导电硅溅射靶的制作方法

技术特征：
1.一种用于溅射的靶(10)，其具有用于溅射的靶材(11)，所述靶材(11)包括层状结构和至少1％的孔隙率并且具有低于1000ohm.cm的电阻率，例如低于100ohm.cm，例如诸如低于10ohm.cm，所述靶材还包括硅以及来自元素周期表的第13族和/或第15族的至少一种附加元素，其中硅的量是至少98wt.％，更优选至少99wt.％，更优选高于99.5wt.％，并且所述至少一种附加元素的量是低于0.03wt.％，其中所述量不包括氮的量，如果存在氮的话。2.如权利要求1所述的靶(10)，其中所述至少一种附加元素的量高于0.001wt.％。3.如权利要求1所述的靶(10)，其中所述至少一种附加元素包括来自元素周期表的第13族的元素。4.如权利要求3所述的靶(10)，其中所述至少一种附加元素包括硼。5.如权利要求1所述的靶(10)，进一步包括低于0.5wt.％的量的氧和/或氮。6.如权利要求1所述的靶(10)，包括具有至少500毫米，例如至少800毫米长度的用于溅射的单片靶材(11)。7.如权利要求1所述的靶(10)，其中所述靶(10)包括厚度至少4毫米的用于溅射的靶材(11)，例如6毫米的靶材厚度。8.如权利要求1所述的靶(10)，其中所述靶材的电阻率高于0.1ohm.cm。9.如权利要求1所述的靶(10)，其中所述靶(10)是圆柱形靶。10.一种用于使用如前述权利要求中的任一项所述的靶来进行溅射的方法，包括提供(20)所述靶以及提供(21、22、23)使用所述靶的溅射以用于在ac或dc溅射中以高于30kw/m的功率密度，例如35kw/m或更高，诸如40kw/m，以及甚至高于50kw/m的功率密度沉积包括硅的层。11.如权利要求10所述的方法，其中提供溅射包括在非反应性气氛中提供溅射(22)或者在包括氧和/或氮的反应性气氛中提供溅射(23)。12.如权利要求11所述的方法，进一步包括提供范围在0.1pa和10pa之间的工作压力。13.一种用于制造靶的方法，包括：以可喷涂形式提供(30)硅，以可喷涂形式提供(31)来自元素周期表第13族或第15族的至少一种附加元素，提供(34)背衬基材，以及按溅射参数将一定量的所述硅以及所述至少一种附加元素喷涂(35)在所述背衬基材上，所述量和所述溅射参数被配置成使得靶被形成为具有至少1％的孔隙率，至少包括至少98wt.％的硅，更优选至少99wt.％，更优选高于99.5wt.％的硅，以及小于0.03wt.％的来自元素周期表第13族或第15族的至少一种附加元素，其中在存在氮的情况下所述至少一种附加元素的量不包括氮的量。14.如权利要求13所述的方法，其中喷涂(35)包括热喷涂。

技术总结
一种溅射靶(10)具有用于溅射的靶材(11)，该靶材(11)包括层状结构和至少1％的孔隙率，并且具有低于1000ohm.cm的电阻率，例如低于100ohm.cm，例如诸如低于10ohm.cm，该靶材还包括硅以及来自元素周期表的第13族和/或第15族的至少一种附加元素，其中硅的量是至少98wt.％，更优选至少99wt.％，更优选高于99.5wt.％，并且该至少一种附加元素的量是低于0.03wt.％，其中所述量不包括氮量(如果存在氮的话)。还提供了一种制造方法和溅射方法。氮的话)。还提供了一种制造方法和溅射方法。氮的话)。还提供了一种制造方法和溅射方法。


技术研发人员：W
受保护的技术使用者：梭莱镀膜工业（江阴）有限公司
技术研发日：2021.07.23
技术公布日：2023/2/6