2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二控制端子
70.n
fb1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一反馈端子
71.n
fb2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二反馈端子
72.n
s1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一感测端子
73.n
s2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二感测端子
74.n
tt
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压端子
75.r
p1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电阻器
76.r
p2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电阻器
77.v
inp
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输入电源电压
78.v
tt
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接电压
79.v
tt_ref
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
端接参考电压
具体实施方式
80.为了促进对本发明的目的、特征和效果的理解，提供了实施例及附图，以用于本发明公开的详细描述。
81.请参考图1，其以一示意图示出了根据本发明的多个实施例的具有暂态响应增强的端接电压调节装置10。如图1所示，端接电压调节装置10包含端接电压调节器11和耦接到端接电压调节器11的暂态响应增强器21。端接电压调节装置10可以用于连接到存储器装置(未示出)，例如用于存储器总线端接的双倍数据速率存储器，以通过暂态响应增强来提供及汲取电流。
82.端接电压调节器11用于在一端接电压端子n
tt
处提供一端接电压v
tt
，并且端接电压调节器11包括第一开关单元110及第二开关单元120。第一开关单元110耦接到端接电压端子n
tt
并且具有第一控制端子n
c1
。第二开关单元120耦接到端接电压端子n
tt
并且具有第二控制端子n
c2
。例如，第一开关单元110以及第二开关单元120耦接在输入电源电压v
inp
及地(或其他电源电压)之间，并且配置为以开关方式操作以提供端接电压v
tt
，并且能够在端接电压端子n
tt
上提供及汲取电流。当端接电压调节器11提供电流时，一端接电流i
tt
从端接电压端子n
tt
流出(即，i
tt
>0)到连接的负载(未示出)，例如用于存储器总线端接的一端接电阻；当端接电压调节器11汲取电流时，端接电流i
tt
从负载流进端接电压端子n
tt
(即，i
tt
<0)。例如，第一开关单元110和第二开关单元120可以配置为响应于在第一控制端子n
c1
和第二控制端子n
c2
的各自控制信号而以开关方式操作，上述控制信号可以由控制单元130基于端接电压v
tt
以及一端接参考电压v
tt_ref
而产生。当然，本发明的实现方式不限于上述示例。
83.暂态响应增强器21用于增强端接电压调节器11的暂态响应。暂态响应调节器21包括第一增强电路210及第二增强电路220。
84.第一增强电路210，至少耦接到端接电压调节器11，且用于感测与第一开关单元110相关联的第一信号(例如，电压或电流)。在端接电压调节装置10的汲取模式(sinking mode)中，当第二开关单元120可操作地从端接电压端子n
tt
汲取电流时，第一增强电路210响应于第一信号而使得第一控制端子n
c1
处于第一电压。
85.第二增强电路220，至少耦接到端接电压调节器11，且用于感测与第二开关单元120相关联的第二信号(例如，电压或电流)。在端接电压调节装置10的提供模式(sourcing mode)下，当第一开关单元110可操作地将电流提供至端接电压端子n
tt
时，第二增强电路220响应于第二信号而使第二控制端子n
c2
处于第二电压。
86.如此，当端接电压调节装置10需要将其操作模式从汲取模式改变为提供模式时，第一开关单元110能够更快地操作以提供电流，因为在汲取模式下，通过第一增强电路210将第一开关单元110的第一控制端子n
c1
预先设置为第一电压。因此，从汲取模式到提供模式的过渡期间，可以有效地降低端接电压调节器11的端接电压v
tt
的电压下冲。
87.相反地，当端接电压调节装置10需要将其操作模式从提供模式改变为汲取模式时，第二开关单元120能够更快地以汲取电流，因为在提供模式下，通过第二增强电路220将第二开关单元120的第二控制端子n
c2
预先设置为第二电压。因此，从提供模式到汲取模式的过渡期间，可以有效地降低端接电压调节器11的端接电压v
tt
的电压过冲。
88.为了实现具有暂态响应增强的端接电压调节装置10，暂态响应增强器21的第一增强电路210或第二增强电路220，可以通过配置为，在从汲取模式转换到提供模式或者从提供模式转换到汲取模式之前，如上述所示，使得相应的开关单元(例如110、120)的控制端子(例如n
c1
、n
c2
)能够在提供模式或汲取模式下预先设置为特定电压的任何合适的电路来实现，其中端接电压调节器11可以是任何主动端接电压调节器，主动端接电压调节器包括至少两个用于提供端接电压v
tt
及提供和汲取电流的开关单元。
89.以下提供基于端接电压调节装置10的结构和功能的各种实施例。
90.请参考图2，其示出了根据图1的端接电压调节装置10的实施例的端接电压调节装置10a。如图2所示，端接电压调节装置10a包含一端接电压调节器11a及暂态响应增强器21a。
91.端接电压调节器11a包含第一开关单元110a及第二开关单元120a。例如，如图2所示，第一开关单元110a及第二开关单元120a分别是晶体管m1和m2(例如nmos和/或pmos)。在一示例中，端接电压调节器11a进一步包含控制单元130a，其耦接到第一控制端子n
c1
及第二控制端子n
c2
，用于基于端接电压v
tt
和一端接参考电压v
tt_ref
，选择性地导通第一开关单元110a和第二开关单元120a。控制单元130a，例如，可以包含比较器131和132，或者包含误差放大器或其他合适的电路，用于提供用于选择性地启用第一开关单元110a和第二开关单元120a的输出电压。当然，本发明的实现方式不限于以上示例。
92.暂态响应增强器21a用于增强端接电压调节器11a的暂态响应。暂态响应增强器21a包含第一增强电路210a及第二增强电路220a。具体地，在一示例中，第一增强电路210a具有第一感测端子n
s1
及第一反馈端子n
fb1
。第一感测端子n
s1
耦接或连接到第一开关单元110a的第一端子，例如晶体管m1的源极端子。第一反馈端子n
fb1
耦接或连接到第一开关单元
110a的第一控制端子n
c1
，例如晶体管m1的栅极端子。
93.在示例中，第二增强电路220a具有第二感测端子n
s2
及第二反馈端子n
fb2
。第二感测端子n
s2
耦接或连接到第二开关单元120a的第一端子，例如晶体管m1的源极端子。第二反馈端子n
fb2
耦接或连接到第二开关单元120a的第二控制端子n
c2
，例如晶体管m2的栅极端子。
94.在一实施例中，在汲取模式下，控制单元130a导通第二开关单元120a以从端接电压端子n
tt
汲取电流，并且第一增强电路210a使第一控制端子n
c1
通过第一反馈端子n
fb1
而处于第一电压。
95.在一实施例中，在提供模式下，控制单元130a导通第一开关单元110a以将电源提供至端接电压端子n
tt
，并且第二增强电路220a使第二控制端子n
c2
通过第二反馈端子n
fb2
处于第二电压。
96.请参考图3和4，其分别示出了第一增强电路210a和第二增强电路220a的实施例。
97.在如图3所示的实施例中，第一增强电路210a包含第一感测单元211、第一反馈单元212及第一补偿单元213。
98.第一感测单元211用于感测第一信号，第一信号表征第一开关单元110的电流，例如，晶体管m1的源极电流。第一感测单元211例如是包含晶体管m3(例如，nmos或pmos或其他晶体管)的开关单元。第一感测单元211具有：感测控制端子，例如晶体管m3的栅极端子，耦接至第一反馈端子n
fb1
；第一端子，例如晶体管m3的源极端子，耦接到第一感测端子n
s1
；以及第二端子，例如晶体管m3的漏极端子，用于接收第一偏压信号，例如来自电流源的偏压电流i
ref1
。
99.此外，在一些示例中，第一感测单元211可以根据以下关系式来实现：ms1＝nb1*ms3以及i1≤nb1*i
ref1
，其中ms1表示晶体管m1的一尺寸，ms3表示晶体管m3的一尺寸，nb1是根据对晶体管m1的电流幅度的设计或要求的值。当然，本发明的实现方式不限于这些示例。
100.第一反馈单元212，耦接至第一反馈端子n
fb1
和第一感测单元211的第二端子，且用于将信号反馈至第一控制端子n
c1
。例如，第一反馈单元212包含晶体管m5(例如，nmos或pmos或其他晶体管)。
101.第一补偿单元213，耦接至第一反馈端子n
fb1
及第一感测单元211的第二端子，以用于电路稳定。例如，第一补偿单元213包含电容器c
p1
及电阻r
p1
。
102.在图4所示的实施例中，第二增强电路220a包含第二感测单元221、第二反馈单元222及第二补偿单元223。
103.第二感测单元221用于感测第二信号，第二信号表征第二开关单元120的电流，例如，晶体管m2的源极电流。第二感测单元221例如是包含晶体管m4(例如，nmos或pmos或其他晶体管)的开关单元。第二感测单元221具有：感测控制端子，例如晶体管m4的栅极端子，耦接至第二反馈端子n
fb2
；第一端子，例如晶体管m4的源极端子，耦接至第二感测端子n
s2
；以及第二端子，例如晶体管m4的漏极端子，用于接收第二偏压信号，例如，来自电流源的偏压电流i
ref2
。
104.另外，在一些示例中，第二感测单元221可以根据以下关系式来实现：ms2＝nb2*ms4以及i2≤nb2*i
ref2
，其中ms2表示晶体管m2的一尺寸，ms4表示晶体管m4的一尺寸，nb2是根据对晶体管m1的电流幅度的设计或者要求的值。
105.第二反馈单元222，耦接至第二反馈端子n
fb2
以及第二感测单元221的第二端子，用
于将信号反馈至第二控制端子n
c2
。例如，第二反馈单元222包含晶体管m6(例如，nmos或pmos或其他晶体管)。
106.第二补偿单元223，耦接至第二反馈端子n
fb2
及第二感测单元221的第二端子，用于电路稳定。例如，第二补偿单元223包含电容器c
p2
及电阻r
p2
。
107.在下面，描述第一增强电路210a和第二增强电路220a的电路操作。为了简洁起见，首先描述提供模式。当然，本发明的实现方式不限于这些示例。
108.参考图2及4，在一实施例中，在提供模式(即，i
tt
>0)，控制单元130a，基于端接电压v
tt
和端接参考电压v
tt_ref
，确定导通第一开关单元110a以将电流提供到端接电压端子n
tt
。同时，如下所示，第二增强电路220a使得第二控制端子n
c2
通过第二反馈端子n
fb2
处于第二电压。首先，请参考图4，由于晶体管m2的源极连接至地，第二控制端子n
c2
具有大约为零的低电压。然后，由于晶体管m6导通并且在第二增强电路220a内部形成回路，因此，在第二控制端子n
c2
的电压通过第二反馈单元222增加。由于第二补偿单元223由v
g2
代表的第二控制端子n
c2
的电压将以稳定的方式增加到第二电压(例如，大于零的值，例如0.6v或其他值)。例如，第二电压可以被实现为满足以下关系式v
gs2-v
t
＝v
g2-v
t
≥0使得v
g2
≥v
t
以及i1＝i
tt
i2，其中v
gs2
表示晶体管m2的栅极端子和源极端子之间的电压，以及v
t
表示对应的晶体管的阈值电压。因此，在提供模式(即，i
tt
>0)下，由v
g2
代表的在第二控制端子n
c2
的电压将增加到第二电压。
109.如此，当端接电压调节装置10a需要将其操作模式从提供模式改变为汲取模式时，因为通过第二增强电路220a将第二开关单元120的第二控制端子n
c2
预先设置为第二电压，第二开关单元120a能够更快地操作以汲取电流。因此，在从提供模式到汲取模式的过渡期间，可以有效地减少端接电压调节器11a的端接电压v
tt
的电压过冲。
110.参考图2和3，在一实施例中，在汲取模式下(即，i
tt
<0)，控制单元130a基于端接电压v
tt
和端接参考电压v
tt_ref
，确定导通第二开关单元120a以从端接电压端子n
tt
汲取电流。同时，如下所述，第一增强电路210a通过第一反馈端子n
fb1
使第一控制端子n
c1
处于第一电压。首先，请参考图3，第一控制端子n
c1
具有大约为零的低电压。然后，因为晶体管m5导通并且在第一增强电路210a内部形成回路，因此在第一控制端子n
c1
的电压通过第一反馈单元212增加。由于第一补偿单元213由v
g1
代表的第一控制端子n
c1
的电压将以稳定的方式增加到第一电压(例如，大于零的值，诸如1v、1.1v、1.2v、1.3v、1.8v或其他值)。例如，第一电压可以被实现为满足以下关系式v
gs1-v
t
＝v
g1-v
tt-v
t
≥0使得v
g1
≥v
tt
v
t
以及i2＝i
tt
i1，其中v
gs1
代表晶体管m1的栅极端子和源极端子之间的电压。因此，在汲取模式下(即，i
tt
<0)，第一控制端子n
c1
的电压将增加到第一电压。
111.如此，当端接电压调节装置10a需要将其操作模式从汲取模式改变为提供模式时，因为在汲取模式下，已通过第一增强电路210a将第一开关单元110a的第一控制端子n
c1
预先设置为第一电压，第一开关单元110a能够更快地操作以提供电流。因此，在从汲取模式到提供模式的过渡期间，可以有效地降低端接电压调节器11a的端接电压v
tt
的电压下冲。
112.在上述与图2至4相关的实施例中，端接电压调节装置10a是根据如图2所示的配置而作示例。然而，本发明的实现方式不限于以上示例。
113.参考图5，示出了根据图1的端接电压调节装置10的另一实施例的端接电压调节装置10b。如图5所示，端接电压调节装置10b包含端接电压调节器11b及暂态响应增强器21b。
例如，基于图2所示的端接电压调节器11a来实现端接电压调节器11b，并且可基于如图2所示的暂态响应增强器21a来实现暂态响应增强器21b。
114.如在图5所示的实施例中，端接电压调节装置10b与端接电压调节装置10a的不同之处在于，暂态响应增强器21b通过控制单元130b间接地使得相应的开关单元(如n
c1
、n
c2
)的控制端子(如110b、120b)在提供模式或汲取模式中设置为特定电压。
115.在一示例中，第一反馈端子n
fb1
连接至端接电压调节器11b的控制单元130b；以及在汲取模式下，当控制单元130b导通第二开关单元120b以从端接电压端子n
tt
汲取电流时，暂态响应增强器21b的第一增强电路210b通过第一反馈端子n
fb1
使控制单元130b提供第一电压，以使第一控制端子n
c1
处于第一电压。
116.在一示例中，第二反馈端子n
fb2
连接至控制单元130b；在提供模式下，控制单元130b导通第一开关单元110b以将电流提供到端接电压端子n
tt
，并且第二增强电路220b通过第二反馈端子n
fb2
使控制单元130b提供第二电流，以使第二控制端子n
c2
处于第二电压。
117.例如，暂态响应增强器21b可以被实现为通过第一反馈端子n
fb1
或第二反馈端子n
fb2
将反馈信号发送到配置为接收反馈信号的控制单元130b。响应于接收到的反馈信号，在模式从提供模式转换到汲取模式或反之亦然之前，控制单元130b预先使得相应开关单元(如110b或120b)的控制端子(如n
c1
或n
c2)
在提供模式或汲取模式中被配置为特定电压，上示例可以类似于或基于端接电压调节装置(如，10或10a)的前述任何一个示例或其在适当情况下进行修改后而加以实现。例如，控制单元130b具有输出电路级，包含比较器131和132(或差分放大器或其他合适的电路)，其被配置为响应于反馈信号。为了简洁起见，可以类似地得出端接电压调节装置10b的操作，因此将不再重复。
118.在进一步的实施例中，端接电压调节装置(例如，10、10a或10b)可以配置为提供0.6v、0.75v、0.9v或1.25v的端接电压，以满足双倍数据速率(ddr)存储器标准(例如ddr1、ddr2、ddr3、ddr4或其他等)的需求。当然，本发明的实现方式不限于以上示例。
119.尽管已经通过特定的实施例描述了本发明，在不脱离权利要求书中所提出的本发明的范围和精神的情况下，本领域普通技术人员可以对其作出多种修改，组合和变化。
120.应注意的是，上述诸多实施例仅是为了便于说明而举例而已，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神所作些许的更动与润饰，皆应涵盖于本发明的范围内，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为准。