基于写入到写入延迟调整读取电平阈值的制作方法

技术特征：
1.一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器单元群组；以及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置以执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到所述存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入w2w延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述w2w延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；和使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。2.根据权利要求1所述的系统，所述操作进一步包括：标识所述第二存储器单元，其中所述第二存储器单元与满足选择准则的第二读取电压电平相关联，并且其中所述选择准则基于所述第二读取电压电平与所述第一读取电压电平的比较。3.根据权利要求2所述的系统，其中如果所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，则所述第二读取电压电平满足所述选择准则。4.根据权利要求1所述的系统，所述操作进一步包括：响应于执行所述写入操作，使所述存储器装置的基础读取电平与所述第一存储器单元相关联。5.根据权利要求1所述的系统，其中使用包括多个记录的数据结构来标识所述阈值时间准则，每个记录将阈值时间准则映射到对应读取电压电平。6.根据权利要求5所述的系统，其中标识所述w2w延迟所满足的所述阈值时间准则包括：在所述数据结构中标识包括所述w2w延迟所满足的特定阈值时间准则的记录，其中所标识阈值时间准则基于所述特定阈值时间准则。7.根据权利要求6所述的系统，其中在所述数据结构中标识包括所述w2w延迟所满足的所述特定阈值时间准则的所述记录包括：将所述w2w延迟与与所述特定阈值时间准则相关联的阈值进行比较。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述操作进一步包括：接收对从指定存储器单元读取的请求；响应于对从所述指定存储器单元读取的所述请求，标识与所述指定存储器单元相关联的读取电压电平；以及根据所述读取电压电平从所述指定存储器单元读取数据。9.根据权利要求8所述的系统，其中使用包括多个记录的数据结构来标识与所述指定存储器单元相关联的所述读取电压电平，每个记录将存储器单元映射到对应读取电压电平。10.根据权利要求9所述的系统，其中标识与所述指定存储器单元相关联的所述读取电压电平包括：在所述数据结构中标识包括对应于所述指定存储器单元的特定存储器单元标识符的
记录，其中所述记录将所述特定存储器单元标识符映射到特定读取电压电平，并且所标识读取电压电平基于所述特定读取电压电平。11.根据权利要求1所述的系统，其中基于执行所述第一写入操作的时间与对所述存储器单元群组的所述存储器单元执行所述第二写入操作的时间之间的时间差来确定所述w2w延迟。12.根据权利要求11所述的系统，其中通过与所述存储器单元群组相关联的写入时间戳来指定执行所述第二写入操作的所述时间，并且其中所述写入时间戳存储在包含所述存储器装置的存储器子系统的元数据中。13.根据权利要求12所述的系统，其中所述操作进一步包括：响应于执行所述写入操作，基于当前时间更新所述写入时间戳。14.根据权利要求1所述的系统，其中使所述第一读取电压电平与所述第二存储器单元相关联包括：在包括每个记录将存储器单元映射到对应读取电压电平的多个记录的数据结构中存储将所述第二存储器单元映射到所述第一读取电压电平的记录。15.根据权利要求1所述的系统，其中使所述第一读取电压电平与所述第二存储器单元相关联代替所述第二存储器单元与第二读取电压电平之间的现有关联。16.一种方法，其包括：由处理装置执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作和在所述第一写入操作之前发生的第二写入操作来确定写入到写入w2w时间；在数据结构中标识w2w延迟所满足的阈值时间准则，其中所述数据结构包括所述阈值时间准则与第一读取电压电平之间的关联；标识与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联的第二读取电压电平；以及响应于确定所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，将与所述第二存储器单元相关联的所述第二读取电压电平设置为所述第一读取电压电平的值。17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：接收对从指定存储器单元读取的请求；响应于对从所述指定存储器单元读取的所述请求，标识与所述指定存储器单元相关联的读取电压电平；以及根据所述读取电压电平从所述指定存储器单元读取数据。18.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：响应于执行所述写入操作，使所述存储器装置的基础读取电平与所述第一存储器单元相关联。19.一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：执行将数据写入到存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作和在所述第一写入操作之前发生的第二写入操作来确定写入到写入w2w时间；在数据结构中标识w2w延迟所满足的阈值时间准则，其中所述数据结构包括所述阈值时间准则与第一读取电压电平之间的关联；
标识与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联的第二读取电压电平；以及响应于确定所述第二读取电压电平小于所述第一读取电压电平，将与所述第二存储器单元相关联的所述第二读取电压电平设置为所述第一读取电压电平的值。20.根据权利要求19所述的非暂时性计算机可读媒体，所述操作进一步包括：接收对从指定存储器单元读取的请求；响应于对从所述指定存储器单元读取的所述请求，标识与所述指定存储器单元相关联的读取电压电平；以及根据所述读取电压电平从所述指定存储器单元读取数据。

技术总结
本公开涉及基于写入到写入延迟调整读取电平阈值。一种方法包含：执行将数据写入到存储器装置中的存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入W2W延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述W2W延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；以及使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。所述第二存储器单元可与基于第二读取电压电平与所述第一读取电压电平的比较而满足选择准则的所述第二读取电压电平相关联。则的所述第二读取电压电平相关联。则的所述第二读取电压电平相关联。


技术研发人员：许中广 谢廷俊 郎慕蓉 周振明
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.08.12
技术公布日：2023/2/17