堆叠式存储器的电压调节分配的制作方法

技术特征：
1.一种方法，其包括：在第一半导体裸片处接收信号，所述第一半导体裸片包括电压调节器、与第二半导体裸片耦合的触点和与第一存储器阵列相关联的电路系统，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于接收到所述信号，修改所述第一半导体裸片的所述电压调节器和与所述第二半导体裸片耦合的所述触点之间的开关组件的状态。2.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述信号包括：在所述第一半导体裸片处从所述第二半导体裸片接收修改所述开关组件的所述状态的请求。3.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述信号包括：在所述第一半导体裸片处从与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片耦合的第三半导体裸片接收修改所述开关组件的所述状态的命令。4.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述信号包括：在所述第一半导体裸片处从与包含所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的存储器装置耦合的主机装置接收修改所述开关组件的所述状态的命令。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述信号包括操作与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统的条件的指示。6.根据权利要求5所述的方法，其中操作与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件的所述指示包括带宽的指示、性能模式的指示、电力模式的指示、电压的指示、电流的指示或存取状态的指示，或其组合。7.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述开关组件的所述状态隔离所述电压调节器和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统。8.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述开关组件的所述状态包括：至少部分地基于接收到所述信号，将所述开关组件的所述状态从闭路状态转变到开路状态。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：在所述第一半导体裸片处接收第二信号；以及至少部分地基于接收到所述第二信号，将所述开关组件的所述状态从所述开路状态修改为所述闭路状态。10.一种方法，其包括：在包括与第一存储器阵列相关联的电路系统、第一电压调节器和能够用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点的第一半导体裸片处，识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的条件，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，修改与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统和能够用于与所述第二半导体裸片的所述第二电压调节器耦合的所述触点之间的开关组件的状态。11.根据权利要求10所述的方法，其中至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件而修改所述开关组件的所述状态包括：
至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，将所述开关组件的所述状态从开路状态转变到闭路状态。12.根据权利要求10所述的方法，其中至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件而修改所述开关组件的所述状态包括：至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，将所述开关组件的所述状态从闭路状态转变到开路状态。13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：向所述第二半导体裸片传输信号，所述信号是修改所述第二半导体裸片的所述第二电压调节器和与所述第一半导体裸片耦合的所述第二半导体裸片的触点之间的第二开关组件的状态。14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：接收存取所述第一存储器阵列的命令；以及至少部分地基于接收存取所述第一存储器阵列的所述命令，识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件。15.根据权利要求10所述的方法，其中识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件包括：识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的速度或带宽满足阈值。16.根据权利要求10所述的方法，其中识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件包括：识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的电压或电流满足阈值。17.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：在所述第一半导体裸片处识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的第二条件；以及至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述第二条件，修改所述开关组件的所述状态。18.根据权利要求17所述的方法，其中至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述第二条件而修改所述开关组件的所述状态包括：将所述开关组件的所述状态从闭路状态转变到开路状态。19.根据权利要求17所述的方法，其中识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述第二条件包括：识别与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的空闲条件或待机条件。20.根据权利要求17所述的方法，其中识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件包括：识别与操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统相关联的第二电压或第二电流满足阈值。21.一种方法，其包括：在存储器装置的逻辑处识别操作所述存储器装置的条件，所述逻辑与所述存储器装置的包括与第一存储器阵列相关联的电路系统的第一半导体裸片耦合且与所述存储器装置的包括与第二存储器阵列相关联的电路系统的第二半导体裸片耦合；以及
至少部分地基于识别到操作所述存储器装置的所述条件，修改所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的电压调节器之间的连接或所述第二半导体裸片和所述第一半导体裸片的电压调节器之间的连接或这两者。22.根据权利要求21所述的方法，其中识别操作所述存储器装置的所述条件包括：识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的速度或带宽满足阈值，或识别操作与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统的速度或带宽满足阈值，或这两者。23.根据权利要求21所述的方法，其中识别操作所述存储器装置的所述条件包括：识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的电力满足阈值，或识别操作与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统的电力满足阈值，或这两者。24.根据权利要求21所述的方法，其中识别操作所述存储器装置的所述条件包括：识别第一存储器阵列的存取操作，或识别所述第二存储器阵列的存取操作，或这两者。25.根据权利要求21所述的方法，其中修改所述连接包括：修改所述第一半导体裸片的开关组件的状态，或修改所述第二半导体裸片的开关组件的状态，或这两者。26.根据权利要求21所述的方法，其中修改所述连接包括：修改包括所述存储器装置的所述逻辑的所述存储器装置的第三半导体裸片的开关组件的状态。27.一种设备，其包括：第一半导体裸片，其包括：第一电压调节器；与第一存储器阵列相关联并且能够至少部分地基于所述第一电压调节器而操作的电路系统；能够用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点；以及耦合在所述触点和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统之间的开关组件。28.根据权利要求27所述的设备，其进一步包括：能够用于至少部分地基于操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的条件而控制所述开关组件的状态的逻辑。29.根据权利要求27所述的设备，其进一步包括：能够用于至少部分地基于从所述第一半导体裸片外接收到的信号而控制所述开关组件的状态的逻辑。30.根据权利要求29所述的设备，其进一步包括：第四触点，其配置成从所述第一半导体裸片外接收所述信号。31.根据权利要求27所述的设备，其进一步包括：能够用于向所述第二半导体裸片传输信号的逻辑，所述信号是修改耦合在所述第一半导体裸片的所述触点和所述第二半导体裸片的第二电压调节器之间的第二开关组件的状态。32.一种设备，其包括：第一半导体裸片，其包括第一电压调节器和与第一存储器阵列相关联的电路系统；第二半导体裸片，其包括第二电压调节器和与第二存储器阵列相关联的电路系统；
电力供应器，其位于所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片外部，并且能够用于与所述第一电压调节器和所述第二电压调节器耦合；第一开关组件，其能够用于耦合所述第二电压调节器和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统；以及第二开关组件，其能够用于耦合所述第一电压调节器和与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统。33.根据权利要求32所述的设备，其中所述第一开关组件位于所述第一半导体裸片中，所述第二开关组件位于所述第二半导体裸片中。34.根据权利要求32所述的设备，其中所述第一开关组件和所述第二开关组件位于与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片耦合的第三半导体裸片中。35.根据权利要求32所述的设备，其进一步包括：一或多个导体，其能够用于直接耦合所述电力供应器与所述第一电压调节器、所述第二电压调节器或这两者。

技术总结
本申请涉及堆叠式存储器的电压调节分配。堆叠式存储器装置可支持用于在多个存储器裸片的电压调节电路系统之间耦合或用于耦合一些存储器裸片的电压调节电路系统和与其它存储器裸片的操作存储器阵列相关联的电路系统的各种技术。在一些实例中，此类技术可包含电压调节电路系统基于阵列电路系统的存取活动或存取活动程度进行的交叉耦合。在一些实例中，此类技术可包含基于阵列电路系统的存取活动或存取活动程度而隔离电压调节电路系统。电压调节电路系统之间的动态耦合或隔离可以通过与堆叠式存储器装置相关的各种信令来支持，例如所述堆叠式存储器裸片之间的信令、存储器裸片和中央控制器之间的信令，或所述堆叠式存储器装置和主机装置之间的信令。储器装置和主机装置之间的信令。储器装置和主机装置之间的信令。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.08.09
技术公布日：2023/2/17