晶圆表面处理的方法与流程

技术特征：
1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室中分别通入反应气体和催化气体，并对所述反应气体和所述催化气体中的至少一者的分压和温度进行调控，以使刻蚀反应以指定密度发生在晶圆的待处理表面处；对所述晶圆进行热处理，以使刻蚀反应生成的固态生成物升华后，随气流排出所述反应腔室。2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述向反应腔室中分别通入反应气体和催化气体包括：向所述反应腔室中通入所述反应气体，在第一工艺条件下，使所述反应气体以指定密度吸附在所述晶圆的所述待处理表面上；向所述反应腔室中通入所述催化气体，在第二工艺条件下，使所述催化气体催化所述反应气体与所述待处理表面进行刻蚀反应。3.根据权利要求2所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括：所述反应气体的分压大于0torr，小于等于5torr，工艺温度大于等于90℃，且小于等于130℃。4.根据权利要求3所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第一工艺条件包括：所述反应气体的分压大于等于0.2torr，小于等于2torr，工艺温度大于等于100℃，且小于等于120℃。5.根据权利要求3或4所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第一工艺条件还包括：进气流量大于0sccm，且小于400sccm，工艺时间大于等于0.2s，且小于等于10s。6.根据权利要求2所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第二工艺条件与所述第一工艺条件相同。7.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述反应气体包括氟化氢、氟气和氟化氙气体中的至少一者。8.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述催化气体包括氨气、甲醇气体和水蒸气中的至少一者。9.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行热处理包括：向所述反应腔室中通入保护气体；对所述晶圆进行加热，以使附着在所述晶圆表面的所述固态生成物升华；开启抽气装置，以抽出所述反应腔室中的气体。10.根据权利要求9所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述保护气体为氮气或惰性气体。

技术总结
本发明提供一种晶圆表面处理方法，其包括：向反应腔室中分别通入反应气体和催化气体，并对所述反应气体和所述催化气体中的至少一者的分压和温度进行调控，以使刻蚀反应以指定密度发生在晶圆的待处理表面处；对所述晶圆进行热处理，以使刻蚀反应生成的固态生成物升华后，随气流排出所述反应腔室。本发明提供的晶圆表面处理方法，不使用等离子体刻蚀技术且无需掩膜板，从而能够避免等离子体轰击造成晶圆表面损伤，而且也能够使刻蚀工艺精度不受掩膜板尺寸限制。膜板尺寸限制。膜板尺寸限制。


技术研发人员：王春
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2021.08.17
技术公布日：2023/2/17